红外灯与摄像机选配说明

红外灯与摄像机选配说明

2010-04-07 17:34:26 阅读8 评论0 字号:

目前市面上摄像机品牌是数不胜数,大多数属于OEM产品,其标称参数多有虚夸成份.拿{zd1}照度这一参数来说,有的甚至夸大一至二个数量级.,(进口产品除外)因此在选配红外灯的时候,单纯参照其指标参数已很难达到一个理想的匹配效果。

我们公司生产的系列红外灯有两个波段的产品:一是850nm,一个是940nm。要求所选用的摄像机必须能够感应这些波段的红外光线,红外灯的照射距离指标是以照度为0.01LUX的摄像机在全黑的环境下,以人为目标进行测定的,因此凡是真实指标低于0.01LUX的摄像机都可以在标称距离内看到清晰的图像。彩色摄像机由于其感光光谱在可见光区,无法感应红外光,因此不能与红外光进行配合使用。

随着市场的发展,人们对监控图像的要求也不断提高,纯黑白图像已无法满足一些场合的需要,就这样一种新型产品------彩色转黑白的摄像机就应运而生了,它即满足了白天是彩色图像的效果,同时也兼顾了夜间监控对低照度的要求,所以这种产品目前很受广大用户的欢迎,但是它本身也有其不足之处,这毕竟是权宜之策.一方面它的彩色效果易有偏差,另一方面它的照度也很难做到很低,这时在选配红外灯时常常会出现一些问题。例如:100米指标的红外灯配彩转黑的摄像机,实际上看不到100米的距离,难道是红外灯指标不真实吗?显然不是,所以根据我们多年来从事夜视领域工作的经验,建议广大用户在选用红外灯的时能够参考以下原则:

(1)在方案设计时,如有夜视要求,应先确定所选摄像机是否感应红外,以免在后期的工程施工过程中,因红外灯与所用摄像机不匹配而极其被动。以至造成不必要的麻烦和损失。

(2)具体选哪种品牌的摄像机效果较为理想,{zh0}与红外灯的专业生产厂家进行联系,我们会为您提供热情周到的免费咨询服务,会给您推荐国内外众多的对红外感应较好的产品,让您做到有的方矢。

(3)因红外灯的照射距离除了与CCD的匹配密切相关外,跟使用环境也有很大关系,像雨、雾、粉尘等气候条件都是致约其照射距离的因素,还有现场环境以及监控目标反射率的差别,也会使其夜视效果有很大差异,所以对于有条件的用户,{zh0}可以做一下现场演示,这样就免除了一切后顾之忧!在此方面我们将会全力配合您的需要。 

红外摄像机的最根本{zx1}的问题,其实,对于我们有多年生产摄像机的厂家来说,在于红外灯的选择与低照度红外摄像像机的正确使用;选择红外灯不应有效果{dy}的误区,不一定xx在于他的红外效果,而他与摄像机的配合,及产品的稳定性,寿命长短及经济成本,都在考量之列;所以说,每一次选择,都是一种风险的尝试,海盟研发部门在几年的时间里,尝试了大大小小不下一百家红外灯种类;而我们的红外灯选择,生产,也换了五六种不同种类的红外灯源;

 目前,红外一体机的制造集中在珠三角,大约有400家生产企业,其中以台湾、香港等外资企业势力较强,其产品全部外销,而其它绝大多数是中小型私人企业,其产品以内外销结合方式销售,而红外灯的制造企业以京津地区和东北地区为主,大约200家左右,其产品几乎全部内销。

受国家相关政策的影响,安防行业还将有三到五年的高速发展期,将会有更多企业进入此行业。然而,目前很多企业技术不成熟,设计产品时进入误区,一心追求距离,希望找到距离又远监控范围又广的红外LED,其实这是不明智的,片面追求会导致大量弄虚作假甚至一些寿命短的产品出来,鉴于此,在此给更多的朋友介绍一些红外摄像机重要构成红外灯的知识及广州诺立德经济发展有限公司这几年来的红外灯选购得失,以及与低照度红外摄像机配合所应注意的问题,希望对大家有所帮助。 减少同行选择红外灯所走的弯路;

