惠普今天披露了“记忆电阻”研究项目的信息。业内分析师认为，这一技术将对计算机和个人设备产生极大影响。 惠普高级研究人员斯坦·威廉斯(Stan Williams)表示，记忆电阻器技术尚处于研究阶段，将被添加到芯片中。他指出，尽管今天有媒体称记忆电阻器能够取代晶体管，但实际情况并非如此。记忆电阻器与晶体管相辅相成。威廉斯在接受采访时说，“记忆电阻器是晶体管电路的增压器，我们目前开发的电路混合使用了记忆电阻器和晶体管。” 这种混合设计可以用于PC和智能手机等小型电子设备中，将改变芯片的基本设计。目前，设备的计算和存储功能是在不同芯片或同一芯片的不同部分完成的，数据需要在存储和计算功能之间传输，造成了计算时间和能耗的浪费。威廉斯说，记忆电阻器无需在存储芯片和逻辑芯片之间传输数据，指令被发送给存储有数据的电路，完成运算后输出结果。 威廉斯预计，记忆电阻器存储芯片将于3年后问世，与闪存芯片相比，新型存储芯片容量更大、能耗更低、速度更快，“我们预计，记忆电阻器存储芯片将于未来3年后问世，存储容量是闪存芯片的逾2倍，速度快10倍”。 威廉斯表示，他希望同时完成运行和存储功能的记忆电阻器芯片能于2015年之后问世。 市场研究公司 Enderle Group分析师罗布·恩德勒(Rob Enderle)称，记忆电阻器可能成为游戏规则改变者，“如果惠普能以合理的价格及时推出产品，将改变个人电子产品产业的格局”。 市场研究公司Gartner分析师马丁·雷诺兹(Martin Reynolds)说，记忆电阻器将极大地改变闪存产业，“惠普预计记忆电阻器芯片将于2013年问世，将迅速地蚕食闪存芯片的市场。存储成本将不断下降。采用记忆电阻器芯片的设备尺寸将更小，功能将更强大”。 奥兹指出，记忆电阻器芯片有相当大的优势。记忆电阻器芯片比闪存芯片小7至9倍，意味着设备在更小的空间中可以提供更大的存储容量，“记忆电阻器芯片将催生3D互联网等新技术的问世。与目前的设备相比，采用记忆电阻器芯片的设备将有很大不同之处。首先其尺寸更小，其次可以产生更真实的视觉体验。它们具有与其尺寸不相称的处理能力，生成内容的速度足够快，提高虚拟体验的逼真度。 威廉斯表示，由于惠普本身并非是芯片厂商，因此将与多家芯片厂商就其新芯片设计展开合作。但威廉斯没有披露参与记忆电阻器项目的芯片厂商。 <iframe id="google_ads_frame1" style="left: 0px; position: absolute; top: 0px" name="google_ads_frame" marginwidth="0" marginheight="0" src="http://googleads.g.doubleclick.net/pagead/ads?client=ca-pub-9066977823953139&format=234x60_as&output=html&h=60&w=234&lmt=1270780321&channel=0839583543&ad_type=text_image&alt_color=E5ECF4&color_bg=E5ECF4&color_border=E5ECF4&color_link=0000FF&color_text=000000&color_url=008000&flash=10.0.22.87&url=http%3A%2F%2Fwww.cnbeta.com%2Farticles%2F108224.htm&dt=1239245467406&shv=r20100331&correlator=1239245467500&frm=0&ga_vid=1016280280.1258067860&ga_sid=1239244980&ga_hid=1756801206&ga_fc=1&u_tz=480&u_his=0&u_java=1&u_h=900&u_w=1440&u_ah=870&u_aw=1440&u_cd=32&u_nplug=0&u_nmime=0&biw=1423&bih=701&ref=http%3A%2F%2Fwww.cnbeta.com%2F&fu=0&ifi=1&dtd=765&xpc=Snvcm91tHY&p=http%3A//www.cnbeta.com" frameborder="0" width="234" scrolling="no" height="60" allowtransparency="allowtransparency"> |
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