◆微电子学与固体电子学

“微电子学与固态电子学”是现代信息技术的内核与支柱。本学科主要研究内容：（1） 信息光电子学和光通讯。（2） 超高速微电子学和高速通讯技术。（3） 功率半导体器件和功率集成电路。（4） 半导体器件可靠性物理。（5） 现代集成模块与系统集成技术。

（本专业负责人：沈光地 Emial: Gdshen@bjut.edu.cn, Tel: 010-6739 2390）

研究方向简介：

信息光电子学和光通讯

研究内容：具有全新物理思想和创新性器件结构的高效半导体激光器、高效高亮度发光管和新型中远红外探测器，研究光通讯、光电信号、图象处理，研究光电探测、控制等激光、发光、红外光电子信息技术和应用系统。本方向有项目博士后流动站。

超高速微电子学和高速通信技术

本方向主要研究具有全新物理思想和结构的异质结超高频（高速）器件及超高频（高速）电路，特别是超高频低噪声SiGe/Si HBT、IC和光通讯、移动通讯、高速计算相关的电路和通讯应用系统，具有极重要科学价值和极广阔的应用前景。

功率半导体器件与功率集成电路

本方向包括两方面研究内容：电力电子器件与灵巧功率集成电路研究以及微波功率半导体器件与微波集成电路研究。分别简介如下：
电力电子器件与灵巧功率集成电路研究的根本用途是进行电能的变换与控制，它的应用已渗透到通讯、机电一体化等各个领域。本室在从事处于国际前沿地位的研究工作，提出了不少具有国际创新思想的新的器件结构和工作原理，如：新结构的超高速双极功率开关管、新结构超低损耗IGBT、新结构高速集成电路等。

微波功率半导体器件与微波集成电路研究是微波通讯、雷达、各种军事电子对抗等微波设备与系统的心脏。本研究室正在从事着具有国际创新结构的新器件及集成电路的研究。

半导体器件可靠性

本方向从事微电子器件可靠性物理的研究（各种类型的分立半导体器件、集成电路和模块）。可靠性被列为四大共性技术之一，是目前国际上最为活跃的研究和发展的一个领域。目前的研究方向主要包括四个方向：

VLSI/ULSI互连技术及可靠性的研究：随着电路的高密度化、高速化，互连技术已成为VLSI/ULSI继续向前发展的一个瓶颈。本研究室在此领域处于国际前沿的研究工作。

高速微电子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及评价技术。
GaN宽带隙半导体器件的可靠性及评价技术：重点研究宽带隙半导体材料、器件及相关的可靠性问题。
半导体热测量，热失效分析和热设计：主要研究各种功率半导体器件、集成电路和光电子器件，各种热测量技术（nm级区域），热失效分析及热设计，本研究室在这一领域处于国际前沿地位的研究工作。

现代集成模块与系统集成技术

本方向包含两方面研究内容。其一是研究以IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MCM（多芯片组件）为代表的现代集成模块及组件：模块和组件工作原理、设计及制作方法，封装热应力设计，应用与可靠性，系统测试方法和模拟设计；其二是研究半定制ASIC设计和现代系统集成技术。

导师简介：

沈光地：男，北京大学物理系毕业，中科院半导体所硕士，瑞典博士。我国xx的半导体和光电子学专家，北京市有突出贡献科技专家。现任我校固态电子学研究所所长，电子信息与控制工程学院学术委员会主任，北京光电子技术实验室主任，兼任中国物理学会理事，中国电子学会光电子专业委员，国家信息产业部科技经济专家委员会专家，信息产业部专家委员会委员，多所大学、研究所和学术刊物的兼职教授和编委，多年来在国内外主持过多项重要科学研究课题。主要研究方向为新型高效半导体激光器、发光和红外光电子学，异质结构器件、电路与超高速微电子学，光通信、移动通信和高速信息处理、电路和系统工程技术，并在上述前沿领域均提出了独创的物理思想和结构设计，在理论和实践上取得了多项国际先进水平成果。本人在国内外从事科研教学三十多年，成果丰硕，论文（著作）120多篇，发明专利五项，培养博士生、博士后20多名。目前主持近二十项{gjj}重要科研课题，经费和科研设备条件良好，与国内外有广泛的学术和人员的交流与合作。
(Email: gdshen@bjut.edu.cn Tel & Fax: 010-6739 2390)

