| 【中文篇名】 | 可在600℃的低温下生长硅的选择外延法 |
| 【作者】 | John Gosch; 汪卫东; |
| 【文献出处】 | 微电子学 , Microelectronics, 编辑部邮箱 1982年 05期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 外延工艺; 掺杂剂; 选择外延; 齐纳二极管; 通用电气; |
| 【摘要】 | 在低温下进行的碘汽相淀积,实际上xx了扩散效应。 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:MINI.0.1982-05-011 |
| 【正文快照】 | 低生长温度和高选择性的硅淀积 低生长温度和高选择性的硅淀积是由通用电气德律风根公司开发的硅外延工艺的标志,此法称作局部外延(Loc印,由“局部的外延”“Local epitaxy”而得名),这种方法对器件制造可能具有要重的影响。 因为用硅或用掺杂剂都没有扩散效应,故可以作出很陡 |
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