设计要求

　　本文设计的开关将作为智能仪表的，{zd0}功率为10 W。为了减少的数量和智能仪表的体积，要求电源尺寸尽量小并能将电源部分与仪表主控部分做在同一个PCB上。

　　考虑10W的功率以及小体积的因素，选用单端反激电路。单端反激电路的特点是：电路简单、体积小巧且成本低。单端反激电路由输入电路、脉宽电路、功率传递电路(由开关管和组成)、输出整流滤波电路、误差检测电路(由芯片TL431及周围元件组成)及信号传递电路(由隔离光耦及组成)等组成。本电源设计成表面贴装的模块电源，其具体参数要求如下：

• 　　输出{zd0}功率：10W
• 　　输入交流：85～265V
• 　　输出直流电压／：+5V，500mA；+12V，150mA；+24V，100mA
• 　　纹波电压：≤120mV

　　单端反激式开关电源的控制原理

　　所谓单端是指TOPSwitch-II系列器件只有一个脉冲调制信号功率输出端一漏极D。反激式则指当功率MOSFET导通时，就将电能储存在高频变压器的初级绕组上，仅当MOSFET关断时，才向次级输送电能，由于开关高达100k，使得高频变压器能够快速存储、释放能量，经高频整流滤波后即可获得直流连续输出。这也是反激式电路的基本工作原理。而反馈回路通过控制TOPSwitch器件控制端的电流来调节占空比，以达到稳压的目的。

　　TOPSwitch-Ⅱ系列芯片选型及介绍

　　TOPSwitch-Ⅱ系列芯片的漏极(D)与内部功率开关器件MOSFET相连，外部通过与主电源相连，在启动状态下通过内部开关式高压电源提供内部偏置电流，并设有电流检测。控制极(C)用于占空比控制的误差放大器和反馈电流的输入引脚，与内部并联稳压器连接，提供正常工作时的内部偏置电流，同时也是提供旁路、自动重起和补偿功能的连接点。源极(S)与高压功率回路的MOSFET的源极相连，兼做初级电路的公共点与参考点。内部输出极MOSFET的占空比随控制引脚电流的增加而线性下降，控制电压的典型值为5.7 V，极限电压为9 V，控制端{zd0}允许电流为100 mA。

　　在设计时还对阈值电压采取了温度补偿措施，以xx因漏源导通随温度变化而引起的漏极电流变化。当芯片结温大于135℃时，过热保护电路就输出高，关断输出极。此时控制电压Vc进入滞后调节模式，Vc端波形也变成幅度为4.7V～5.7V的锯齿波．若要重新启动电路，需断电后再接通电路开关，或者将Vc降至3.3V以下，再利用上电复位电路将内部置零，使MOSFET恢复正常工作。

　　采用TOPSwitch-Ⅱ系列设计单片开关电源时所需外接元器件少，而且器件对电路板布局以及输入总线瞬变的敏感性大大减少，故设计十分方便，性能稳定，xxx更高。

　　对于芯片的选择主要考虑输入电压和功率。由设计要求可知，输入电压为宽范围输入，输出功率不大于10W，故选择TOP222G。