GaAs场效应晶体管及其单片集成电路
| 【中文篇名】 | GaAs场效应晶体管及其单片集成电路 |
| 【作者】 | 盛柏桢; |
| 【文献出处】 | 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 1984年 02期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 半绝缘GaAs; 功率GaAs; FET放大器; 微波单片集成电路; 栅宽; 栅长; GaAs场效应晶体管; 低噪声; 双栅FET; 噪声系数; |
| 【摘要】 | <正> GaAs FET是一种多用途的器件,可在C波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器、混频器、限幅器、倍频器、鉴频器、上变频器、相移器、可变增益放大器和微波开关等应用.GaAs场效应器件由于具有频带宽、噪声低、线性好等优点.它不仅用于空间工程、军事装备,而且也广泛用于科学研究、工农业、医疗以及家用电器等各个领域和部门.GaAs工艺的突飞猛进和GaAs FET水平的不断提高为发展微波单片集成电路奠定了良好的基础.最近几年来,国外许多大公司和实验室都研制成功了各种微波单片集成电路,这也 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTJ.0.1984-02-016 |
| 【正文快照】 | 一、前 言 GaAs FET是一种多用途的器件,可在c波段到Ku波段内作微波低噪声放大器、微波大功率放大器、振荡器.混频器、限幅器、倍频器、鉴频器、上变频器、相移器、可变增益放大器和微波开关等应用。GaAs场效应器件由于具有频带宽、噪声低、线性好等优点。它不仅用于空间工程. |
