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半导体激光器电流-电压特性导数测量技术

【中文篇名】 半导体激光器电流-电压特性导数测量技术
【作者】 金恩顺; 石家纬; 曲世茂; 李正庭;
【作者单位】 吉林大学;
【文献出处】 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 1984年 01期   
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览    ASPT来源刊    CJFD收录刊
【中文关键词】 导数测量技术; 电流-电压特性; H激光器; 半导体激光器; I曲线;
【摘要】 本文阐述了导数测量技术的原理、方法,并用导数测量技术测量了InGaAsPDH激光器的阈值电流、串联电阻、结的特征参量等.
【DOI】 CNKI:SUN:BDTJ.0.1984-01-006
【正文快照】 毒=l丘 半导体异质结的电学特性多年来是人们重视的课题,用导数测量技术对异质结激光器的电学特性进行研究近年来已有一些报导[1]~[6]。(4)针对AIGaAs—GaAs O、H质子轰击进行了导数测量讨论。(6)报导了单异质结FbSn—Te激光器在极低温度下连续工作的导数测量。本文用导数测量
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