8GHz双栅FET上变频器
| 【中文篇名】 | 8GHz双栅FET上变频器 |
| 【英文篇名】 | An 8GHz Dual-Gate FET Up-Converter |
| 【作者】 | 钱鼎荣; |
| 【英文作者】 | Qian Dingrong （Nanjing Solid State Devices Research Institute）; |
| 【作者单位】 | 南京固体器件研究所; |
| 【文献出处】 | 固体电子学研究与进展 , Research & Progress of Solid State Electronics, 编辑部邮箱 1984年 03期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 上变频器; 双栅FET; |
| 【摘要】 | 本文阐述了双栅FET的变频原理。通过对南京固体器件研究所WC52型双栅FET直流特性及微波“s”参数的分析,叙述了直流工作点的选择和微波匹配电路的设计。 研制了上变频器,并已用于8GHz无人值守微波中继机中。连同前置匹配放大器获得如下性能:输出频率8059.02±20MHz,输入频率140±20MHz,本振频率为8199.02MHz,增益22dB,1dB增益压缩点输出电平+4dBm,1dB压缩点处三阶交调产物为-23dBc。 |
| 【英文摘要】 | A frequencv-conversion principle of a GaAs dual-gate FET is described in this paper. The choice of the DC operating point and the design approach of the matching circuit are illustrated through analysing the DC characteristic and the s-parameter of the WC52 GaAs dual-gate FET fabricated by NSR.The 8GHz up-converter has been developed and used in an SGHz unattended MIC relay station. Combined with the preamplifier, the up-converter exhibits the following performances: The gain is 22dB from 140±20MHz… |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:GTDZ.0.1984-03-009 |
| 【正文快照】 | gi 言 上变频器通常应用于外差式中继通信中,一般由变容二极管制作,亦称参量上变频器。近年来有人采用双栅FET作为变频元件制作了上变频器”’,它与参量上变频器相比有如下优点: 1.有高peJ变频增益(本振+12dBm时增益为12dB)。 2.仅需要低的本振功率(+10dBm)。 3.本振和信号分别 |
