内存是什么

内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。

　　SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。
　　DRAM的应用比SRAM要广泛多了。DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。目前，随着PC机的不断发展，我们对于系统内存的要求越来越大，随着WindowXP的推出，软件对于内存的依赖更加明显：在WindowsXP中，专业版至少需要180MB内存以上，而在实际使用中，128MB才能保证系统正常运行。因此，随着PC的发展，内存的容量将不断扩大，速度也会不断提升。
　　好了，下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度，决定于你选用CPU的前端总线，例如你用的是Pentium 4A那你用双通道的DDR200或者DDR400就已经足够了~因为P4A的前端总线是400MHz，但是由于内存厂商的市场策略问题，DDR200基本就没有出货。取而代之的是DDR266能够提供2.1GB的带宽，此种内存适用于Athlon XP低频、毒龙以及533MHz FSB Pentium 4B等半过时产品（需搭配双通道），已经不在主流市场之内。
　　DDR333能够提供2.7GB的内存带宽适用于AMD 166MHz外频的Barton处理器。而双通道的DDR400内存以及DDR433 DDR450内存将能够提供6.4GB以上的内存带宽，主要应用在Intelxx的Pentium 4C、Pentium 4E（Prescott核心）以及Athlon 64上面。当然，上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的{zd1}要求，如果您拥有一颗像毒龙1.6GHz、Athlon XP 1800+（b0 1.5V低压版）、Pentium 4 1.8A、AthlonXP 2000+Pentium 4 2.4C以及Barton 2500+这样具有{jp}超频潜力的CPU那么我推荐您购买xx次的内存，例如Athlon 2000+配合DDR333的内存，这样基本所有的Barton 2000+都可以超到2500+使用，市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。
　　在Windows XP系统的实际应用中，我们提出一个不规范的公式 内存容量〉内存速度〉内存类型。也就是说就算是256M的SDRAM也要比128M的DDR400系统速度快，在选购内存的时候，我们建议XP系统应该配备384M以上的内存，才能保证系统的快速运行。
金手指（connecting finger）

是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年xx始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。

什么是双通道内存

双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的{zd0}亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，{zh1}被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865/875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。

