新疆地区能源基础xxxx：公司生产经营的主要产品是电、热的生产和供应，供电量占石河子地区总体用电量的50.65%，供热量占石河子地区总体用热量的79.34%。08年公司累计完成发电量23.22亿千瓦时，同比增长16.17%；供电量21.48亿千瓦时，同比增长9.77%；售电量累计完成20.20亿千瓦时，与去年同期相比增9.47％；全年累计供热1,210万吉焦，同比增长10.32%。公司募集资金项目南热电2×125MW
热电联产工程及玛纳斯河一级水电站全面建成投产，实现大机组规模经济效益，全年共实现发电量10.97亿KWh、供热241.64万吉焦，
煤化工(甲醇)：08年3月16日，公司与深圳立业集团有限公司签订了《关于共同投资成立合资企业之合资经营企业合同》，共同发起设立新疆天立能源有限公司（公司出资1.6亿元，占40%），从事煤化工生产及相关产品的销售经营，公司煤制甲醇项目将由该新设公司具体实施。目前，该项目已签订了《建设工程设计合同》，08年3月26日，公司举行年产30万吨煤制甲醇项目开工仪式，正式开始动工建设。
煤-电-碳化硅一体化：这是公司{zj1}有发展潜力的项目，也是市场最喜欢的炒作题材。下面有文章进行重点分析。公司是目前国内{wy}的碳化硅晶体生产企业，高纯度的碳化硅单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。LED照明、新一代功率器件、军工配套关键材料及产业化等都与碳化硅息息相关。06年5月全资子公司汇合达与中科院物理研究所等组建北京天科合达蓝光半导体有限公司(09年天科合达引进新股东，增资完成后，天科合达注册资本为10375万元，汇合达持股40.8%)，以中科院物理研究所专利技术在北京进行碳化硅晶体研究和中试生产，从而进入第三代半导体材料碳化硅晶片产业，成为全球碳化硅晶片的主要供应商；09年2月披露，公司控股子公司天科合达目前共安装碳化硅晶体生长炉33台，初步具备了批量生产2英寸6H/4H导电型碳化硅晶片的能力（另据报道公司正致力于3、4英寸碳化硅晶片的研制开发），正向全球研发机构提供较高xxx的产品。此外，天科合达已开发出非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术。09年三季报披露，根据市场情况，公司新疆生产基地又订购了6台生长炉，截止目前，设备已安装完毕，正在调试运行。
丙酮酸项目：09年三季报披露，公司鉴于目前丙酮酸市场和设备的实际运行情况，积极与国内外生物制药等领域的潜在合作者接触，探讨开展多种形式合作的可能性，以转产其他高附加值产品，充分利用丙酮酸项目现有设备。
CDM项目：公司红山嘴水电厂玛纳斯河一级水电站工程项目作为清洁发展机制(CDM)项目注册申请于07年9月14日联合国EB第34次会议上被批准通过。该项目开发的主要任务为发电，项目装机容量50MW，四台机组，单机容量为两台9MW机组、两台16MW机组。项目07年-2013年预计年上网电量为1.87亿KWh，本项目年折合二氧化碳减排量约15.74万吨。根据规定，本项目收入的2%将上交国家可持续发展基金，支持国家的可持续发展活动，2%交联合国CDM理事会，其余归企业所有。09年6月，红山嘴水电厂玛纳斯河一级电站CDM项目第二笔核证减排量已于09年6月8日获得联合国CDM执行理事会签发。此次签发的核证减排量为155975吨二氧化碳，减排期为07年12月26日至08年12月25日。按相关协议，本次减排量出售后将增加公司收入约180万美元。
太阳能概念：06年2月兵团商务局批准了天富热电、江苏新概念膜分离科技有限公司、美国金冠技术有限公司三家公司共同出资成立了新疆天富光伏光显有限公司，主要生产非多晶柔性薄膜太阳能电池，该项目是我国{dy}条年产1兆瓦非多晶柔性薄膜太阳能电池生产线的建设，非多晶柔性薄膜太阳能电池于06年8月投产，未来将形成年产8兆瓦非晶硅柔薄膜太阳能电池项目；06年9月4日公司表示有意于光伏光显项目，但尚未就任何合作达成最终协议。
立业天富：09年三季报披露，公司参股40％的新疆立业天富能源有限公司出资2050万元参股奎屯亿达石油化工科技有限公司。亿达科技注册资本3000万元，立业天富占其50％的股权。亿达科技主营业务为乙烯下游生产加工，并配套生产大型石化行业，尤其是乙烯产业所需催化剂、助剂等产品。
牛市里牛股具有相当克隆效应，如同2000年的BTOB，BTOC一样都是克隆美国市场的炒作热点。在A股市场接近完成一轮价值挖掘之后，为向更高的目标迈进，主力将起用在底部市梦率的炒作进一步打开上涨空间。
此前美国Cree公司的股价从最初不到1元涨到{zg}约400美元/股（复权，二次十送十），成为大牛股。对国内市场有什么启示呢？根据相关资料，是一种叫做碳化硅的促使股价火箭般的升天。碳化硅晶片属于宽带隙半导体材料，是第三代半导体材料，是未来可以替代硅作芯片的材料。目前的主要用途是LED固体照明和应用于高频大功率的无线通讯。手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅巨大的需求增长。而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产，因此，国内市场严重供不应求。天富热电，中国的Cree，天富热电全资子公司--上海汇合达投资管理有限公司（控股51％）与中科院物理所，新加坡G3
Blue Technology
PteLtd。成立了“北京天科合达蓝光半导体有限公司（TankeBlue）”，有机地结合入股三方分别在资金、碳化硅晶体生长技术，X射线衍射技术，现代企业管理和国际市场营销的优势，形成市场竞争力优势。实现规模化生产，进而成为全球主要的供应商。未来公司产品在成本上具有非常大的优势（公司产品的成本为80美元，而主要竞争对手的成本为300美元）
