日本鸟取大学和尾池工业组成的联合研究小组，在塑料（PEN）底板上制造出了透明并可弯曲的电阻变化型非易失性内存（ReRAM）元件，并验证了其基本工作状态。这种ReRAM元件的直径为100μm，电阻变化层和上下电极层分别使用了可在室温下成膜的GaZnO膜。该元件对可见光波长具有66％的透射率。该研究小组在“第57届应用物理学相关联合演讲会（东海大学湘南校区，2010年3月17～20日）”上发布了此次的成果（演讲序号：17a-TQ-8）。
鸟取大学等制造的ReRAM元件，擦写电压不到2V，施加电压时可表现出双极（Bipolar）型开关工作特性。高电阻状态与低电阻状态的电阻比为21。通过改进脉冲电压的施加方法，使高电阻状态的电阻值能够在多档范围内发生变化，原理上“可实现多值化”（鸟取大学）。
鸟取大学等制造的ReRAM元件，擦写电压不到2V，施加电压时可表现出双极（Bipolar）型开关工作特性。高电阻状态与低电阻状态的电阻比为21。通过改进脉冲电压的施加方法，使高电阻状态的电阻值能够在多档范围内发生变化，原理上“可实现多值化”（鸟取大学）。
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