　　双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400/533/800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266/333/400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。
　　NVIDIA推出的nForce芯片组是{dy}个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存xx不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。
　　普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是xx一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到{zd1}的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。
　　支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P/865G/865GV/865PE/875P以及之后的915/925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。
什么是内存频率内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的{zg}工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存{zg}能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率室333MHz和400MHz的DDR内存，以及533MHz和667MHz的DDR2内存。
　　大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
　　DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。
　　内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel 910GL芯片组，仅仅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR 266、工作频率为166MHz的DDR 333和工作频率为200MHz的DDR 400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR 400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR 600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR 500(某些{jp}内存可以达到)，而后者更是只有DDR 400(xx是正常的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。
　　目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。
什么是DDR2内存DDR 和DDR2的区分并不是用频率的赫兹数来区分的，下面看看这个关于DDR2的报道：
　　一、DDR2简介
　　DDR2是由JEDEC( JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。)定义的全新的下一代DDR内存技术标准，将在intel下一代BTX规格的代号Alderwood的i915P芯片组和代号Grantsdale的i925X芯片组中被完整支持。AMD方面还没有正式宣布下一代芯片组是否完整支持DDR2。
　　二、DDR2技术规格
　　DDR2内存起始频率将从DDR内存{zg}标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，xx不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准，这就意味着，现有所有DDR标准接口的主板，无法使用DDR2内存。这将成为DDR2内存标准普及的一大障碍，幸而INTEL下一代平台将完整支持240PIN的DDR2接口，给DDR2在2005年的普及打下了基础。相信大家都已经看见，市面上已经推出多款采用DDR2显存的显卡产品。然而，应用再显卡上的DDR2内存生产标准与方式是与桌面系统应用上的DDR2技术截然不同的，再次篇文章暂不作详细分辨，不过大家要清楚为什么显卡上已经可以大量应用而桌面系统还不行。DDR2内存技术相对于上一代标准DDR技术，用简单明了的方式来说，虽然DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是{zd0}的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取.两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，众看官时看到此处，是否已经明白了什么，认为为此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。那么笔者告诉您，DDR2 400Mhz 同样命名为PC3200，请继续看下去，为什么呢？ DDR2内存技术{zd0}的突破点其实不在于看官们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。看起来，这似乎更神奇，突破{zg}频率限制，竟然还能降低发热量和功耗？虽然DDR2技术还采用了几种全新技术配合完整以上能力，然而关键还在于4BIT的预读取能力,笔者将带大家一步步看来。
　　三、DDR2频率与带宽
　　下表列出了已经发布的三种DDR2内存标准的频率与带宽，值得注意的是，DDR2 400Mhz 与DDR400Mhz 的所拥有的带宽是一样的3.2GB. 还有，在双通道内存技术的辅助下，667MHZ的DDR2将{zg}提供10.6GB/S的惊人带宽！
　　DDR2内存起始容量为256MB，往上可支持到512MB,1G。在桌面系统上提供了充足的容量保障。理论上DDR2内存颗粒所拥有的高密度特色，可以支持{zg}4G以上的容量，从而广泛应用于专业领域。更也许会在未来几年内，给PC系统带来nGB级的超级容量。
　　DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP, TSOP-II封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。目前应用再显卡上的DDR2内存颗粒也全部采用的FBGA封装模式。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的，同样也让DDR2内存更适应与笔记本与膝上电脑。既然能以这么低的电压工作，是如何实现频率提升的呢？
　　四、DDR2工作原理
　　大家都知道，内存基本工作步骤分为：从系统预读数据--保存在内存单元队列--传输到内存I/O缓存--传输到CPU系统处理。
　　DDR内存采用200MHZ的核心频率，通过两条路线同步传输到I/O缓存，实现400MHZ的是实际频率。
　　DDR2采用100MHZ的核心频率，通过四条传输路线同步传输至I/O缓存，同样实现400MHZ的实际频率。正是因为DDR2可以预读4BIT数据，所以，可以采用四路传输，而由于DDR只能预读2BIT数据，则只能采用200MHZ的两条传输线路实现400MHZ。这样，DDR2就xx实现了在不降低总频率的情况下，将核心频率降低到100MHZ，从而很轻松能够实现更小散热量，更低电压要求。而且，核心频率可以进一步提升，从而实现133*4 ，166*4 ，{zd0}200*4达到800MHZ的程度。然而，大家都知道，更低的内存延迟，能带来更高的性能，然后，在DDR2中，为了保证4路传输的稳定流畅性，避开电气干扰与数据冲突，采用了稍大于DDR的延迟设定。

如何设置虚拟内存大小

　1、右击“我的电脑”，点击“属性—>高级”，如下图所示：

　2、点击“性能（设置）—>高级”，然后再点击“虚拟内存（更改）—>自定义大小（设置）”，如图所示：
　　
　　根据你物理内存的大小设置为物理内存数值的1.5或2倍大小就行了。一般利用系统的默认大小就可以，要是系统经常提示你虚拟内存小，那你可以把数值设大一点，也不要太大，还要看你系统盘的剩余容量。
　　当然，你也可以把分页文件“虚拟内存”转移到其他分区，点你要设置的分区，假如你想把分页文件转移到“D”盘，就点“D”，设置好虚拟内存的数值后点“确定”就行了（需要重新启动）。
DDR2与DDR的区别
　　与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
　　DDR2与DDR的区别示意图
　　与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
　　然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
　　DDR2的定义
　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准{zd0}的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从{dy}代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，{dy}代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel{zx1}处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
　　DDR2与DDR的区别
　　在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
　　1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
　　2、封装和发热量：DDR2内存技术{zd0}的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
　　DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
　　DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
　　DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证{zj0}的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了{zj0}的信号品质，这是DDR不能比拟的。
　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

识别真假内存的方法和技巧
由于种种原因，内存假冒伪劣现象有盛行的趋势。我们怎么才能买到品质优秀的内存呢？那就需要我们有一双“火眼金睛”……本文将着重于市面上流行的SDRAM展开讨论。

