Isaac 2007-5-31 18:37 [quote]原帖由 [i]chaolin[/i] 于 2007-5-31 17:05 发表
如果我没有理解错的话，斯图加特大学的一个研究结果好象没有太大的区别 [url=http://www.ipe.uni-stuttgart.de/index.php?lang=eng&pulldownID=12&ebene2ID=44]http://www.ipe.uni-stuttgart.de/ ... =12&ebene2ID=44[/url] [/quote] 谢谢这个链接，以后有时间看一下。不同机构测试结果不一样可能不仅仅是因为所在地不同，测试条件是否有可比性等因素也应该考虑。 Leibniz 2007-12-12 22:42 非晶硅的禁带宽度较大，约为1.7eV（单晶硅材料的能带宽度为1.12eV，砷化镓的能带宽度为1.4eV），所以非晶硅电池要比单晶硅和砷化镓太 阳电池具有更好的抗辐射性、高的充电效率（由于其特殊的温度特性）
非晶硅太阳电池的抗辐射能力高于单晶硅电池和砷化镓电池50-100倍，而且多结非晶硅太阳电池具有更高的抗辐射能力。 在同样的工作温度下，非晶硅太阳电池的饱和电流远小于单晶硅太阳电池和砷化镓太阳电池，而短路电流温度系数却高于晶体硅电池的1倍，约为 40A/℃•cm-1,这十分有利在较高温度下保持较高的Voc和FF。 美国国家可再生能源研究所（NREL）对此现象进行了系统的研究，在环境温度30℃时，同样标称功率的非晶硅太阳电池和单晶硅太阳电池， 非晶硅太阳电池输出功率几乎无变化，而单晶硅太阳电池的输出下降15％。 |
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