手机测试失败实例分析_中国工业产品结构设计中心-- 手机结构设计联盟 ...

前TF公司时经常会举行失败案例分析研讨会,现将一些精彩内容跟各位兄弟分享一下,虽是旧案例,倒也能给新手带来很多启示:

ESD的分析及对策
一.         背景
项目名称D 测试条件:13千伏
二.         问题描述
T1 PRT 试验中,大小LENS 处ESD 13千伏失败 :
1.小lens处,静电通过金属装饰件以及内部金属零件进入手机内部.同时击穿了1MM宽度的空气;
2.大lens处,静电通过金属装饰件以及背胶(无基胶带)进入手机内部.
三.         原因分析
金属装饰件与LCD之间没有有效隔断,在大lens处因为采用的无基胶带,材料疏松,没有能够有效阻断静电,小LENS处,因为在B2B connector之上,为保证连接的可靠性,增加了一片钣金件来压住CONNECTOR,从而外面的电流通过金属装饰件,击穿空气,传到钣金件上,进入到手机内部
四.         解决措施
1.         尽量将外部电流接地;
2.         粘贴LENS的胶带换用阻断性好的胶带
3.         增加LCD铜箔,将LCD整个包裹起来.
4.         在大LENS处缓冲垫上增加一层铜箔,接地.
五.         预防方法
做结构设计时候需要和硬件工程师共同分析,因为ID通常会作出很多金属装饰件,所以需要在评估ID的时候硬件工程师都参与,外部金属装饰品需要和内部器件xx隔断,无法隔断必须接地,同时要预先考虑到一旦出现失败的现象是否有合适的对策.

两字总结:疏.堵

啸叫的分析及对策

一.         背景
B系列EP1跑线发现进入CIT模式测试LOOPBACK中,手机啸叫不断,这是我们公司{dy}次碰到的一个全新的课题
二.         问题描述
B系列EP1跑线发现进入CIT模式测试LOOPBACK中,手机啸叫不断,B3尤其严重
三.         原因分析
1.产生啸叫的根本原因是MIC与SPEAKER产生了回路,形成了封闭的循环
2.导航键高出手机的大面,跌落时导航键先接触地面,而CPU有在导航键的正下方,故使导航键局部受力,致使CPU顶虚声音的传播方式为 空气 腔体 介质,而空气的传播是三次方衰竭,而在腔体的衰竭很小,分析我们的结构,MIC与SPEAKER同在一个腔体的,而SPEAKER由LAYOUT先天的不足,SPEAKER无法xx密封,总有声音泄露在HOUSING中,MIC的MIC套又没法与HOUSING的側壁xx密封,故在HOUSING的腔体内形成一个封闭的环,啸叫由次产生
3,联想到NOKIA的手机有许多的MIC套漏在外面,(这样做是不好看的,估计也是为了解决啸叫),我们豁然开朗,决定将MIC套伸到HOUSING之外,问题得到解决

四.         解决措施
将MIC套伸到HOUSING之外


修改前


修改后


五.         预防方法
直板机要防止MIC和SPEAKER在壳体内形成腔体回路

翻盖试验壳体裂的分析及对策
一.         背景
CARIBBEAN, BALTIC 等带 LCD 翻盖手机项目,许多出现 翻盖试验时壳体开裂的问题,用于对问题解决和改进的时间,远远多于设计时间,{zh1}问题仍不能彻底解决。
二.         问题描述
翻盖试验时壳体开裂,有时是贯穿的开裂。位置见附图1

三.         原因分析
按导致 flip test fail 的重要程度排序:
1,         stop rubber 起的作用不大,只是在 flip 打开的一瞬间,起减振作用。在xx打开的一瞬间,flip 抖动严重。
2,         从图中可以看出, housing front hinge 肩部圆角过小,冲击时受力集中。
3,         注塑工艺及材料也有较大的影响,有时裂纹很轻微,换一批 housing front ,可能裂纹就是贯穿的。

四.         解决措施
按采取措施的时间顺序
1,         改用 三星 HF1023IM 材料,120度烘干4小时,加大注塑压力,控制注塑温度,能明显改进,不过这种方式很不稳定,有时是贯穿的开裂,欣旺达仍声称是按我们定的工艺干的。
2,         改用较大的 stop rubber,使 stop rubber 在 flip 未xx打开时就起作用,但这个改动因受ID歪型限制,并没有xx解决问题。
                                                                                                                                                       
3,          再开裂处加胶,但此方法效果不明显。


4,         同时采用3种办法, 1,改用更大的 stop rubber,此stop rubber(已对ID有影响)。2,改用3.5kg hinge。 3,把 hinge 处, flip rear 和 housing front 轴向间隙减小到0对0,转动是略带摩擦。见图


{zh1}一次flip test,4台机器,一台翻到50K,2台翻到60K,均OK。另1台翻到50K,有轻微为裂纹。 翻盖的手感还可以。

五.         预防方法
1,         housing hinge 处外轮廓尺寸及壁厚对 flip test 结果有很大影响。在受ID限制,housing hinge 处外轮廓尺寸及壁厚只能较小时,尽量加大肩部过渡圆角及斜度,对flip test 结果也有好处。
2,         如果能在 id 设计时,充分考虑flip test, 把 stop rubber 作为 id 外形的一部分,加大stop rubber,并把 flip rear 转轴部位最中与 stop rubber 接触的一段,设计成渐开线轮廓,让 stop rubber 再翻转最终位置前 10-15度,就开始起作用,逐渐磨擦,并且力越来越大。不使 flip 在翻转最终位置剧烈抖动,会对flip test 结果有明显效果。
3,         使用三星 PC 1023IM,高耐疲劳材料,再加上正确的烘干及注塑工艺,对 pass flip test,也有效果。

SIM卡不识卡的分析和对策


一.         背景:
软件测试和用户实用均发现有不少项目有不识SIM卡的现象.