　　一、怎样从芯片编号识别内存
　　当你见到一条陌生的内存时，怎样知道它的容量、速度、生产日期等重要参数呢？我们暂以三星内存为例：
　　首先，模块容量有：16Mbit、64Mbit、128Mbit、256Mbit。
　　编号：KMXXXXXXXXXXX-XXX
　　123456789101112
　　1、KM表示三星内存
　　2、RAM的种类，4=DRAM
　　3、内存芯片组成：4=x4、8=x8、16=x16
　　4、S=SDRAM
　　5、内存芯片密度：1=1M、2=2M、4=4M、8=8M、16=16M
　　6、刷新：0=4K、1=2K、2=8K
　　7、内存排数：2=2排、3=4排
　　8、内存接口：0=LVTTL、1=SSTL
　　9、内存版本：空白=第1代、A=第2代、B=第3代
　　10、封装类型：T=TSOPII(400mil)
　　11、电源供应：G=自动刷新、F=低电压自动刷新
　　12、最少存取周期({zg}频率)：7=7ns(143MHz)、8=8ns(125MHz)、10=10ns(100MHz)、值为2、值为3
我们解释一下。KM416S16230A-G10指的是三星16M*16=256MbitSDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。其它品牌的内存，也可以大致以此类推……

　　二、什么是真正的PC-100？
　　之后，我们要明白一些原理。在100MHz总线大行其道的今天，选择一根高品质的内存来搭配系统可以有效地提高系统的性能和稳定性。现在市场上普通10ns内存与PC-100内存的差价不大，我们既然花了不小的一笔投资选择了100MHz系统，我想没有必要为了省几十元而去牺牲性能，特别是想超100MHz以上的朋友。但是现在市场上标称PC-100的内存并不都是“真正的”PC-100内存，作为消费者我们应该如何识别呢？
　　首先我们必须明确，PC-100内存并非10ns内存芯片加上SPD，尽管10ns内存也能跑100MHz外频。PC-100规范是Intel为了配合其推出的BX芯片组，使计算机的各个配件能在100MHz总线速度下稳定有效地工作而制订的一套准则，现已得到所有主要PC配件生产厂商的支持。在这个规范中，对于内存芯片除了要求时钟周期(ClockCycleTime)不大于10ns外，还有许多其它的要求，例如存取时间(AccessTimefromClock)不大于6ns、CASLatency为2或3等。只有xx符合IntelPC-100规范的内存才是“真正的”PC-100内存。这里需要纠正一个观点，有人认为当主板时钟频率设置在100MHz下，并且在主板的BIOS选项中CAS设置为2时能稳定地与主板外频(100MHz)同步工作的SDRAM才是真正的PC-100SDRAM。其实在100MHz外频下，CAS为3也是符合PC-100规范的，况且CAS为2时仅比CAS为3时性能提高百分之几，可以不必太在意。
　　三、实践性的鉴别方法
　　实践是检验真理的{wy}标准。要想正确识别内存，最关键的就是要去多看、多问。先说制作工艺。个别不法之徒，竟将一些“垃圾”板上的芯片进行重新组装。这种劣质内存条，不仅印刷电路板的薄厚各不相同，而且做工粗糙，边缘不整齐，有时还带有毛刺，芯片的焊点和印刷字样特别模糊、粗糙。购买者一旦发现内存条是由不同型号(或不同厂商、不同速度、不同日期)芯片的组合而成，那么它必定是伪劣产品无疑。这些内存的质量不过关，稍微仔细就能辨认。
　　再说Remark。所谓Remark，就是打磨芯片上的产品标识，让低速产品穿上高速的外衣。不用说，频率一高，自然露马脚。现在很多不法加工商，他们xx的水平很高，很难用肉眼非出真伪，不过您可以让产品跑在标称的频率之上，劣质内存是经不起这种考验的。
　　{zh1}再说说价格。价格是伪劣品的{wy}竞争优势，所以您在购买的时候，千万不要图便宜(呵呵，当然，也{zh0}不要被高价奸商“宰”呦)。电子产品就是这样，一分钱一份货。在中关村、深圳赛格这样的市场里，价格竞争近乎白热化，一种规格、容量的内存，价差很少超过10元钱。您要是发现两个地方卖的内存差着好几十块，那么便宜的那个……哼哼，八成有问题。

