| 【中文篇名】 | 砷化镓上银和金膜的价带光电子谱 |
| 【英文篇名】 | PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY FOR VALENCE BAND OF SILVER AND GOLD FILMS ON GALLIUM ARSENIDE |
| 【作者】 | 莫党; 潘士宏; W.E.SPICER; I.LINDAU; |
| 【英文作者】 | Mo DANG; （Department of Physics; Zhongshan University; Guangzhou）; PAN SHI-HONG （Department of Physics; Nankai University; Tianjin）; W. E. SPICER I. LINDAU （Stanford Electronics Laboratories; Stanford University; Stanford; USA）; |
| 【作者单位】 | 中山大学物理系; 南开大学物理系; 美国Stanford大学; |
| 【文献出处】 | 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 1983年 11期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | GaAs; 金膜; 银膜; 自旋轨道分裂; 价带结构; 光电子谱; 砷化镓; |
| 【摘要】 | 木文测量了光子能量为21.2eV,40.8eV和1486.6eV的光电子谱,得到了关于GaAs(110)解理面上银膜的价带能谱新数据,并得到金膜价带能谱的补充数据,蒸发的银膜和金膜的厚度范围为0.lA到1000A,实验上发现并讨论了下面的现象:GaAs(110)面上金膜和银膜的紫外价带光电子谱的强度与膜厚的关系曲线中出现极大峰。 |
| 【英文摘要】 | New data about photoemission spectra of silver on GaAs (110) cleavage surface have been found by measurement at hv= 21.2eV, 40.8eV, and 1486.6eV. Some additional data of gold on GaAs are also obtained. The thickness of evaporated Ag and Au films used for measurement ranged from 0.1Ato1000A.A maximum in the functional relation between the intensity of UPS valence spectra and the thickness of film has been noted and discussed. |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:WLXB.0.1983-11-014 |
| 【正文快照】 | 半导体上金属膜的光电子谱研究,对金属一半导体接触及金属薄膜的原子和电子结构,均能提供有用信息.近年来相继有一些工作.有测量了GaAs解理面上金的光电子谱“·”,最近有GaAs(1 OO)面(不是解理面)上银的光电子谱报道脚. 至于对金属价带演变的研究,近来还有如下工作:金在NaCI衬 |
郑重声明：资讯 【论文网络收集站» 砷化镓上银和金膜的价带光电子谱】由 发布，版权归原作者及其所在单位，其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权， 请你提供相关证明及申请并与我们联系（qiyeku # qq.com）或【在线投诉】，我们审核后将会尽快处理。
—— 相关资讯 ——
