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185)场效应晶体管的简称：场效应管

186）概念：是一种场效应原理工作的半导体器件。

187）分类：
（1）分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类；
（2）又有N沟道和P沟道之分；

188）文字符号：VT

189）主要参数：
（1）饱和漏源电流
（2）夹断电压
（3）开户电压
（4）跨导
（5）漏源击穿电压
（6）{zd0}耗散功率
（7）{zd0}漏源电流

190）特点：由栅极电压控制其漏极电流，是电压控制器件。

191）主要作用：
（1）放大
（2）恒流
（3）阻抗变换
（4）可变电阻
（5）电子开关

192）缘缘栅场效应管也叫：金属氧化物半导体场效应管

193）绝缘栅场效应管简称：MOS场效应管

194）MOS场效应管的分类：分为耗尽型MOS管和增强型MOS管；

195）场效应管还可分：场效应管还有单栅极管和双栅极管之分

196）双栅场效应管：双栅场效应管具有两个互相独立的栅极G1和G2，从结构上看相当于由两个单栅极场效应管串联而成，其输出电流的变化受到两个栅极电压的控制。

197）场效应管的分类用图表示：
场效应管
结型：N沟道和P沟道
绝缘栅型：耗尽型和增强型；耗尽型：N沟道和P沟道；增强型：N沟道和P沟道

198）场效应管的图形符号：
结型N沟道，结型P沟道，MOS耗尽型单栅N沟道，MOS耗尽型单栅P沟道，MOS增强型单栅P沟道，MOS增强型单栅P沟道，MOS耗尽型双栅N沟道，MOS耗尽型双栅P沟道。

199）识别场效应管
（1）场效应管一般具有3只引脚（双栅管有4只引脚），分别是栅极G，源极S和漏极D。
（2）它的功能分别对应于双极型晶体管的基极B，发射极E和集电极C；
（3）由于场效应管的源极S和漏极D是对应的，实际应用中可以互换。

200）饱和漏源电流：饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏极电流；

201）夹断电压
（1）夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间则截止时的栅极电压；
（2）图5-26所示为N沟道的UGS-ID曲线，从图中可以明确看出IDSS与UP的意义；
（3）图5-27所示为P沟道管的UGS-ID曲线；

202）开启电压
（1）开启电压UT是指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压；
（2）图5-28所示为N沟道的UGS-ID曲线，从中可以明确看出UT的意义；
（3）图5-29所示为P沟道的UGS-ID曲线；

203）跨导：
（1）跨导GM是表示栅源电压UGS对漏源电流ID的控制能力；
（2）即漏源电流ID变化量与栅源电极UGS变化量的比值；
（2）GM是衡量场效应管放大能力的重要参数；

204）漏源击穿电压
漏源击穿电压BUDS是指栅极电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的{zd0}漏源电流；

205）{zd0}耗散功率：是指场效应管性能不变坏时所能允许的{zd0}漏源耗散功率；

206）{zd0}漏源电流：是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的{zd0}电流；

207）场效应管的工作原理
场效应管的基本工作原理如图5-30所示（以结型N沟道管为例）
由于栅极G有负偏压（-UG），在G附近形成耗尽层；
（1）当负偏压（-UG）的{jd1}值增大时，耗尽层增大，沟道减小，漏极电流ID减小；
（2）当负偏压（-UG）的{jd1}值减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流ID增大；
（3）可见，漏极电流ID受栅极电压的控制，所以场效应管是电压控制型器件；
（4）即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化，从而达到放大的目的；

208）放大
场效应管具有放大的作用；
（1）图5-31所示为场效应管放大器；
（2）输入信号UI经G1耦合至场效应管VT的栅极；
（3）与原来的负偏压相叠加，使其漏极电流ID相应变化；
（4）并在隔离直流后输出，在输出端即得到放大的信号电压U0；
（5）经C2隔离直流后输出，在输出端即得到放大了的信号电压U0；
（6）ID与UI同相，U0与UI反向；

209）恒流
场效应管可以方便地构成恒流源，电路如图5-32所示，恒流原理是：
（1）如果通过场效应管的漏极电流ID因故增大，源极电阻RS上形成的负栅压也随之增大，近使ID回落；
（2）反之亦然，使ID保持恒定；
恒定电流ID=UP的{jd1}值除以RS，
式中，UP为场效应管夹断电压；

210）阻抗变换
（1）场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，图5-33所示为场效应管的源极输出器；
（2）场效应管源极输出器具有更高的输入阻抗和较低的输出阻抗；

211) 可变电阻
（1）场效应管可以用作可变电阻，图5-34为自动电平控制电路；
（2）当输入信号UI增大导致U0增大时，由U0级二极管VD负向整流后形成的栅级电压-UG的{jd1}值也增大，使场效应管VT的等效电阻增大；
（3）R1与其的分压比减小，使进入放大器的信号电压减小，最终使U0保持基本不变。

211）阻抗变换
（1）场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，图5-33所示为场效应管的源极输出管；
（2）场效应管源极输出器具有更高的输入阻抗ZI和较低的输出阻抗ZO；

212）电子开关
（1）场效应管可以用作电子开关；图5-35所示为直流信号调制电路；
（2）场效应管VT1，VT2工作于开关状态，其栅极分别接入频率相同，相位相反的方波电压；
（3）当VT1导通，VT2截止时，UI向C充电；当VT2截止，VT2导通时，C放电；
（4）其输出U0便是与输入直流电压UI相关的可变电压；

213）引脚识别与检测
（1）万用表置于“R*1K挡”用两表笔分别测量每两个引脚的正、反电阻；
（2）当某两个引脚间的正反向电阻相等，均为数千欧时，则这两个引脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个引脚为栅极G；

214）区分N沟道与P沟道场效应管；
万用表置于“R*1K”挡，黑表笔接栅极G，红表笔分别接另外两个引脚；
（1）如果测得两个电阻值均很大，则为N沟道场效应管；
（2）如果测得两个电阻值均很小，则为P沟道场效应管；
（3）如果测得结果不符合以上两种情况，则说明场效应管已损坏或接触不良；

215）估测场效应管的放大能力；
（1）估测结型场效效管的放大能力；
（A）万用表置于“R*100”挡，两表笔分别接漏极D和源极S；
（B）然后用手握住栅极G（加入人体感应电压），表针应向左或向右摆动；
（C）表针摆动幅度越大，说明场效应管的放大能力越大；
如果表针不动，说明该管已坏；
（2）估测绝缘栅场效应管（MOS管）的放大能力；
（A）由于其输入阻抗很高，为了防止人体感应电压引起栅极击穿，不要用手直接接触棚极G；
（B）而应手拿螺比刀的绝缘柄，用螺丝刀的金属杆去接触栅极G，判别方法与测量结型场效应管相同；

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