物理内存、虚拟内存及其区别

简单的说，物理内存是真正的内存，基本就是内存条上的内存。而虚拟内存是为了满足系统对超出物理内存容量的需求时在外存（如硬盘）上开辟的存储空间。由于虚拟内存其实是放在外存上，因而与物理内存相比读写速度都非常慢。

　　关于可用物理内存的问题：由于系统要占用一部分物理内存，因此可用的物理内存必然比总的物理内存少。至于多少是正常的，可以参考干净的系统进行比较。
　　简单来讲就是文件数据交叉链接的活动文件。是WINDOWS目录下的一个"WIN386.SWP"文件,这个文件会不断地扩大和自动缩小。虚拟内存有如像CPU的L1和L2缓存和硬盘的512K-2M缓存。具体分析来讲如果电脑只有64M物理内存的话，当读取一个为100M的可执行文件时，就必须要用到比较大虚拟内存，文件先会被内存读取之后就会先储存到虚拟内存，等待内存把文件全部储存到虚拟内存之后，跟住就会把虚拟内里储存的文件释放到原来的安装目录里了。
　　只要把虚拟内存放到另一个盘就是{zh0}的！
　　在使用方面，首先我认为把虚拟内存放到另一个盘里可以减少磁盘的碎片，在磁盘整理方面更加充分，如果只用WIN98自己管理虚拟内的话，可以仔细看看在WIN98下的磁盘碎片整理过程中会出现好多不能移动的文件，是白红色的，其实那些就是虚拟内存的文件。因为WIN98在使用完虚拟内存之后没有及时得到释放，先会表现成这样的。如果你把虚拟内存设置到另一个盘，同时把WINDOWS目录里的WIN386.SWP的文件删除，再做一次磁盘碎片整理，你会发现那些白红色的文件会少了很多。另一个好处就是可以减少文件在交换时产生的磁盘碎片，例如把c:先做一次xx整理之后你再把C:里的文件又删又重装3-4次，再用一次磁盘碎片整理会快很多。从比较来看物理内存越大虚拟内存越少，性能就会越好。
　　设置虚拟内存的{zj0}方法
　　首先讲讲WIN98应如何设置虚拟内存，如果只有64M物理内存的话就设置为160虚拟内存，128M物理内存的就设置250M虚拟内存，如果是256物理内存就虚拟128M虚拟内存（主要是看你使用什么软件如果是3DSMAX4.0或PHOTOSHOP6.01的话绝无问题。)，如果是以打机为主可以设为80M虚拟内存，如果是384-512物理内存的话可以虚拟32-64M虚拟内存。WIN98{zh0}物理内存不要超过512M，因为在WIN98系统中内存越大性能就会有所下降，因为WIN98能充分使用内存只是在24M以下可以充分使用。加上WIN98系统中内存越大就会另到CPU内存寻址时间越长从而使性能下降。
　　WIN2000和XP虚拟内存的设置，建议这两操作系统{zh0}是CPU达1G和物理内存是256M，7200转2M缓存的硬盘，因为WIN2000和XP在内存使用方面不同WIN98，物理内存越大性能就越高。{zh0}就是有512N-1G的内存。具体设置，如果只有64M物理内存的话就设置200M虚拟内存，128M物理内存就设为250M虚拟内存，如果是256M物理内存（只做服务器用的就虚拟16M-32M虚拟内存，而3DSMAX或PHOTOSHOP6.01的话可以设为60M-120M虚拟内存）。如果是512M-1G或以上的物理内存就设为16-32M虚拟内存。在WIN2000和WINXP能够充分地使用物理内存。
　　【注意】如果是C:是操作系统盘的话就把虚拟内存放到D:到，{zh0}就是D:首先必需要是个空盘。如果是双硬盘的话{zh0}把虚拟内存设置到从盘。磁盘碎片整理如果是WIN98{zh0}是使用WINME里的DEFRAG.EXE移植到WIN98文件夹WINDOWS里，直接覆盖就行了，还有把WINDOWS目录下的APPLOG删除它是一个隐藏的文件。或者使用第三方软件，如VOPTME、诺顿的SPEEDDISK。如果是WIN2000和WINXP{zh0}是使用本身自带的磁盘碎片整理，第三方软件就用Diskeeper、诺顿的SPEEDDISK。如果出现了内存不足的情况下可以再把虚拟内存调大些。还有的就是记住{zh0}不要禁用虚拟内存，最少都要设置2M-4M虚拟内存否则会有一些软件是不能使用或出错的。经过这些优化后性能一定会有提升。
识别真伪宇瞻内存Apacer宇瞻电子及产品近几年来在亚太地区，特别是内地市场，无论占有率或品牌知名度均有大幅的增长，并已成为高品质内存模块的xxxx。针对仿冒的内存模块，宇瞻增加防伪辨识新方法，教导消费者如何辨识真伪内存模块，让顾客能安心购买到真的宇瞻产品。
　　宇瞻电子总经理何宏能表示：“经过这几年的努力，宇瞻在国内正以飞快的速度成长。一向重视消费者需求与坚持优良品质的宇瞻，除获得媒体所颁的各种奖项外，也获得了消费者的支持。目前市场上备受瞩目与好评的宇瞻内存模块产品，全系列产品讲求高品质、高效能、高稳定，坚持{bfb}采用原厂颗粒，从选料、制造、品管到服务，以{zy}的xxx给予消费者{zj0}的产品与质保服务。”因此，消费者在购买宇瞻内存模块产品前，请稍加留意辨识，以确保得到所有宇瞻产品所应有的产品与售后质保服务。
　　
　　
　　宇瞻电子提醒消费者，真正原厂的内存模块必须同时具备以下要件，缺一不可：
　　（一） 产品上贴有Apacer商标的条形码贴纸 –如图一右上角贴纸；
　　（二）内存模块的电路板上，印有Apacer商标及板号（专属编码规则） – 如图一 左右两侧红色圈选部分；
　　（三）内存模块背面贴有防伪标签，仅需括除涂料，上网登陆序号即可查真伪 – 如图二 右上角标签。
　　此外，于包装上提供多样化颜色及附有数字编码的易撕标贴 – 如图三 中间标贴，且不定时更改编码原则，杜绝防冒者有机可趁。消费者在购买宇瞻内存模块产品前，可依照以上方式辨认，以确保自身权益，免于购买到假货。宇瞻并于网站 提供防伪登录，以最直接与便利的方式提供消费者快速辨识真伪的服务，消费者只需进入宇瞻网站，依照所列的简单指示，即可轻松确认其购买产品是否为真品。
　　近期内宇瞻除了将在产品上提升防伪措施，亦将加强经销商对Apacer产品真伪辨识的训练与宣导，由宇瞻授权之经销商与零售商所购买的产品必可保证是真品，让消费者能买的安心、用的放心，并能享受宇瞻产品的售后质保服务。
如何调整DDR内存参数同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为 “520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。
　　基本参数介绍
　　目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不xx一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。
　　CL
　　CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的{zj0}值是2。
　　
　　从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
　　RAS与CAS
　　内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写{dy}个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。