在半导体器件的应用方面，随着碳化硅生产成本的降低，碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片，打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈，将给电子业带来革命性的变革。
目前碳化硅的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件，未来手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。
而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产，因此，国内下企业和研究机构都在“等米下锅”。
目前全球主要碳化硅晶片制造商美国Cree公司在NASDAQ上市的Cree公司的碳化硅晶片产量为30万片，占全球出货量的85％。是全球碳化硅晶片行业的先行者，为后续有自主创新能力的企业开拓了市场和发展路径。
该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高等优良特性，在高、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内{dj2}碳化硅单晶供应商，在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处{jd1}{lx1}地位，已成功掌握
76mm（3英寸）超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺，达到国际2001年先进水平。国家863项目。
公司背景：中国科学院物理所碳化硅晶体研发课题组在国家自然科学基金、中科院和国家其它部门的研究资金的大力支持下，经过多年卓有成效的研究，成功地研发了具有自主知识产权的碳化硅晶体生长、设计和制造技术，并成功获得2英寸碳化硅晶片的产品试样，其有关专利技术已被国家知识产权局授权。中科院物理研究所以具有自主知识产权的碳化硅晶体生长与加工技术参股、与上海汇合达投资管理有限公司和拥有碳化硅晶体X射线衍射技术，市场资源及经营管理经验的新加坡G3
Blue Technology Pte Ltd
（吉星蓝光有限责任公司）共同合作设立中外合作北京天科合达蓝光半导体有限公司。
公司2006年9月在北京中关村注册，注册资本1600万人币。公司的经营范围是：研究、开发、生产碳化硅晶片；提供技术咨询、技术服务、技术培训、技术转让；销售自产产品。
公司将充分发挥股东三方在资金、技术、管理及市场方面的优势，实现碳化硅半导体晶片生产和加工技术的国产化、产业化，改变我国目前碳化硅半导体晶片依赖国外进口的局面。
公司将致力于不断提高碳化硅晶体的质量和成品率，逐步扩大碳化硅晶片的生产能力，开拓全球的销售和市场推广渠道以实现公司可持续发展的经营目标，成为全球碳化硅半导体的主要厂商之一。
公司坚持国际化、现代化企业经营理念，实现财务，营销、生产、技术研发和人力资源等方面健康、均衡和可持续性高速发展，充分保证客户、各投资方和公司员工的利益。
公司的企业精神：诚信，尊重，专业，创新
碳化硅晶片的应用：与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比，碳化硅（SiC）半导体在工作度、抗辐射、耐高击穿电压性能等方面具有很大优势。SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，其优异的性能可以满足现代电子技术对高、高频、高功率、高压以及抗辐射的新要求，因而是半导体材料领域最有前景的材料之一。SiC半导体器件在航空、航天探测、核能开发、卫星、石油和地热钻井勘探、汽车发动机等高（350～500oC）和抗辐射领域具有重要应用；高频、高功率的SiC器件在雷达、通信和广播电视领域具有重要的应用前景；此外，由于SiC与GaN的晶格和热膨胀相匹配，因而也成为制造高亮度GaN发光和激光二极管的理想衬底材料。
市场现状：早在上个世纪六十年代初，碳化硅半导体在物理、电子等方面的性能远优于硅半导体这一特征便被广泛认知。经过近五十年的发展，硅半导体产业已成为全球每年近万亿美元的巨型产业，而以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业还正处于起步阶段，2005年全球
SiC半导体产业规模为10亿美元。这是因为在上个世纪六十年代，单晶硅生长技术已经渐趋成熟，而掌握碳化硅晶体生长技术只是九十年代末期之事。经过数十年不懈的努力，目前，全球只有少数的大学和研究机构研发出了碳化硅晶体生长技术。在产业化方面，只有以美国Cree公司为代表的少数几家公司能够提供碳化硅晶片，国内的碳化硅晶片的需求全赖于进口。
目前，全球市场上碳化硅晶片价格昂贵，一片2英寸碳化硅晶片的国际市场价格高达500美元（2006年），但仍供不应求，高昂的原材料成本占碳化硅半导体器件价格的百分之四十以上，碳化硅晶片价格已成为第三代半导体产业发展的瓶颈。因而，采用{zxj}的碳化硅晶体生长技术，实现规模化生产，降低碳化硅晶片生产成本，将促进第三代半导体产业的迅猛发展，拓展市场需求。
公司的关键技术：碳化硅单晶生长的技术关键在于2000多度高的xx控制、度梯度的适当调节、载气流量和气压的稳定保持、以及籽晶和原料的特殊处理。
碳化硅晶片加工的关键技术在于：针对超硬的碳化硅，选取适当种类、粒度和级配的磨料以及适当的加工设备来切割、研磨、抛光。在{zh1}一道抛光过程中，化学抛光液和工艺的选择也是碳化硅晶片加工的关键之一。
公司的创新点在于：我们自行设计制造了xx满足2英寸碳化硅晶体生长要求的设备，并研发出具有自主知识产权的碳化硅晶体生长和加工工艺。有关技术的三项核心发明专利已获国家知识产权局授权。
碳化硅晶片产品：公司主要生产符合国际标准的碳化硅晶片产品，其中以两英寸6H和4H碳化硅晶片为主，同时按照客户的要求，加工生产特殊尺寸的碳化硅晶片。两英寸6H和4H碳化硅晶片的照片如图：
