使用金锡合金焊接微波功率GaAs MESFET管芯
| 【中文篇名】 | 使用金锡合金焊接微波功率GaAs MESFET管芯 |
| 【作者】 | 段淑兰; |
| 【文献出处】 | 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 1984年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | MESFET; 锡合金; 微波功率; GaAs; 管芯焊接; 焊接管; |
| 【摘要】 | <正> 微波功率GaAsMESFET的结构是在半绝缘砷化镓衬底上外延生长n型薄层砷化镓,然后在其上做源、漏欧姆接触和肖特基势垒栅.我们通过管芯侧面和背面金属化实现了大面积源接地.器件对管芯焊接工艺的基本要求是:(1)低温焊接; (2)导电导热性能良好; (3)可靠性高; (4)成品率高等等.我们曾经试用工艺比较成熟的银浆烧结(烧结温度是370℃),但是发现部分管芯特性变坏和焊接不牢、热阻大、串联电阻大以及工艺重复性差等问题.经过分析,我们认为高的导热率和高的电导率是 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTJ.0.1984-04-008 |
| 【正文快照】 | 微波功率G‘aAsMESFE7’的结构是在半绝缘砷化镓衬底上外延生长扎型薄层砷化镓,然后在其上做源、漏欧姆接触和肖特基势垒栅。我们通过管芯侧面,}Ⅱ背面金属化实现了大面积源接地。器件对管芯焊接工艺的基本要求是:(1)低温焊接; (2)导电导热性能良好; (3)可靠性高; (4)成品率高等等 |
