| 【中文篇名】 | 毫米波磷化铟体效应二极管 |
| 【英文篇名】 | Millimeter Wave InP Gunn Diode |
| 【作者】 | 邓衍茂; |
| 【文献出处】 | 电子学报 , Acta Electronica Sinica, 编辑部邮箱 1981年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 磷化; 体效应二极管; 毫米波; |
| 【摘要】 | <正> 南京固体器件研究所采用In/PCI_3/H_2系统气相外延生长的n~+-n-n~+InP材料,采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺,制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管(见照片)。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10~(15)cm~(-3),厚度为2.85μm; 台面直径约70μm,台面高度为15μm; 管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能,得到的初 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:DZXU.0.1981-04-006 |
| 【正文快照】 | 南京固体器件研究所采用I可PCI扩H:系统气相外延生长的n+一n一n+ 1 nP材料,采用适用于1 nP的Au一Ge一Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀合面等工艺,制作了台式镀金热沉结构的毫来波段连续波体效应振荡二极管(见照片)。该器件有源区的掺杂浓度为7 .35×1o‘叱m一3,厚度 |
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