Tras

　　内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR内存而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。
　　
　　总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。在很多超频报告中，一般会说明内存参数为X-X-X-X，例如3-4-4-8，就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3，RAS to CAS=4，RAS Precharge=4，Tras=8。
　　Command Rate
　　K8处理器的出现使得内存控制器{dy}次被整合进了CPU，其控制能力也得到了{zd0}化加强。这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开，最引人注目的就是“首命令延迟” Command Rate。DDR内存在寻址时，先要接收CPU的指令，然后才是行xx与列地址的选择。这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间（此时间过后就是CL延迟），单位是时钟周期T。很显然，这个等待时间是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。至于Command Rate对系统性能能产生多大的影响，我们会在后面进行详细的对比测试。
　　为了帮助初涉超频的玩家尽快熟悉超频内存要用到的参数，我们以G.SKILL 1GB GH内存参数设置为例进行讲解，希望能给大家在超频过程中带来些许帮助。
　　
　　测试选用了NF4平台，主板为DFI Lanparty NF4-D。LanParty系列是DFI专为超频玩家打造的主板，可谓K8平台超频最强板。而Opteron146 采用90nm的工艺制程，大多在风冷状态下达到2.8G堪比AMD单核{wz}FX57。性能自不用说，DFI主板的品质也是十分有保证的，这种组合可以保证测试的稳定性。
下面我们来看下这次测试的主角――G.SKILL 1GB GH 512MB×2双通道包装采用华邦UTT颗粒，在默认2.7V～2.9V的超低电压下有着默认DDR400 2-2-2-5的低延迟的时续。
　　