一.      红外发射二极管( LED )红外灯的原理及特性

红外灯按其红外光辐射机理分为半导体固体发光(红外发射二级管)红外灯和热辐射红外灯两种。其原理及特性我们介绍如下:

红外发光二级管矩阵组成发光体。红外发射二级管由红外辐射效率高的材料(常用砷化镓)制成 PN 结,外加正向偏压向 PN 结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长 830 ~ 950nm ,半峰带宽约 40nm 左右,它是窄带分布,为普通 CCD 黑白摄像机可感受的范围。其{zd0}的优点是可以xx无红暴,(采用 940 ~ 950nm 波长红外管)或仅有微弱红暴(红暴为有可见红光)和寿命长。

红外发光二极管的发射功率用辐照度μ W/m2 表示。一般来说,其红外辐射功率与正向工作电流成正比,但在接近正向电流的{zd0}额定值时,器件的温度因电流的热耗而上升,使光发射功率下降。红外二极管电流过小,将影响其辐射功率的发挥,但工作电流过大将影响其寿命,甚至使红外二极管烧毁。现在很厂家,不负责任的任意扩大发射功率,以求得红外距离的增加,其实是拔苗助长的短视行为,最终造成图象的高度刺眼泛白及寿命的减小

当电压越过正向阈值电压(约 0.8V 左右)电流开始流动,而且是一很陡直的曲线,表明其工作电流对工作电压十分敏感。因此要求工作电压准确、稳定,否则影响辐射功率的发挥及其可靠性。辐射功率随环境温度的升高 ( 包括其本身的发热所产生的环境温度升高 ) 会使其辐射功率下降。红外灯特别是远距离红外灯,热耗是设计和选择时应注意的问题。

红外二极管的{zd0}辐射强度一般在光轴的正前方,并随辐射方向与光轴夹角的增加而减小。辐射强度为{zd0}值的 50% 的角度称为半强度辐射角。不同封装工艺型号的红外发光二极管的辐射角度有所不同。

   二、 发射管晶片的选择方法

目前850nm发射管晶片主要由日本、台湾、韩国、德国、大陆企业提供,而台湾大陆企业的晶片,其外延片主要来自于日本和韩国,功率、光衰{zh0}的是日本制造的,台湾鼎元的外延片来自于日本,其提供的晶片在该行业的口碑也较好。目前,日本晶片厂除对外提供外延之外,其已开始自己切割,这必将对台湾和大陆的晶片厂造成压力。

三、常用的850nm发射管的封装细则

目前在珠三角地区,做850nm发射管封装的公司很多,但是其懂得封装的细节,懂得封装细节对发射管影响的公司很少;要封装出品质好的IR发射管,经我们诺立德选择的多家,有很多在产品生产工艺流程上把握不好,其实,在生产要要注意很多的细节的,首先要选好材料,主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等;晶片的选择决定其功率、光衰,目前用日本和台湾的晶片{zh0};银浆的选择对其死灯现象影响较大,目前{zh0}的银浆来自日本和英国;胶水决定其耐热性能,目前{zh0}的胶水是台湾原厂的,其应力好,耐高温,封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄,有的公司使用的胶水很透明有些偏兰的感觉,这种胶水用于一般的LED还可以,但不适合封装IR发射管,其不耐高温、进行波峰焊(浸焊)易死灯。我们红外灯摄像机生产厂家,要有对客户负责任的态度,选择一间比较可靠,认真生产的红外灯供应商;这有助于企业的长久发展与客户的长期增长;

 四、 850发射管的选择准则:

 我们现在一般的一体机设计距离较近,一般适用较大角度的IR发射管,市场上最通用45、60度角,可选择一般晶片,{zh0}还是选择日本和台湾的,市场上用12Pcs、14Pcs、18Pcs、24Pcs发射管的一体机,常用此类产品一般开发距离在5-20米,若开发20米以上的一体机,必需建议使用日本和台湾晶片,如28Pcs、36Pcs、48Pcs、64Pcs等产品,同时需选用较小角度的效果会更好。

