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　　本文是高亮度蓝色发光二极管开发故事的第三篇。上篇讲述了开发人员中村修二从进入日亚化学工业到选定蓝色发光二极管作为研究课题的过程。本篇将继续讲述中村从着手开始研究到成功地使选定的GaN材料生长出结晶膜的故事。为了研究蓝色发光二极管，首先必须掌握发光层——薄膜的结晶生长技术。为此，中村远赴美国学习，不过在美国则为制造装置浪费了一年时间。回国后他仍继续制造并改造装置。经过长期艰苦的努力，终于取得了初步成果……

　　1988年3月，中村修二怀着激动的心情登上了飞往美国弗罗里达的航班。他将以研究员的身份在弗罗里达大学（University of Florida）学习一年（表1）。



　　去美国做访问研究员的契机，来自中村拜访在德岛大学求学时的校友酒井士朗（现德岛大学教授）的交谈。要制造蓝色发光二极管，必须从形成用于蓝色发光二极管的单晶膜着手。其技术包括MBE法（molecular beam epitaxy，分子束外延）注1）和MOCVD法（metal organic chemical vapor deposition，金属有机物化学气相沉积）注2）。中村毫不犹豫地选择了MOCVD法。原因是MBE装置的价格高达数亿日元，公司根本不可能考虑购置。

注1）MBE（molecular beam epitaxy）法是在底板上生长出单晶膜的方法，属于气相生长法的一种。在对导入高真空中的原子（分子）束进行控制的同时，照射底板，使原子沉积。可称为高精度真空沉积技术。制造使用硅及GaAs等化合物半导体的元件时，需要使用这种技术。

注2）MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）法是在底板上沉积薄膜的CVD（chemical vapor deposition，化学沉积）法的一种。也称为OMCVD（organometal CVD）法。CVD法是将含有沉积物质的气体，或者这种气体与非活性气体的混合气体通入加热后的底板上，使其发生热分解、氧化还原及置换等化学反应，从而在底板上生成或沉积所需物质的方法。其中，原料气体采用有机金属（有机物质直接与金属结合形成的化合物，organometal）的方法称为MOCVD法。在底板上生长出GaAs等化合物半导体单晶膜时，普遍采用这种技术。

　　虽然选择了MOCVD法，但中村却是{dy}次接触这种技术。所以首先需要学习。他决定向当时研究MOCVD法而知名的酒井请教。此时，酒井已决定去弗罗里达大学。他建议中村，“机会难得，一起去吧”。这是求之不得的好机会，但不知公司是否会派自己去。

　　公司肯定不会同意，先向公司申请再说。抱着这种心理，中村决定试一试。于是，他请酒井陪同，向会长和社长说明了自己的想法。出人意料的是，公司当场就决定派他去弗罗里达。

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