在北方，春冬季节人工育雏过程中的保温工作十分重要。本例介绍的育雏温控器，能自动监测控制育雏室内的温度，提高育雏的成活率。

　　电路工作原理

　　该育雏温控器电路由电源电路和温度检测控制电路组成，如图所示。

　　电源电路由电源变压器T、整流桥堆UR、滤波电容器C1、C2和三端稳压集成电路IC1组成。

　　温度检测控制电路由晶体管V1、V2、电阻器R1～R3、电位器RP、电容器C3、二极管VD、运算放大器集成电路IC2、继电器Κ和加热器EH组成。

　　交流220V电压经T降压、UR整流、C1滤波、IC1稳压后，为温度检测控制电路提供＋6V工作电源。

　　V1作为温度传感器，用来检测育雏室内的温度。V1的导通内阻随着温度的变化而改变，当温度上升时，V1的导通内阻下降，当温度下降时，V1的导通内阻增大，当育雏室内温度低于BP设定的温度值时，V1的导通内阻较大，使IC2的2脚电压（反相输入端）低于3脚（正相输入端）电压，IC2的1脚输出高电平，V2饱和导通，K通电吸合，加热器EH通电开始加温。

　　随着温度的上升，V1的内阻逐渐下降，IC2的2脚电压也逐渐升高。当育雏室内的温度超过RP的设定温度时，IC2的1脚输出低电平，V2截止，K释放，EH断电而停止加温。随后育雏室内温度开始缓慢下降。当温度降至RP的设定温度以下时，IC2的1脚又输出高电平，V2又饱和导通，K通电吸合，EH又通电工作。

　　以上工作过程周而复始，使育雏室内温度恒定为RP的设定温度（控制温度误差为±1℃）。

　　元器件选择

　　R1～R3选用1／4W金属膜电阻器或碳膜电阻器。

　　C1和C2均选用耐压值为16V的铝电解电容器；C3选用独石电容器或涤纶电容器。

　　VD选用1N4001或1N4007型硅整流二极管。

　　UR选用1A、50V的整流桥堆。

　　V1选用3AX31型锗PNP晶体管；V2选用58050型硅NPN晶体管。

　　IC1选用LM7806型三端稳压集成电路：IC2选用LM324型运放集成电路。

　　T选用3～5W、二次电压为9V的电源变压器。

　　K选用JRX-13F型6V直流继电器。

　　EH应根据育雏室内的大小来合理选用，育雏室面积较大，可使用800～3000W的电暖器；若使用纸箱等制作的小型育雏器，则可使用25～40W的白炽灯泡（用小金属盒将灯泡罩起来，并固定在育雏器的中央，金属盒的四周应打若干个透光孔）。

　　欢迎转载,信息来自维库电子市场网（）

电源电路由电源变压器T、整流二极管VD1～VD4、电阻器R1与R2、电源指示发光二极管VL1、滤波电容器C1和稳压二极管VS等组成。

　　温度检测与控制电路由热敏电阻器RT、时基集成电路IC、电位器RP1～RP4、电阻器R3与M和电容器C2～C4组成。

　　图 温度控制器电路

　　控制执行电路由继电器K1、发光二极管VL2、二极管VD5、交流接触器KM和电热器EH组成。

　　交流220V电压经T降压、VD1～VD4整流、RI限流、C1滤波及vs稳压后，产生12V（Vcc）直流电压，作为IC的工作电源。同时，经R2限流降压后将VL1点亮。

　　IC的6脚为基准电压端，2脚为温度检测控制端，3脚为控制输出端。

　　RP1用来设定温度的下限值，RP2用来设定温度的上限值。

　　在受控场所的环境温度低于受控温度的下限值时，IC的3脚输出高电平，使VL2点亮，继电器Κ和交流接触器KM吸合，电热器EH通电开始加热。RT的阻值随着温度的上升而下降，当环境温度上升时，RT的阻值变小，使IC的2脚、6脚电压升高。当温度达到设定的上限值，IC的6脚电压将高于2 Vcc／3时，3脚输出低电平，VL2熄灭，K和KM释放，EH断电停止加热。随后受控场所的环境温度又开始逐渐下降，IC的2脚、6脚电压也开始下降。当温度降至设定温度的下限值、IC的2脚电压低于Vcc／3时，IC的3脚又输出高电平，使VL2点亮，K和KM又吸合，EH通电工作。如此周而复始，使受控场所的环境温度维持在设定的温度范围内。

　　元器件选择

　　R1～R4选用1／4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。

　　RP1和RP2均选用多圈高精度电位器；RP3和RP4均选用膜式可变电阻器。

　　RT选用负温度系数的热敏电阻器。

　　C1选用耐压值为25V的铝电解电容器；C2～C4选用独石电容器或涤纶电容器。

　　VD1～VD4均选用1N4007型硅整流二极管；VD5选用1N4148型硅开关二极管。

　　VS选用1W、12V硅稳压二极管。

　　VL1和VL2均选用φ5mm的发光二极管，VL1选红色，VL2选绿色。

　　IC选用NE555时基集成电路。

　　K选用12V直流继电器。

　　KM选用线圈电压为220V的交流接触器，其触头电流容量应根据EH的实际功率来选择。