 针对红外灯特别是远距离的,必须用日本和台湾的晶片,并且建议用小角度的封装较大的,比如∮8、∮10的等,其相比∮5散热好,更聚光,也可以大小角度搭配,但建议两种角度相差不要超过10度,目前市场上30米、50米、80米、100米、150米、200米的红外灯{zh0}卖,生产不同距离的红外灯时,需注意选择适当角度,并且使用数量也要达到一定程度。

红外灯角度越大,其的发射距离有红外效果是会有所折扣的,这也是一些红外选择的无奈;大功率的红外灯,固然红外效果要好一点,但发热及寿命因素影响,还有市场价格因素的制约,想大规摸用在目前红外市场还是有一定的难度;

五、追求红外效果与红外稳定、价格因素的选择;

 红外灯的选择,要本着稳定及成本的考虑,并不是一定谁的红外眼前效果好,我们就采用哪一家,

   1. 普通850nm发射管一般用50mA设计 (一体机的电流可设计为40mA左右)。电压1.5-1.6v,深圳较多公司用60mA、80mA,甚少用100mA;这是不可取的,其将产生较大的热量、光衰加快,产品寿命短,产品质量不稳定,目前市场上有350mA、700mA的红外发射管,其实建议使用350mA时按1.8v、300mA-320mA设计,并且需要加强散热设计,高于700mA 发射管我们海盟一般不用用,因其成本太高,散热问题难处理,光衰较快, 产品质量不稳定。

   2. 红外产品改进时,还需要注意搭配角度、数量等,市场上许多人常问红外发射管能达到多少米,其实能达到多少米是一个系统的问题,不能单说发射管能达到多少米,其还受灯组大小,电路,摄像机,镜头等的影响。

3. 使用850nm发射管时,需要注意防静电,使用烙铁不能超过30W,时间不能超过三秒,浸焊时温度不能超过260度,时间也不能超过三秒

       红外一体化像机是新兴的产品,其由于夜视无限制的特点受到普遍的欢迎;但一开始就低价位的竞争,限制了红外摄像机更好技术的应用与发展;一个不争的事实是,现在很多红外摄像机生产商,不加用心,只是在市场上随便采购半成品,不加实验,粗糙地拼头面人凑在一起,以低价位冲击市场,导致了一大部分用心做事,专注红外发展的厂家的市场行为受损,发展xx产品的积极性不高;红外摄像机的最根本{zx1}的问题,其实,对于我们有多年生产摄像机的厂家来说,在于红外灯的选择与低照度红外摄像像机的正确使用;选择红外灯不应有效果{dy}的误区,不一定xx在于他的红外效果,而他与摄像机的配合,及产品的稳定性,寿命长短及经济成本,都在考量之列;所以说,每一次选择,都是一种风险的尝试,海盟研发部门在几年的时间里,尝试了大大小小不下一百家红外灯种类;而我们的红外灯选择,生产,也换了五六种不同种类的红外灯源;

       目前,红外一体机的制造集中在珠三角,大约有400家生产企业,其中以台湾、香港等外资企业势力较强,其产品全部外销,而其它绝大多数是中小型私人企业,其产品以内外销结合方式销售,而红外灯的制造企业以京津地区和东北地区为主,大约200家左右,其产品几乎全部内销。

        受国家相关政策的影响,安防行业还将有三到五年的高速发展期,将会有更多企业进入此行业。然而,目前很多企业技术不成熟,设计产品时进入误区,一心追求距离,希望找到距离又远监控范围又广的红外LED,其实这是不明智的,片面追求会导致大量弄虚作假甚至一些寿命短的产品出来,鉴于此,在此给更多的朋友介绍一些红外摄像机重要构成红外灯的知识及广州诺立德经济发展有限公司这几年来的红外灯选购得失,以及与低照度红外摄像机配合所应注意的问题,希望对大家有所帮助。 减少同行选择红外灯所走的弯路;

一.      红外发射二极管( LED )红外灯的原理及特性

      红外灯按其红外光辐射机理分为半导体固体发光(红外发射二级管)红外灯和热辐射红外灯两种。其原理及特性我们介绍如下:

