2015-04-09 来源：半导体行业观察

    上月底，Ziptronix公司宣布与索尼公司签署了一份专利许可协议，将DBI混合键合专利技术用于索尼高级图像传感器。

    这本是一则关于代工技术的小新闻，但新闻稿中这句话点亮了我：该公司首席执行官兼总裁Dan Donabedian表示，“2011年，索尼获得了Ziptronix的ZiBond直接键合专利技术许可，这项技术帮助索尼的图像传感器的市场份额从几个百分  点扩大为市场占有率{dy}。”

    索尼于 2011 年从 Ziptronix 获得 ZiBond 技术许可之前，他们在CMOS图像传感器领域的市场份额不到5%。2011年获得许可后，Sony迅速飙升至{dy}，目前已超过 35%。那么，问题来了，混合键合专利在其中承担了多大的推动力？

什么是直接键合技术？

    ZiBond 是专利低温直接键合技术Direct Oxide Bonding，支持材料低温键合，其残余应力和变形程度比其他键合技术更低。

    最近 Sony 发布的产品并未采用 ZiBond，而是采用DBI技术(Direct Bond Interconnect)，该技术支持互连材料在低温条件下直接键合于键合面。与铜热压缩等竞争技术相比，该键合技术连接间距更小，拥有成本更低。

    Ziptronix认为，相比硅通孔（TSV）堆叠技术，专利的混合键合技术有更好的使能性和成本效益。

3D SoC工艺流程如下所示：

还有谁在用ZiBond和DBI？

    除 Sony 外，Ziptronix 为 IO Semi（现称为 Silanna）、Tezzaron、Novati 和 IMEC 提供 ZiBond 技术许可；除 Sony 外，Ziptronix 还为 Tezzaron、Novati、IMEC 和 Raytheon 提供 DBI 技术许可。目前，Ziptronix正与其他公司研议图像传感器应用领域以及 DRAM 存储器、微型投影仪和 MEMS 等其他市场领域。

    此次与索尼的协议标志著针对大批量生产的Ziptronix直接键合专利将被持续的采用。那么，未来在3D IC制造中，直接键合工艺是否会超越TSV技术？

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