X波段砷化镓场效应振荡管
| 【中文篇名】 | X波段砷化镓场效应振荡管 |
| 【英文篇名】 | X-Band GaAs FET for Oscillators |
| 【作者】 | 魏荣治; |
| 【英文作者】 | Wei Rongzhi; （Nanjing Solid State Devices Research Institute）; |
| 【作者单位】 | 南京固体器件研究所; |
| 【文献出处】 | 固体电子学研究与进展 , Research & Progress of Solid State Electronics, 编辑部邮箱 1984年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | MESFET; 场效应; X波段; GaAs; 共源; 砷化镓; 组态; 振荡管; |
| 【摘要】 | X波段GaAs场效应振荡管是一种专门用于各种微波固体振荡电路的新型器件,尤其对X波段GaAsFET电压控制振荡器(VCO)和介质谐振器振荡器(DRO)更为适合。 本文在对有关资料分析的基础上,提出了设计这一器件的基本原则; 概述了器件的基本结构; 介绍了器件的参数研究结果和电路应用情况。用该器件制作的X波段FET VCO,得到了800MHz以上的电调范围,在整个电调范围内,输出功率为30～50mW,功率起伏小于1.5dB。 |
| 【英文摘要】 | An X-band GaAs oscillators FET especially designed for use in various microwave solid state oscillatory circuit is more suitable for X-band GaAs FET VCO and DRO FET oscillators.In this paper the basic construction of the device design is described. On the basis of analysing fundamental principles necessary for device design. The results of device parameters and the application of devices to circuits are also given. X-band GaAs FET VCO has been developed with an output power 30-50mW, tuning range gr… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:GTDZ.0.1984-04-001 |
| 【正文快照】 | 一、引 言 众所周知,GaAs MESFET是微波领域内用途极为广泛的一种半导体器件。随着通讯、雷达、电子对抗等领域对高性能固体振荡器的需求,近十年来相继出现eJDRO GaAs FET振荡器和GaAs FET VCO,可以更好地满足微波接收机的要求。尤其是GaAs FET VCO’因其效率高、输出功率大、 |
