现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件（晶体管是电流控制器件）,其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小.
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄,其漏极电流将变小,（如图C1-b）,反向偏压达到一定时,耗尽区将xx沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps ｜Vgs｜,这里｜Vgs｜是Vgs的{jd1}值.
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄,其漏极电流将变小,（如图C1-b）,反向偏压达到一定时,耗尽区将xx沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps ｜Vgs｜,这里｜Vgs｜是Vgs的{jd1}值.
普通晶体管的电压-电流控制型器件，其电流传导的载流子只有电子或空穴，属于单结结构。
它既有与二极管一样的PN结，又有让电流通过的沟道。
场效应管（FET）是一种不同于普通晶体管的电压-电流控制型器件，其电流传导的载流子只有电子或空穴,属于单结结构。它既有与二极管一样的PN结，又有让电流通过的沟道。
电流进入沟道端称为源极（s），流出沟道端称为漏极（D），而控制通过沟道电流大小的一端称为栅极（G），表示符号见附图。
场效应管有两种结构，一种是栅极与沟道直接连接，称作结型场效应管，手册中用“J”表示， 常用于音频模拟电路。另一种栅极和沟道是相互绝缘的，也称绝缘栅型，手册中用“MOS”表示。MOS场效应管的输入阻抗比结型场效应管大得多。被广泛用于从低频到高频的整个范围，特别是在低频大电流和要求输入电容小的高频电路方面表现得出类拔萃。
MOS场效应管虽然性能优良，用途广泛．但其致命弱点是栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿，特别是栅、源间的耐压只有几十伏，电流也仅为uA级，所以在拆、装、存、测过程中，都必须将栅、源极良好短路.
具体作法是：拆、装MOS管时。{zh0}用变压器隔离的低压电烙铁，普通电烙铁要妥善接地或待烙铁头达到焊接温度时拔下电源插头再进行拆、装工作；存放时用裸铜线或锡铂纸将MOS管G、s短路；测量时不要随意在栅、源和栅、漏极间用手短路。从结构上看，栅、源和栅、漏间的耐压基本对称，只要将栅、源极良好短路，即可在“新一代TD-3或JH-918”表上进行耐压测量。
先选用R×l0k档校零（IRF350为例），手持管壳引极（向自己），将引极与管壳孔距离长的一边向下，先将红表笔接（G），黑表笔接（s），进行测前准备；然后将红表笔接外壳（D），黑表笔接（s），指针应满偏；再将红、黑表笔对调，指针应不动，用持壳手指触摸（G）极一下，指针应偏转至5kΩ左右（此法可挑选并联使用管），随即将红表笔接（G）极，黑表笔接（s）极，进行测后处理。
应特别指出的是，经过 耐压和测前准备的MOS场应管G、S和G、D正、反测量时，表针都应不动。红表笔接（D），黑表笔接（s），指针满偏者为N沟MOS管；反之，则是P沟MOS管，由 此可方便地分辨N沟和P沟的无字MOS管。
它既有与二极管一样的PN结，又有让电流通过的沟道。
场效应管（FET）是一种不同于普通晶体管的电压-电流控制型器件，其电流传导的载流子只有电子或空穴,属于单结结构。它既有与二极管一样的PN结，又有让电流通过的沟道。
电流进入沟道端称为源极（s），流出沟道端称为漏极（D），而控制通过沟道电流大小的一端称为栅极（G），表示符号见附图。
场效应管有两种结构，一种是栅极与沟道直接连接，称作结型场效应管，手册中用“J”表示， 常用于音频模拟电路。另一种栅极和沟道是相互绝缘的，也称绝缘栅型，手册中用“MOS”表示。MOS场效应管的输入阻抗比结型场效应管大得多。被广泛用于从低频到高频的整个范围，特别是在低频大电流和要求输入电容小的高频电路方面表现得出类拔萃。
MOS场效应管虽然性能优良，用途广泛．但其致命弱点是栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿，特别是栅、源间的耐压只有几十伏，电流也仅为uA级，所以在拆、装、存、测过程中，都必须将栅、源极良好短路.
具体作法是：拆、装MOS管时。{zh0}用变压器隔离的低压电烙铁，普通电烙铁要妥善接地或待烙铁头达到焊接温度时拔下电源插头再进行拆、装工作；存放时用裸铜线或锡铂纸将MOS管G、s短路；测量时不要随意在栅、源和栅、漏极间用手短路。从结构上看，栅、源和栅、漏间的耐压基本对称，只要将栅、源极良好短路，即可在“新一代TD-3或JH-918”表上进行耐压测量。
先选用R×l0k档校零（IRF350为例），手持管壳引极（向自己），将引极与管壳孔距离长的一边向下，先将红表笔接（G），黑表笔接（s），进行测前准备；然后将红表笔接外壳（D），黑表笔接（s），指针应满偏；再将红、黑表笔对调，指针应不动，用持壳手指触摸（G）极一下，指针应偏转至5kΩ左右（此法可挑选并联使用管），随即将红表笔接（G）极，黑表笔接（s）极，进行测后处理。
应特别指出的是，经过 耐压和测前准备的MOS场应管G、S和G、D正、反测量时，表针都应不动。红表笔接（D），黑表笔接（s），指针满偏者为N沟MOS管；反之，则是P沟MOS管，由 此可方便地分辨N沟和P沟的无字MOS管。
