高速光耦6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631中文资料

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高速光耦6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631中文资料

常用高速光电耦合器型号：

单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611
双通道： HCPL2630 ， HCPL2631
高速10MBit / s的逻辑门光电

作用：6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631是高速光电耦合器

内部结构框图

6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

                             引脚图

原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。

6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631真值表

真值表 功能（正逻辑） Input 输入
Enable 使能
Output 输出

H
H
L

L
H
H

H
L
H

L
L
H

H
NC
L

L
NC
H

高速光耦6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631参数

{jd1}{zd0}额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：

Symbol 符号
Parameter 参数
Value 数值
Units 单位

TSTG
Storage Temperature 贮藏温度
-55 to +125
℃

TOPR
Operating Temperature 操作温度
-40 to +85
℃

TSOL
Lead Solder Temperature 焊料温度
260 for 10 sec
℃

EMITTER 发送端

IF
DC/Average Forward 直流/平均正向
单通道
50
mA

Input Current 输入电流
双通道(每通道)
30

VE
Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV
单通道
5.5
V

VR
Reverse Input Voltage 反向输入电压
每个通道
5.0
V

PI
Power Dissipation 功耗
单通道
100
mW

双通道(每通道)
45

DETECTOR 接收端

VCC (1 minute max)
Supply Voltage 电源电压
　
7.0
V

IO
Output Current 输出电流
单通道
50
mA

双通道(每通道)
50

VO
Output Voltage 输出电压
每个通道
7.0
V

PO
Collector Output 集电极输出
单通道
85
mW

Power Dissipation 功耗
双通道(每通道)
60

建议操作条件： Symbol 符号
Parameter 参数
最小
{zd0}
Units单位

IFL
Input Current, Low Level 输入电流，低电平
0
250
μA

IFH
Input Current, High Level 输入电流，高电平
*6.3
15
mA

VCC
Supply Voltage, Output 供电电压，输出
4.5
5.5
V

VEL
Enable Voltage, Low Level 使能电压，低电平
0
0.8
V

VEH
Enable Voltage, High Level 使能电压，高电平
2.0
VCC
V

TA
工作温度范围
-40
+85
℃

N
Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)
　
8
　

电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定） 单独的组件特征： Symbol 符号
Parameter 参数
测试条件
最小
典型
{zd0}
单位

VF
Input Forward Voltage输入正向电压
IF = 10mA
　
　
　
1.8
V

TA=25℃
　
1.4
1.75

BVR
Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压
IR = 10μA
5.0
　
　
V

CIN
Input Capacitance 输入电容
VF = 0, f = 1MHz
　
60
　
pF

ΔVF / ΔTA
Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数
IF = 10mA
　
-1.4
　
mV/℃

DETECTOR 接收端

ICCH
High Level Supply Current高电源电流
VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V
单通道
　
7
10
mA

双通道
　
10
15

ICCL
Low Level Supply Current 低电平电源电流
单通道
VCC=5.5V, IF = 10mA
　
9
13
mA

双通道
VE = 0.5V
　
14
21

IEL
Low Level Enable Current 低电平使能电流
VCC = 5.5V, VE = 0.5V
　
-0.8
-1.6
mA

IEH
High Level Enable Current 高电平使能电流
VCC = 5.5V, VE = 2.0V
　
-0.6
-1.6
mA

VEH
High Level Enable Voltage 高电平使能电压
VCC = 5.5V, IF = 10mA
2.0
　
　
V

VEL
Low Level Enable Voltage 低电平使能电压
VCC = 5.5V, IF = 10mA(3)
　
　
0.8
V

开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明)： Symbol 符号
AC Characteristics交流特性
测试条件
最小
典型
{zd0}
单位

TPHH
Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出
RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12)
TA=25℃
20
45
75
ns

　
　
　
100

TPHL
Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出
TA = 25℃(5)
25
45
75
ns 　

RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)
　
　
100

|TPHL

TPLH|
Pulse Width Distortion 脉宽失真
(RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)
　
3
35
ns

tr
Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 ％ )
RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12)
　
50
　
ns

tf
Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 ％ )
RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12)
　
12
　
ns

tELH
Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13)
　
20
　
ns

tEHL
Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13)
　
20
　
ns

|CMH|
Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)
TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14)
6N137, HCPL2630
　
10,000
　
V/μs

HCPL2601, HCPL2631
5000
10,000
　

|VCM| = 400V
HCPL2611
10,000
15,000
　
V/μs

|CML|
Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)
RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14)
6N137, HCPL2630
　
10,000
　

HCPL2601, HCPL2631
5000
10,000
　

|VCM| = 400V
HCPL2611
10,000
15,000
　

电气特性（续） 转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明) Symbol 符号
DC Characteristics 直流特性
测试条件
最小
典型
{zd0}
Unit 单位

IOH
HIGH Level Output Current 高输出电流
VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2)
　
　
100
μA

VOL
LOW Level Output Current 低电平输出电流
VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2)
　
.35
0.6
V

IFT
Input Threshold Current 输入阈值电流
VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA
　
3
5
mA

隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃ ，除非另有说明. ）： Symbol 符号
Characteristics 特性
测试条件
最小
典型
{zd0}
Unit 单位

II-O
Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流
相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12)
　
　
1.0*
μA

VISO
Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)
RH < 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12)
2500
　
　
VRMS

RI-O
Resistance (Input to Output)电阻(输入输出
VI-O = 500V(12)
　
1012
　
Ω

CI-O
Capacitance (Input to Output)电容(输入输出)
f = 1MHz(12)
　
0.6
　
pF

波形图

                     测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf

                     测试电路tEHL和tELH

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