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RF／Microwave Circuit Design for Wireless Application 原版- Analog ...

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本帖{zh1}由 wadezhu 于 2010-4-5 01:36 编辑

RF／Microwave Circuit Design for Wireless Application
作　　者：（美）罗德（Rohde,U.L），（美）尼科（Newkirk,D.P.）著，刘光祜，张玉兴译
出版社：电子工业出版社
出版时间： 2004-8-1 字　　数： 1248000 版　　次： 1 页　　数： 764
第1章无线电路设计基础
1-1 概述
1-2 系统功能
1-3 无线信道和调制要求
1-3-1 引言
1-3-2 信道冲激响应
1-3-3 多普勒效应
1-3-4 传递函数
1-3-5 信道冲激响应的时间响应和传输函数
1-3-6 研究总结
1-3-7 无线信号举例：GSM中的TDMA系统
1-4 关于比特、符号和波形
1-4-1 引言
1-4-2 数字调制技术基础
1-5 无线系统分析
1-5-1 模拟与数字接收机设计
1-5-2 发射机
1-6 框图组成
1-7 系统性能及其与电路设计的关系
1-7-1 系统噪声和噪声基底
1-7-2 系统幅度和相位特性
1-8 测试
1-8-1 引言
1-8-2 发射和接收质量
1-8-3 基站仿真
1-8-4 GSM
1-8-5 DECT
1-9 C/N或SNR到Eb/N0的变换
第2章有源器件模型
2-1 二极管
2-1-1 大信号二极管模型
2-1-2 混频器和检波二极管
2-1-3 PIN二极管
2-1-4 调谐二极管
2-2 双极型晶体管
2-2-1 晶体管的结构类型
2-2-2 双极型晶体管的大信号性能
2-2-3 正向有源区的大信号晶体管
2-2-4 集电极电压对晶体管正向有源区大信号性能的影响
2-2-5 饱和区及反向有源区
2-2-6 双极型晶体管的小信号模型
2-3 场效应晶体管
2-3-1 JFET的大信号性能
2-3-2 JFET的小信号性能
2-3-3 MOSFET的大信号行为
2-3-4 MOS管饱和区的小信号模型
2-3-5 FET的短沟道效应
2-3-6 MOSFET的小信号模型
2-3-7 GaAs MESFET
2-3-8 小信号GaAs MESFET模型
2-4 有源器件参数的提取
2-4-1 引言
2-4-2 典型的SPICE参数
2-4-3 噪声建模
2-4-4 缩尺器件模型
2-4-5 结论
2-4-6 器件库
2-4-7 在低电压和近夹断电压情况下的一种新的仿真方法
2-4-8 实例：改进BRF193W模型
第3章基于BJT与FET的放大器设计
3-1 放大器的特性
3-1-1 引言
3-1-2 增益
3-1-3 噪声系数（NF）
3-1-4 线性特性
3-1-5 自动增益控制（AGC）
3-1-6 偏置和电源电压与电流（功耗）
3-2 放大器的增益、稳定性和匹配
3-2-1 S参数关系
3-2-2 低噪声放大器
3-2-3 高增益放大器
3-2-4 低电压集电极开路设计
3-2-5 灵活匹配电路
3-3 单级反馈放大器
3-3-1 无损耗或无噪反馈
3-3-2 宽带匹配
3-4 两级放大器
3-5 三级或多级放大器
3-5-1 多级放大器的稳定性
3-6 一种压控调谐滤波器的新方法及其CAD确认
3-6-1 二极管性能
3-6-2 VHF例子
3-6-3 HF/VHF压控滤波器
3-6-4 改善VHF滤波器
3-6-5 总结
3-7 差动放大器
3-8 二倍频器
3-9 有自动增益控制（AGC）的多级放大器
3-10 偏置
3-10-1 RF偏置
3-10-2 直流偏置
3-10-3 集成放大器的直流偏置电路
3-11 推挽/并联放大器
3-12 功率放大器
3-12-1 实例1：输出为7 W的1.6 GHz C类BJT功率放大器
3-12-2 用于射频功率晶体管的阻抗匹配网络
3-12-3 实例2：低噪声分布参数放大器
3-12-4 实例3：用CLY15的1 W放大器
3-12-5 实例4：430 MHz，90 W推挽BJT放大器
3-12-6 能改善线性度的准并联晶体管
3-12-7 分配放大器
3-12-8 功率放大器的稳定性分析
3-13 功率放大器的数据表和厂家推荐的应用
第4章混频器设计
第5章射频无线振荡器
第6章射频频率合成器
附录A HBT高频建模和完整参数的提取
附录B 应用多谐波负载牵引仿真技术进行非线性微波电路设计

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