芯片封装知识介绍

1 、 BGA(ball grid array)
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体 (PAC) 。引脚可超过 200 ，是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP( 四侧引脚扁平封装 ) 小。例如，引脚中心距为 1.5mm 的 360 引脚 BGA 仅为 31mm 见方；而引脚中心距为 0.5mm 的 304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不 用担心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初， BGA 的引脚 ( 凸点 ) 中心距为 1.5mm ，引脚数为 225 。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发 500 引脚的 BGA 。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC ，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC( 见 OMPAC 和 GPAC) 。
2 、 BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。 QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起 ( 缓冲垫 ) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距 0.635mm ，引脚数从 84 到 196 左右 ( 见 QFP) 。
3 、碰焊 PGA(butt joint pin grid array)
表面贴装型 PGA 的别称 ( 见表面贴装型 PGA) 。
4 、 C － (ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如， CDIP 表示的是陶瓷 DIP 。是在实际中经常使用的记号。
5 、 Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于 ECL RAM ， DSP( 数字信号处理器 ) 等电路。带有 玻璃窗口的 Cerdip 用于紫外线擦除型 EPROM 以及内部带有 EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距 2.54mm ，引脚数从 8 到 42 。在 japon ，此封装表示为 DIP － G(G 即玻璃密封的意思 ) 。
6 、 Cerquad
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷 QFP ，用于封装 DSP 等的逻辑 LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad 用于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好，在自然空冷条件下可容许 1. 5 ～ 2W 的功率。但封装成本比塑料 QFP 高 3 ～ 5 倍。引脚中心距有 1.27mm 、 0.8mm 、 0.65mm 、 0.5mm 、 0.4mm 等多种规格。引脚数从 32 到 368 。
7 、 CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ 、 QFJ － G( 见 QFJ) 。
8 、 COB(chip on board)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如 TAB 和 倒片 焊技术。
9 、 DFP(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是 SOP 的别称 ( 见 SOP) 。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10 、 DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷 DIP( 含玻璃密封 ) 的别称 ( 见 DIP).
11 、 DIL(dual in-line)
DIP 的别称 ( 见 DIP) 。欧洲半导体厂家多用此名称。
12 、 DIP(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑 IC ，存贮器 LSI ，微机电路等。 引脚中心距 2.54mm ，引脚数从 6 到 64 。封装宽度通常为 15.2mm 。有的把宽度为 7.52mm 和 10.16mm 的封装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP( 窄体型 DIP) 。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为 DIP 。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip( 见 cerdip) 。
13 、 DSO(dual small out-lint)
双侧引脚小外形封装。 SOP 的别称 ( 见 SOP) 。部分半导体厂家采用此名称。
14 、 DICP(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。 TCP( 带载封装 ) 之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是 TAB( 自动带载焊接 ) 技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI ，但多数为 定制品。 另外， 0.5mm 厚的存储器 LSI 簿形封装正处于开发阶段。在 japon ，按照 EIAJ(japon 电子机 械工 业 ) 会标准规定，将 DICP 命名为 DTP 。
15 、 DIP(dual tape carrier package)
同上。 japon 电子机械工业会标准对 DTCP 的命名 ( 见 DTCP) 。
16 、 FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。 QFP 或 SOP( 见 QFP 和 SOP) 的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
17 、 flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18 、 FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距 QFP 。通常指引脚中心距小于 0.65mm 的 QFP( 见 QFP) 。部分导导体厂家采 用此名称。
19 、 CPAC(globe top pad array carrier)
美国 Motorola 公司对 BGA 的别称 ( 见 BGA) 。
20 、 CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把 LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状 (L 形状 ) 。 这种封装 在美国 Motorola 公司已批量生产。引脚中心距 0.5mm ，引脚数最多为 208 左右。
21 、 H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如， HSOP 表示带散热器的 SOP 。
22 、 pin grid array(surface mount type)
表面贴装型 PGA 。通常 PGA 为插装型封装，引脚长约 3.4mm 。表面贴装型 PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从 1.5mm 到 2.0mm 。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊 PGA 。因为引脚中心距只有 1.27mm ，比插装型 PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多 (250 ～ 528) ，是大规模逻辑 LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23 、 JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称 ( 见 CLCC 和 QFJ) 。部分半 导体厂家采用的名称。
24 、 LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频 IC 用封装，也称为陶瓷 QFN 或 QFN － C( 见 QFN) 。
25 、 LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有 227 触点 (1.27mm 中心距 ) 和 447 触点 (2.54mm 中心距 ) 的陶瓷 LGA ，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与 QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
26 、 LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。 LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达 1mm 左右宽度。
27 、 LQFP(low profile quad flat package)
薄型 QFP 。指封装本体厚度为 1.4mm 的 QFP ，是 japon 电子机械工业会根据制定的新 QFP 外形规格所用的名称。
28 、 L － QUAD
陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高 7 ～ 8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许 W3 的功率。现已开发出了 208 引脚 (0.5mm 中心距 ) 和 160 引脚 (0.65mm 中心距 ) 的 LSI 逻辑用封装，并于 1993 年 10 月开始投入批量生产。
29 、 MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为 MCM － L ， MCM － C 和 MCM － D 三大类。 MCM － L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM － C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷 ( 氧化铝或玻璃陶瓷 ) 作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合 IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于 MCM － L 。 MCM － D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷 ( 氧化铝或氮化铝 ) 或 Si 、 Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是{zg}的，但成本也高。