| 【中文篇名】 | 掺铬半绝缘砷化镓中铬的等离子光谱法测定 |
| 【作者】 | 黄文裕; 阴雨江; |
| 【作者单位】 | 1425所; |
| 【文献出处】 | 半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 1981年 06期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 等离子光谱法; 掺铬; 半绝缘砷化镓; 谱线强度; |
| 【摘要】 | <正> 半绝缘体砷化镓单晶是制造砷化镓场效应晶体管的一种重要原料。砷化镓中铬的浓度对它的电阻率有直接影响,甚至会改变材料的导电类型。为了保证砷化镓具有半绝缘性能,必须使铬的掺杂量及单晶中铬的浓度控制在一定范围。目前国内半绝缘砷化镓中铬的浓度在10~(16)cm~(-3)左右,相当于10~(-4)～10~(-5)％。 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:BDTJ.0.1981-06-009 |
| 【正文快照】 | 半绝缘体砷化镓单晶是制造砷化镓场效应晶体管的一种重要原料。砷化镓中铬的浓度对它的电阻率有直接影响,甚至会改变材料的导电类型。为了保证砷化镓具有半绝缘性能,必须使铬的掺杂量及单晶中铬的浓度控制在一定范围。目前国内半绝缘砷化镓巾铬的浓度在10¨cmq左右,相当于10叫 |
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