亢宝位: 教授, 博士生导师, 北京市具有突出贡献的科学技术专家，享受国务院颁发的特殊津贴，为美国科学促进会特约国际会员，是国内该研究领域知名学者。获得过国家发明奖、省部级科技进步奖等共四项，专著和译著三部，担任过在尼什召开的20th Intern. Conf. On Microelectronics的Steering Committee委员。略转已收入美国出版的“Who’s who in the world”,英国剑桥传记中心将略传收入其出版的名人传记并授予二十世纪成就奖。
(Email: kwkang@bjut.edu.cn Tel: 010-6739 1639, Fax: 010-6739 2549;)

李志国：教授，为我校半导体器件可靠性物理研究室主任，博士生导师，享受国务院颁发的特殊津贴，中国电子学会高级会员，可靠性分会委员，长期从事半导体器件（含IC）的研制及可靠性研究工作，在该领域有较深造诣，取得了一批具有国际水平的理论和成果，完成了多项国家、电子部和北京市重点攻关课题，曾获省、部级科技成果奖四项，发表论文数十篇。
(Email: lizhiguo@public3.bta.net.cn Tel: 010-67391729;Fax: 010-67392125)

陈建新：男，教授。1979年毕业于中国科技大学物理系半导体专业，并留校工作。1980年修完本专业研究生课程。1989年调到北京工业大学电子工程系电子技术专业，1994年任电子工程系系主任。现任电子信息与控制工程学院院长。主要从事微电子技术的教学与科研工作，先后两次到西德马普学会固态所和瑞典林雪平大学从事科研工作。多年来负责和承接过包括“863”计划，国家自然科学基金等多项科研课题，获{dy}届全国科技大会重大科技成果奖一项，安徽省科技进步三等奖和北京市科技二等奖各一项，在国内外学术刊物上发表论文60余篇
(Email: jianxin@bjut.edu.cn Tel: 010-67391636;)

吴武臣：教授，电子科学与技术（微电子工程）系主任，中国电子学会高级会员， 北京电力电子学会理事。81年研究生毕业于北京工业大学电子工程系，获工学硕士学位。后留校从事教学科研工作，作为课题负责人或主要成员曾承担国防科工委、电子部项目10多项并获电子部科技进步一等奖一项及其它奖数项。88年至89年在瑞士苏黎世工业大学作访问学者从事砷化镓微波器件研究工作。92年至95年作为客座教授在苏黎世工业大学从事现代功率集成模块研究工作，所得研究成果部分属当时国际先进水平并多次应邀在瑞士、德国、法国和意大利等国作研究结果报告。近年来从事集成模块和系统集成技术方面的研究工作并承担国家自然科学基金、北京市自然科学基金以及北京市教委科研项目多项。发表研究论文数十篇及专著一部。
(Email: wchwu@bjut.edu.cn Tel: 010-6739 1638; Fax: 010-6739 2125;)

张万荣：男，工学博士，教授。97年入选北京市科技新星计划，98年成为中国电子学会高级会员、美国AAAS（美国科学发展促进会）会员，99年入选北京市优秀跨世纪人才工程。先后承担、参加完成了国家“七五”、“八五”攻关项目，国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国防科工委等课题十几项，西安交通大学科技成果二等奖。目前主要研究方向为高速微电子器件及其微波集成电路（MMIC）的设计、模拟、研制和可靠性。再上述领域，已在国内外学术刊物和国内外学术会议发表论文56篇，其中{dy}作者29篇，目前已被国际四大检索系统的SCI收录3篇，EI收录13篇，ISTP收录6篇。被英国《科学文摘》INSPEC收录13篇，美国CA收录12篇。
(Emial: wrzhang@bjut.edu.cn Tel: 010-6739 1729)