二.         问题描述:
在合盖时特别是用力合盖和跌落是,很容易有不识SIM卡现象.

三.         原因分析
1.         SIM卡短路。
2.         SIM座高出与屏蔽盖0.05MM.。
3.         SIM卡座选的圆点的,高度0.65MM.

四.         解决措施:
1,         SIM卡短路:通常是由于SIM卡下面有屏蔽盖,没有绝缘导致短路。解决方案:屏蔽盖绝缘,加绝缘胶片。
2,         电池加骨压紧SIM卡.

五.         预防措施:
1,         建议选用SIM卡座自带压紧结构的。
2,         SIM卡座太底,应选用合适的高度,要比屏蔽盖高。
3,         SIM卡座的弹片太低或者弹力太小,须选用弹力较大高度较高的SIM卡座,推荐用0.73高的。
4,         屏蔽盖变形顶高SIM卡。控制屏蔽盖的最终高度,设计预留多0.2mm。
5,         SIM卡扣压的不紧,SIM卡扣太软或者力臂太长导致。所以注意SIM卡扣的设计和材质。
6,         SIM卡的厚度不一,有0.7 0.75 0.8 0.85 0.9的SIM卡,设计SIM卡位的预留厚度空间按0.9设计。
7,         也可以在电池上加骨压SIM卡,不过要注意骨位高度,不要产生电池侧边间隙变大和掉点的问题。一般不推荐这一方案。
8,         SIM一定要绝缘
霍尔开关受Speaker干扰的分析及对策

一.         背景
GYM项目中,在对P0板调试和检测时,发现无法开机 。经检查后发现,导致原因是霍尔开关受Speaker影响,而使手机处于“结束任务”状态。纵观之前的项目,Dolphin也出现过此种现象。现对这个问题进行分析和总结,为今后的设计提供借鉴。

二.         问题描述
检测霍尔开关的有效性时,在不安装Speaker的情况下,开关有效。而安装好Speaker后,手机则无法开机。

三.         原因分析及解决措施
原因分析:
导致这一现象的根本原因是:PCB Board正面上的霍尔开关恰巧与装在板背面的Speaker位置相对。由于Speaker元件内部有一枚磁铁,当在安装上Speaker后,霍尔开关即感应到这枚磁铁,发出“结束任务”的指令。故按Power键后,手机无法初始化,常处于关机状态。

(如下图所示)

解决办法:
        在发现这一问题后,对之前的项目进行询查,得之其它项目也出现过这种情况,而最终通过以下两个措施协同解决:

方法一,   将Speaker内的磁铁改为单极性的。
    主要原理是:使Speaker内的磁铁只在正面有磁性,而背面即与霍尔开关相对的方向没有磁性,以此避免对霍尔开关的影响。

方法二,   在霍尔开关与Speaker之间增加一个磁屏蔽件。
主要原理是:通过增加一个屏蔽件来阻隔和削弱Speaker内的磁铁的对霍尔开关方向的磁力。并且需选用磁屏蔽效果好的材料:马口铁。

如下图所示:


   GYM最初也试图采用Dolphin的方法。测试时,以手工制作磁屏蔽件,即使对Speaker不做特殊极性的要求和处理,霍尔开关也能正常工作。但用五金厂做的样品来测试却失效了。

于是GYM又尝试了以下方法:
方法三,   更改霍尔开关的位置。
GYM最初希望通过更改霍尔开关的位置来解决这一问题。现霍尔开关位于板正面的左上角,而右上角是天线,如果开关位置移至此,将对天线的性能产生极大负面影响。板的中部是LCD_T/P_Module,亦无可摆放位置。再检查板的下端,虽然勉强有空间可以安放,但由于GYM翻盖较短且下端形状是弧型尖嘴,将没有空间安装感应磁铁。而且磁体位置远离转轴,也将导致霍尔开关作用迟钝。

方法四,更换霍尔开关。
GYM{zh1}的解决办法是:将霍尔开关由双面极性改为单极性,使开关只对其前部(与感应磁铁相对的位置)的磁力线起作用产生功能,而不感应后部来的磁力。同时需要感应磁铁的配合,使磁铁的极向与霍尔开关的极向一致,所以在磁铁上需要做S、N极性标识。但此种霍尔开关的使用较少,其灵敏性能还有待检测和观察。


四.         预防方法
1、         在PID设计时,不要将有磁性的元件如Speaker、Receiver与霍尔开关靠太近,从根本上杜绝这一问题的产生。
2、         如果PID受外观或空间等的限制,霍尔开关附近有类似元件,则需用单极性的霍尔开关,且需注意感应磁铁的安装方向,必须使极性保持一致。


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