方向问题：

1驱动芯片各家都有，主要看驱动功率够用和封装模式方便，另外为了载波频率高点，死区小点，还是峰值电流大的比较好12V 25欧的话应该是峰值500mA吧，还真是不小。

2功率模块40~55V的2m欧左右的MOS应该够用了，分立器件电路连接我亲自试过，以后批量生产时候工艺恐怕不好控制，设计时候连接要考虑的东西也太多，所以能用集成的{zh0}，哪怕是半桥的也行。

3从客户长远考虑和个人发展长远考虑优先选汽车级器件

先把各大厂家划拉一遍再说

fairchild 

有专用EPS MOSFET 模块，这个{zh0}，有ELV，没其他的。

电话过去，要签NDA，双向的也可以。样品货期3周。B级以上车用。

发现一个奇怪的问题，英文官网和中文官网对这个问题的指向居然不一样，如果直接在英文官网找还真找不到这个。

IR 

“IR中国”简直没法看，还是看英文官网

半桥的最小50m欧，有Q101，暂不考虑，但是又有点启发

给了一个这样的参数说明某些MOS可以用5V电平控制，没搞过mos一直以为只能10V以上控制，不过估计用2m欧的mos的话5V控制会得不偿失。

另外SO8的封装形式也挺不错，有机会可以用。xx5A以下。

单管有符合大方向的，随便弄一个datasheet先留着

顺便看一下驱动芯片，顺便看到不少小功率sensorless PMSM的控制芯片，220V系统的家电里用起来好方便，单芯片带PFC控制，SVPWM输出，AN1090介绍的比较完整

2133，2135等等，电压600，平均电流250mA，因为隔离电压的关系，芯片封装好大，应该可以PASS了。

ON

没合适的东西

IXYS

有模块，但是电流超大，快赶上三菱和SEMIKRON的MOS模块了，用不上

TI

不知道为什么，很少去TI看，考虑到TI在FOC方面的xx性，经典性，还是有必要去看一下，选主芯片的时候有个参考。

infineon

和TI一样考虑xx和经典性，有必要仔细看一下，干脆另开一篇来做研究