  由红外发光二级管矩阵组成发光体。红外发射二级管由红外辐射效率高的材料(常用砷化镓)制成 PN 结,外加正向偏压向 PN 结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长 830 ~ 950nm ,半峰带宽约 40nm 左右,它是窄带分布,为普通 CCD 黑白摄像机可感受的范围。其{zd0}的优点是可以xx无红暴,(采用 940 ~ 950nm 波长红外管)或仅有微弱红暴(红暴为有可见红光)和寿命长。

  红外发光二极管的发射功率用辐照度μ W/m2 表示。一般来说,其红外辐射功率与正向工作电流成正比,但在接近正向电流的{zd0}额定值时,器件的温度因电流的热耗而上升,使光发射功率下降。红外二极管电流过小,将影响其辐射功率的发挥,但工作电流过大将影响其寿命,甚至使红外二极管烧毁。现在很厂家,不负责任的任意扩大发射功率,以求得红外距离的增加,其实是拔苗助长的短视行为,最终造成图象的高度刺眼泛白及寿命的减小

  当电压越过正向阈值电压(约 0.8V 左右)电流开始流动,而且是一很陡直的曲线,表明其工作电流对工作电压十分敏感。因此要求工作电压准确、稳定,否则影响辐射功率的发挥及其可靠性。辐射功率随环境温度的升高 ( 包括其本身的发热所产生的环境温度升高 ) 会使其辐射功率下降。红外灯特别是远距离红外灯,热耗是设计和选择时应注意的问题。

     红外二极管的{zd0}辐射强度一般在光轴的正前方,并随辐射方向与光轴夹角的增加而减小。辐射强度为{zd0}值的 50% 的角度称为半强度辐射角。不同封装工艺型号的红外发光二极管的辐射角度有所不同。

   二、 发射管晶片的选择方法

       目前850nm发射管晶片主要由日本、台湾、韩国、德国、大陆企业提供,而台湾大陆企业的晶片,其外延片主要来自于日本和韩国,功率、光衰{zh0}的是日本制造的,台湾鼎元的外延片来自于日本,其提供的晶片在该行业的口碑也较好。目前,日本晶片厂除对外提供外延之外,其已开始自己切割,这必将对台湾和大陆的晶片厂造成压力。

三、常用的850nm发射管的封装细则

        目前在珠三角地区,做850nm发射管封装的公司很多,但是其懂得封装的细节,懂得封装细节对发射管影响的公司很少;要封装出品质好的IR发射管,经我们诺立德选择的多家,有很多在产品生产工艺流程上把握不好,其实,在生产要要注意很多的细节的,首先要选好材料,主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等;晶片的选择决定其功率、光衰,目前用日本和台湾的晶片{zh0};银浆的选择对其死灯现象影响较大,目前{zh0}的银浆来自日本和英国;胶水决定其耐热性能,目前{zh0}的胶水是台湾原厂的,其应力好,耐高温,封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄,有的公司使用的胶水很透明有些偏兰的感觉,这种胶水用于一般的LED还可以,但不适合封装IR发射管,其不耐高温、进行波峰焊(浸焊)易死灯。我们红外灯摄像机生产厂家,要有对客户负责任的态度,选择一间比较可靠,认真生产的红外灯供应商;这有助于企业的长久发展与客户的长期增长;

 四、 850发射管的选择准则:

        我们现在一般的一体机设计距离较近,一般适用较大角度的IR发射管,市场上最通用45、60度角,可选择一般晶片,{zh0}还是选择日本和台湾的,市场上用12Pcs、14Pcs、18Pcs、24Pcs发射管的一体机,常用此类产品一般开发距离在5-20米,若开发20米以上的一体机,必需建议使用日本和台湾晶片,如28Pcs、36Pcs、48Pcs、64Pcs等产品,同时需选用较小角度的效果会更好。

        针对红外灯特别是远距离的,必须用日本和台湾的晶片,并且建议用小角度的封装较大的,比如∮8、∮10的等,其相比∮5散热好,更聚光,也可以大小角度搭配,但建议两种角度相差不要超过10度,目前市场上30米、50米、80米、100米、150米、200米的红外灯{zh0}卖,生产不同距离的红外灯时,需注意选择适当角度,并且使用数量也要达到一定程度。

