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三极管基础知识

158)晶体三极管:是一种具有两个PN结的半导体器件。

159)简称:晶体管或三极管

160)分类:分为NPN型和PNP型两大类。

161)文字符号:VT

162)主要参数:
(1)电流放大系数
(2)特征频率
(3)集电极-发射极击穿电压
(4)集电极{zd0}电流
(5)集电极{zd0}功耗

163)具有电流放大作用,是电流控制型器件

164)主要作用:放大,电了开关等。

165)常见的特殊晶体三极管有哪些:达林顿复合管和带阻三极管等。

166)按导电极性不同分类:可分为NPN型和PNP型两大类
(1)NPN型管工作时,集电极C和基极B接正电,电流从集电极C和基极B流向发射极E
(2)PNP型管工作时,集电极C和基极B接负电,电流从发射极E流向集电极C和基极B。

167)图形符号

168)3   *   *   * **
3   三极管
*   材料和极性(字母)
*   类型(字母)
*   序号(数字)
*   规格(字母)

3:三极管
A:PNP型锗材料(材料和极性)
X:低频小功率管(类型)
31:序号
3AX31:PNP型锗材料低频小功率晶体三极管
3:三极管
D:NPN型硅材料(材料和极性)
G:高频小功率管(类型)
6:序号
B:规格
3DG6B:NPN型硅材料高频小功率晶体三极管

169)电流放大系数:电流放大系数BAI和HFE是晶体三极管的主要参数之一,
(1)BATTA是三极管的交流电流放大系数,
指集电极电流IC的变化量与基极电流IB的变化量之比,反映了三极管对交流信号的放大能力。
(2)HFE是三极管的直流电流放大系数(也可用BAITA表示)
指集电极电流IC与基极电流IB的比值,反映了三极管对直流信号的放大能力。

170)图5-6所示为3DG6管的输出特性曲线
当IB从40UA上升到60UA时,相应的IC从6MA上升到9MA,其电流放大系数:
BAITA=(9-6*10的立方 除以   60-40   =150

171)特征频率
三极管的电流放大系数BAITA与工作频率有关,
工作频率超过一定值时,BAITA开始下降;
当BAITA值下降为1时,所对应的频率即为特征频率FT。

172)集射极击穿电压
集电极-发射极击穿电压BUCEO是晶体三极管的一项极限参数。
BUCEO是指基极开路时,所允许加在集电极与发射极间的{zd0}电压。

173)集电极{zd0}电流
集电极{zd0}电流ICM也是晶体三极管的一项极限参数
ICM是指三极管正常工作时,集电极所允许通过的{zd0}电流。

174)集电极{zd0}功耗
集电极{zd0}功耗PCM是晶体三极管的又一项极限参数
PCM是指三极管性能不变坏时所允许的{zd0}集电极耗散功率。

175)晶体三极管的特点:具有电流放大作用。
即可以用较小的基极电流控制较大的集电极(或发射极)电流,集电极电流是基极电流的BAITA倍。

176)晶体三极管的工作原理
晶体三极管的基本工作原理如图5-8所示,(以NPN型管为例)
(1)当给基极(输入端)输入一个较小的基极电流IB时,其集电极(输出端)将按比例产生一个较大的集电极电流IC,这个比例就是三极管的电流放大系数BAITA,
即IC=BAITAIB,
(2)发射极是公共端,发射极电流IE=IB+IC=(1+BAITA)IB
(3)可见,集电极电流和发射极电流受基极电流的控制,所以晶体三极管是电流控制型器件。

177)晶体三极管的作用:
(1)放大
(2)电子开关等。

178)放大
(1)图5-9所示为晶体三极管的放大电路,输入信号UI经耦合电容C1加至三极管VT基极,使基极电流IB随之变化,进而使集电极电流IC相应变化,变化量为基电流的BAITA倍。 (2)晶体三极管的基本的作用是放大。
(3)并在集电极负载电阻RC上产生较大的压降,经耦合电容C2隔离直流后输出,在输出端便得到放大了的信号电压U0
(4)由于输出电压等于电源电压+VCC与RC上压降的差值,因此输出电压U0与输入电压UI相位相反。
(5)R1,R2为VT的基极偏置电阻。

179)电子开关
(1)图5-11所示为驱动发光二极管的电子开关电路,三极管VT即为电子开关。
(2)VT的基极由脉冲信号CP控制,当CP=“1”时,VT导通,发光二有管VD发光;
(3)VT导通,发光二极管发光;当CP=“0”时,VT截止,发光二极管VD熄灭,R为限流电阻。

180)复合管
(1)复合管是由两个或更多三极管按一定规律组合而成;
(2)达林顿管即为一种复合管。

181)带阻三极管:带阻三极管是一种内部包含一个或几个电阻的晶体三极管。

182)用万用表时对晶体三极管进行引脚识别与好坏检测
(1)检测时,将万用表置于“R*1K”挡
(2)(A)检测NPN管,先用黑表笔接某一引脚,红表笔分别接另外两引脚。测得两个电阻值;
(B)再将黑表笔接另一引脚,重复以上步聚,直至测得两个电阻值都很小,这时黑表笔所接的是基极B。
(C)黑表笔分别接另外两引脚,测得两个电阻值都应很大,说明被测三极管基本上是好的。(3)(A)检测PNP管,先用红表笔接某一脚,黑表笔分别接别外两引脚,测得两个电阻值;
(B)再用红表笔接另一引脚,重复以上步骤,直至测得两个电阻值都很小,这时黑表笔所接的是基极B。
(C)红表笔分别接另外两引脚,测得两个电阻值都应很大,说明被测三极管基本是好的。

183)测量晶体三极管的放大倍数,并识别集电极C和发射极E,基极B确定以后,即可识别集电极C和发射极E,并测量三极管的电流放大倍数BAITA
(1)用MF47等具有“BAITA”或“HFE”挡的万用表测量;
(A)万用表置于“HFE”挡,将三极管插入测量插座(基极插入B孔,另外两引脚随意插入),记下BAITA读数。
(B)再将另两引脚对调后插入,也记下“BAITA”读数;
(C)两次测量中,BAITA读数大的那一次引脚插入正确的。
(D)测量时需注意NPN管和PNP管应插入各自对应的插座。
(2)用万用表电阻挡测量。(以NPN管为例)
(A)万用表置于“R*1K”挡,红表笔接基极以外的一引脚,左手拇指与中指将黑表笔与基极捏在一起,同时用左手食指触摸余下的引脚,这时指针应向右摆动。
(B)将基极以外的两引脚对掉后再测一次;
(C)再次测量中,表针摆动幅度较大的那一次,黑表笔所接的是集电极,红表笔所接的是发射极;
(D)表针摆动幅度越大,说明被测三极管的BAITA值越大;

184)区分锗管与硅管
(1)由于锗材料三极管的PN结压降约为0。3V,而硅材料三极管的PN结压降为0。7V,所以可通过测量B-E结正向电阻的方法来区分锗管和硅管;
(2)检测方法:万用表置于“R*1K”挡,对于NPN管,黑表笔接基极B,红表笔接发射极E,如果测得的电阻值小于1K欧,则被测管为硅管,如果测得的电阻值在5-10K欧,则被测管为硅管,对于NPN管,则对换两表笔后测量。



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