十条黄金规则汇总
规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的{zd1}温度考虑。
规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的{zg}运行温度下必须满足上述条件。
规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3 象限（WT2-，+）。
规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至{zd1}。返回线直接连至 MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。
规则5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。 若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几 mH的电感和负载串联。
另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。
规则6. 假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；
用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
规则7. 选用好的门极触发电路，避开 3 象限工况，可以{zd0}限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
规则8. 若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上{zh0}串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
规则10. 为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a足够低，维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的{zg}环境温度。
规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的{zd1}温度考虑。
规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够长的时间，使能回复至截止状态。在可能的{zg}运行温度下必须满足上述条件。
规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3 象限（WT2-，+）。
规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至{zd1}。返回线直接连至 MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和 MT1 间加电阻 1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。
规则5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。
另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。
规则6. 假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：
负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；
规则7. 选用好的门极触发电路，避开 3 象限工况，可以{zd0}限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
规则8. 若双向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出，负载上{zh0}串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
规则9. 器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
规则10. 为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a足够低，维持 Tj不高于 Tjmax ,其值相应于可能的{zg}环境温度。
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