Cdu---漏-衬底电容

     Cgd---栅-源电容

     Cgs---漏-源电容

     Ciss---栅短路共源输入电容

     Coss---栅短路共源输出电容

     Crss---栅短路共源反向传输电容

     D---占空比（占空系数，外电路参数）

     di/dt---电流上升率（外电路参数）

     dv/dt---电压上升率（外电路参数）

     ID---漏极电流（直流）

     IDM---漏极脉冲电流

     ID(on)---通态漏极电流

     IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

     IDS---漏源电流

     IDSM---{zd0}漏源电流

     IDSS---栅-源短路时，漏极电流

     IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

     IG---栅极电流（直流）

     IGF---正向栅电流

     IGR---反向栅电流

     IGDO---源极开路时，截止栅电流

     IGSO---漏极开路时，截止栅电流

     IGM---栅极脉冲电流

     IGP---栅极峰值电流

     IF---二极管正向电流

     IGSS---漏极短路时截止栅电流

     IDSS1---对管{dy}管漏源饱和电流

     IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

     Iu---衬底电流

     Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

     gfs---正向跨导

     Gp---功率增益

     Gps---共源极中和高频功率增益

     GpG---共栅极中和高频功率增益

     GPD---共漏极中和高频功率增益

     ggd---栅漏电导

     gds---漏源电导

     K---失调电压温度系数

     Ku---传输系数

     L---负载电感（外电路参数）

     LD---漏极电感

     Ls---源极电感

     rDS---漏源电阻

     rDS(on)---漏源通态电阻

     rDS(of)---漏源断态电阻

     rGD---栅漏电阻

     rGS---栅源电阻

     Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

     RL---负载电阻（外电路参数）

     R(th)jc---结壳热阻

     R(th)ja---结环热阻

     PD---漏极耗散功率

     PDM---漏极{zd0}允许耗散功率

     PIN--输入功率

     POUT---输出功率

     PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

     to(on)---开通延迟时间

     td(off)---关断延迟时间

     ti---上升时间

     ton---开通时间

     toff---关断时间

     tf---下降时间

     trr---反向恢复时间

     Tj---结温

     Tjm---{zd0}允许结温

     Ta---环境温度

     Tc---管壳温度

     Tstg---贮成温度

     VDS---漏源电压（直流）

     VGS---栅源电压（直流）

     VGSF--正向栅源电压（直流）

     VGSR---反向栅源电压（直流）

     VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

     VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

     Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

     VGS(th)---开启电压或阀电压

     V（BR）DSS---漏源击穿电压

     V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

     VDS(on)---漏源通态电压

     VDS(sat)---漏源饱和电压

     VGD---栅漏电压（直流）

     Vsu---源衬底电压（直流）

     VDu---漏衬底电压（直流）

     VGu---栅衬底电压（直流）

     Zo---驱动源内阻

     η---漏极效率（射频功率管）

     Vn---噪声电压

     aID---漏极电流温度系数

     ards---漏源电阻温度系数

半导体二极管参数符号及其意义
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的{jd1}变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的{zd0}工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的{zd0}正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向{zd0}电流）。在额定功率下，允许通过二极管的{zd0}正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与{dy}基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---{zd0}输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波{zg}反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---{zd0}正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向{zd0}瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的{zd0}工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---{zd0}稳压电流。在{zd0}耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---{zd0}开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的{zd0}功率
PMP---{zd0}漏过脉冲功率
PMS---{zd0}承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---{zd0}输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---{zd0}耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的{zd0}功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---{zg}结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与{dy}基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---{zd0}正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---{zd0}输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（{zg}测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压

双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
Cce---发射极接地输出电容
Ci---输入电容
Cib---共基极输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cn---中和电容（外电路参数）
Co---输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---{zg}振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE---共发射极静态电流放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极{zd0}允许电流或交流电流的{zd0}平均值。
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的{zd0}值，或交流电流的{zd0}平均值
ICMP---集电极{zd0}允许脉冲电流
ISB---二次击穿电流
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极{zd0}允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---总耗散功率
ESB---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---{zd0}允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极（直流）电压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的{zg}耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的{zg}耐压
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的{zg}耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的{zg}耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的{zg}耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的{zg}耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的{jd1}变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的{zd0}工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的{zd0}正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向{zd0}电流）。在额定功率下，允许通过二极管的{zd0}正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与{dy}基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---{zd0}输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波{zg}反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---{zd0}正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向{zd0}瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的{zd0}工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---{zd0}稳压电流。在{zd0}耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---{zd0}开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的{zd0}功率
PMP---{zd0}漏过脉冲功率
PMS---{zd0}承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---{zd0}输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---{zd0}耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的{zd0}功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm---{zg}结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与{dy}基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---{zd0}正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---{zd0}输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（{zg}测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压