　　启动进BIOS后，首先要调节HyperTransport（下文简称HT）频率，HT频率与CPU频率类似，分为倍频和外频两部分。HT总被很多人误解成系统总线FSB，所以不少人总是希望能够尽可能的把HT超至一个比较高的状态。HT超频对于性能的影响微不足道，而且HT频率的提高会影响整个超频的成败。事实上许多超频失败的情况，都是由于在超频时没有降低HT倍频造成的。
　　
　　

为了超频的稳定，我们首先将HT倍频降为x3，C&Q关闭，CPU电压请根据体质设定为1.450v，内存电压加至3.3v，“DRAM+03V If it’s not 3.2V”设为Enabled。高压是BH5/UTT颗粒独有的特性，你不用担心3.3v会太高，这才是刚刚起步。电压对内存超频至关重要，很多时候并不是越高越好，有时候甚至是违反常理的。比如早期的BH5在2-2-2-5 4V可以稳定运行所有测试软件，而近期的UTT加到3.9v反而不能进系统，这些只有自己多试验才会发现。BH5/UTT推荐3.3v～3.6v电压，BH5上限可到4v，UTT略低为3.8v。超频过程中请做好内存散热，以烧毁硬件设备,而且不建议在高电压下长期超频运行。

　　CPC Enable这个参数就是大家所说的Command Rate 1T。Tcl 2对于其他颗粒来说，放宽会达到更好的稳定性以求更高的频率，而BH5/UTT颗粒设为3会导致无法开机；Trcd 2、Tras 5、Trp 2、Tref Auto，上述为BH5/UTT的标准设置。如果这样可以稳定的话，我们还可以把Trfc进一步调低，BH5/UTT{zd1}为12，设置为15会更加稳定，这个参数对SuperPI的影响很大。此外，没有提到的参数请不要擅自改动。
　　DRAM Drive Strength跟DRAM Data Drive Strength这两个参数对稳定性至关重要，BH5/UTT的话用5或3是稳定的。接下来是Max Async Latency，这又是一个重要的参数，对稳定性跟性能影响比较大，放宽这个参数会比较稳定，但影响性能，一般保守用8，不稳定的话用9，最紧是7。Read Preamble Time也是个非常重要的参数，保守设5.5，最小是4（比较难跑），放宽这个参数会得到立杆见影的效果，不过性能下降也是相当可怕的。另外，不要盲目的把read premable和max async time调得太紧，反而会影响效能。IdleCycle Limit用256，稳定的话用16，以8和16为{zj0}。Dynamic Counter用Enable。两个Bypass使用16x 7x，最紧8x 4x。32 Byte Granulation这个参数对频率和性能的影响很明显，有时甚至会超过Command Rate，有些卖家在销售“保超”条的时候会将此值设为Enable，以牺牲性能换取频率的提升。
　　
　　经过一番调校，内存性能可以提高多少呢？下面就是运行SuperPi超频后的性能表现。
　　Opteron 146 OC 2.7G，如果内存异步运行DDR400默认设置，运行1M SuperPi用时为34s。如果优化内存参数到DDR540 2-2-2-2 Trc=7 Idle Cycle Limit=16，运行Super PI 1M位会30s。

测试均未对系统做任何改动，对操作系统精通的老手经过进一步的系统优化会跑出更高的效能。上述参数为笔者多次调校总结，希望会给有BH5/UTT的玩家在超频带来帮助。

　　可能有朋友会问了，这提升的4s能起到多大作用？对日常应用会有明显改善么？呵呵，刚才可能有一点忘了说，就是小参的调节主要用于极限超频，是玩家挑战记录时才会用的手法。如果时日常的超频，以追求稳定性、xxx为主的超频，那么小参可以根本不用理会，只要调节基参就好了。
　　
　　关于每个小参的选项意义，下面用表格来系统整理一下：
　　