       红外灯角度越大,其的发射距离有红外效果是会有所折扣的,这也是一些红外选择的无奈;大功率的红外灯,固然红外效果要好一点,但发热及寿命因素影响,还有市场价格因素的制约,想大规摸用在目前红外市场还是有一定的难度;

五、追求红外效果与红外稳定、价格因素的选择;

     红外灯的选择,要本着稳定及成本的考虑,并不是一定谁的红外眼前效果好,我们就采用哪一家,

   1. 普通850nm发射管一般用50mA设计 (一体机的电流可设计为40mA左右)。电压1.5-1.6v,深圳较多公司用60mA、80mA,甚少用100mA;这是不可取的,其将产生较大的热量、光衰加快,产品寿命短,产品质量不稳定,目前市场上有350mA、700mA的红外发射管,其实建议使用350mA时按1.8v、300mA-320mA设计,并且需要加强散热设计,高于700mA 发射管我们海盟一般不用用,因其成本太高,散热问题难处理,光衰较快, 产品质量不稳定。

   2. 红外产品改进时,还需要注意搭配角度、数量等,市场上许多人常问红外发射管能达到多少米,其实能达到多少米是一个系统的问题,不能单说发射管能达到多少米,其还受灯组大小,电路,摄像机,镜头等的影响。

3. 使用850nm发射管时,需要注意防静电,使用烙铁不能超过30W,时间不能超过三秒,浸焊时温度不能超过260度,时间也不能超过三秒

       红外一体化像机是新兴的产品,其由于夜视无限制的特点受到普遍的欢迎;但一开始就低价位的竞争,限制了红外摄像机更好技术的应用与发展;一个不争的事实是,现在很多红外摄像机生产商,不加用心,只是在市场上随便采购半成品,不加实验,粗糙地拼头面人凑在一起,以低价位冲击市场,导致了一大部分用心做事,专注红外发展的厂家的市场行为受损,发展xx产品的积极性不高; 

  

常规红外灯 型  号 角度 工作电压 距离 单价 外  观 GV-DIR-10MW 90° 12VDC,0.2A 10米 200 135×95×78mm GV-DIR-20MW 90° 12VDC,0.3A 20米 300 GV-DIR-30MW 90° 12VDC,0.5A 30米 380 135×95×78mm GV-DIR-50MW 90° 12VDC,0.8A 50米 720 GV-DIR-60MW 90° 12VDC,1.0A 60米 780 GV-DIR-80MW 90° 12VDC,1.0A 80米 900 170×125×95mm 255×155×115mm GV-DIR-100MW 90° 12VDC,1.2A 100米 1200 GV-DIR-120MW 90° 12VDC,2A 120米 1620 GV-DIR-150MW 90° 12VDC,2A 150米 2280 GV-DIR-180MW 90° 12VDC,3A 180米 2810 GV-DIR-200MW 90° 12VDC,5A 200米 3310 GV-DIR-250MW 90° 12VDC,7A 250米 4690 295×235×135mm 330×320×160mm GV-DIR-300MW 90° 12VDC,9A 300米 6310 GV-DIR-350MW 90° 12VDC,9A 350米 8060 GV-DIR-400MW 90° 12VDC,9A 400米 9930 GV-DIR-450MW 90° 12VDC9A 450米 11930 GV-DIR-500MW 90° 12VDC9A 500米 14060   炮筒型红外灯(220V供电) GV-DIR-10F 90° 220VAC,3W, 10米 430 GV-DIR-20F 90° 220VAC,6W 20米 530 GV-DIR-30F 90° 220VAC,6W, 30米 720 GV-DIR-40F 90° 220VAC,7W 40米 920 GV-DIR-50F 90° 220VAC,10W Ø110mm×200mm 50米 1080 GV-DIR-60F 90° 220VAC,12W Ø110mm×200mm 60米 1150 GV-DIR-80F 90° 220VAC,15W, 80米 1260 GV-DIR-100F 90° 220VAC,15W 100米 1450 GV-DIR-120F 45° 220VAC,15W Ø110mm×200mm 120米 1820 GV-DIR-120F 90° 220VAC,20W 120米 2000 GV-DIR-150F 90° 220VAC,20W Ø130mm×250mm 150米 2660 GV-DIR-180F 90° 220VAC,25W 180米 3310 GV-DIR-200F 90° 220VAC,30W Ø150mm×295mm 200米 3810   无红暴红外灯(军事、保密单位专用)   GV-DIR-N10 90° 内置电源220VAC,5W 10米 330 GV-DIR-N20 90° 内置电源220VAC,5W 20米 550 GV-DIR-N30 90° 内置电源220VAC,5W 30米 1020 GV-DIR-N50 90° 内置电源220VAC,6W 50米 1950 GV-DIR-N80 90° 内置电源220VAC,9W 80米 3680 GV-DIR-N100 90° 内置电源220VAC,12W 100米 5600   室外型红外护罩 GV-DIR-C1080 90° 内置电源220VAC,9W 外387×143×110mm内250×90×100mm 80米 1200 GV-DIR-C1100 60° 内置电源220VAC,9W 外387×143×110mm内250×90×100mm 100米 1450           金视 红 外 一 体 机 价 目 表红外半球 GVC-D660 90° 1/4”彩色,SONY 420线,3.6mm 20米 800 GVC-D670 90° 1/3”彩色,SONY 470线,6mm 30米 1050 GVC-D680 90° 1/3”彩色,SONY 480线,6mm 30米 1650   定焦红外一体机 GVC-660   1/4”彩色,SONY 420线,3.6mm 10米 900   GVC-663   1/3”彩色,SONY 420线,6mm 20米 1000 GVC-670   1/3”彩色,SONY 470线,6mm 30米 1100 GVC-680   1/3”彩色,SONY 470线,12mm 50 1450 GVC-F670   1/3”彩色,SONY470线,8mm 80米 2100 GVC-F770   1/3”彩色,SONY470线,12mm 100米 2850 Ø130mm×250mm GVC-F870   1/3”彩色,SONY470线,16mm 150米 3750 Ø150mm×295mm   变焦红外一体机 GVC-F16D 90° 彩色1/4”SONY 480线 22倍 60米 2300 GVC-F22C 90° 彩色 1/3” SONY480线 22倍 80米 2580 GVC-F222C 90° 彩 1/3”SONY22倍480线   Ø130mm×250mm 100米 3180 GVC-F25C 90° 彩色 1/3”SONY 25倍   Ø150mm×295mm 150米 4650   GV-DIR-ZJ   红外灯支架,,1-2只红外灯 92×332mm   90 GV-DIR-ZJ2   红外灯U型支架,侧装两只红外灯用   80  

 

 

什么是有红曝LED红外灯

 

 

 

 

 

LED红外灯分为有红曝和无红曝两类。

      有红曝LED红外灯主要是采用了波长为850nm的红外LED发射管,在通电使用中,在光线比较暗的地方近距离观察,红外灯会发出暗红色的光。

      无红曝LED红外灯主要是采用了波长为940nm的红外led发射管,在通电使用中,红外灯表面没有任何光亮,因此更隐蔽。...

 

 

截至 2006 年 12 月,我国有十余家外延芯片厂商已经装备 MOCVD ,投入生产的总计数量为 40 台。按照各厂商的扩展计划, 2007 年预计另有 15 台 MOCVD 陆续安装投入使用,将使国内的 GaN MOCVD 设备增加到 55 台。

  2006 年国内 LED 芯片市场分布如图 5 所示。 其中 InGaN 芯片市值约占据 43 %, 四元 InGaAlP 芯片市值约占据整个国内 LED 芯片的 15 %;其他种类 LED 芯片的市值约占据 42 %。从国内芯片产值上计算, 2006 年国内 InGaN 芯片产值 4.5 亿元,同期国内 InGaN 芯片需求总产值 25 亿元。国内非 InGaN 芯片(普亮和四元)总产值 6 亿元,同期国内非 InGaN 芯片需求总产值 17 亿元。合计国内芯片市场总需求 42 亿元。

  从国内芯片供需状况来看, 2006 年...

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