看到这里有些玩家会抱怨：我没有DFI主板，那该怎么调内存参数呀！

　　没关系，由于A64的内存控制器是集成进CPU内部的，所以就可以使用通用软件对其进行调节。A64 Tweaker就是这样的一款软件，由世界最强超频网站XTREMESYSTEMS.ORG开发，能对内存延迟、时序及功能选项加以全面调节，有些功能甚至超过了DFI的BIOS。
　　此款软件的选项命名与DFI主板BIOS十分相似，对于稍有经验的超频玩家来说。上手并不困难。此外，它还支持实时参数调试，这就省去了频繁重启保存BIOS的麻烦。但A64 Tweaker有时会出现假死的现象，为了弥补这个bug，XTREMESYSTEMS.ORG近期又推出了a64info软件。
　　
　　

A64info在内存调试原理上与A64TWEAKER一样，但其加入的CPU信息检测和频率计算功能却是前代软件所不具备的。在项目上，TREF与DFI BIOS中的设定值相同，而且还能在系统中调整DATA DRIVE STRENGTH。针对Intel平台，也有专门的内存参数调节软件MemSet。

　　MemSet软件可用在Intel支持双通道内存的主板上，从865到975X均能使用。其中的参数虽没有K8平台全面，但也足够超频玩家使用。近期“酷睿”的SuperPI超频纪录就都是在MemSet软件的辅佐下达到的。
　　

Windows技巧 系统虚拟内存知多少

　虚拟内存的概念是相对于物理内存而言的，当系统的物理内存空间入不敷出时，操作系统便会在硬盘上开辟一块磁盘空间当做内存使用，这部分硬盘空间就叫虚拟内存。

　　Windows 98中采用Win386.swp文件的形式，而Windows 2000/XP则采用页面文件pagefile.sys的形式来管理虚拟内存。
　　一、大小情况
　　1.一般情况
　　一般情况下，建议让Windows来自动分配管理虚拟内存，它能根据实际内存的使用情况，动态调整虚拟内存的大小。
　　2.关于最小值
　　Windows建议页面文件的最小值应该为当前系统物理内存容量再加上12MB，而对于物理内存容量小于256MB的用户，则建议将页面文件的最小值设得更大些：
　　①使用128MB或者更少内存的用户，建议将当前物理内存容量的1.75倍设置为页面文件的最小值。
　　②内存大小在128MB到256MB之间的用户，建议将当前物理内存容量的1.5倍设置为页面文件的最小值。
　　3.关于{zd0}值
　　一般来说，页面文件的{zd0}值设置得越大越好，建议设置为最小值的2到3倍。
　　4.极端情况
　　假如硬盘空间比较紧张，在设置页面文件时，只需保证它不小于物理内存的3/4即可。如果物理内存很大(大于512MB)，则可以将虚拟内存禁用。
　　5.根据不同的任务环境设置
　　①以3D游戏为主的环境
　　3D游戏对CPU、显卡和内存要求都很高，如果物理内存小于256MB，建议把虚拟内存预设得大一点，这对提高游戏的稳定性和流畅性很有帮助。
　　②以播放视频为主的环境
　　视频应用对硬盘空间的“胃口”很大，不过千万不要像在3D游戏环境中一样把虚拟内存设得很大，尤其是Windows XP的用户。因为Windows XP不会自动把不需要的空间释放掉，也就是说那个Pagefiles.sys文件会越来越大。如果你把虚拟内存和Windows XP放在同一分区，播放RM、ASF等视频流文件以后，系统经常会提示你虚拟内存设得太小或是磁盘空间不足。查看此时的页面文件，已经足有1GB大小了。所以建议经常欣赏视频文件的Windows XP用户，把初始数值设小一点，或者将虚拟内存转移到系统盘以外的分区。

二、设置方法

　　下面以在Windows XP下转移虚拟内存所在盘符为例介绍虚拟内存的设置方法：
　　进入“打开→控制面板→系统”，选择“高级”选项卡，点击“性能”栏中的“设置”按钮，选择“高级”选项卡，点击“虚拟内存”栏内的“更改”按钮，即可进入“虚拟内存”窗口；
　　在驱动器列表中选中系统盘符，然后勾选“无分页文件”选项，再单击“设置”按钮;接着点击其他分区，选择“自定义大小”选项，在“初始大小”和“{zd0}值”中设定数值，然后单击“设置”按钮，{zh1}点击“确定”按钮退出即可。