中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子48所   2008-09-09 17:07   阅读26   评论0 
字号： 大大  中中  小小



组织机构

主要研究方向

平台简介

仪器设备

纳米半导体薄膜材料加工测试平台简介


仪器名称：超高真空电子束蒸发系统

仪器型号： UMS 500P

主要技术指标：

极限真空度：10-10mbar（10-8Pa）

工作真空度：10-8~10-9mbar（10-6~10-7pa）

镀膜方式：电子束蒸发和热舟蒸发

衬底温度：室温～850oC

本仪器配备有STAIBEK-35-R型高能反射电子衍射仪，可对薄膜的生长过程进行检测

主要应用：

Pt、Au、W、Ti、Al等电极材料

Al2O3、ZrO2、SiO2等氧化物

硅、锗硅外延

仪器名称：多靶磁控溅射仪

仪器型号： ULVAC MLH-263

生产厂家：日本真空

主要技术指标：

极限真空：1×10-5Pa

工作气压：0.15Pa

衬底温度：室温～300oC

{zd0}溅射功率：1.5kw

靶数：3个

气路数目：2路

特点：该设备为中试型，一次可处理12片3英寸圆片，制备出的薄膜膜厚均匀、薄膜取向性较好

用途：制备各种薄膜



仪器名称： ULVAC半导体离子注入机

主要技术指标：

注入能量：25-160KeV

束流：500?A

可处理的{zd0}尺寸：4英寸

特点：掺杂精度高，半导体级

用途：可注B、P、O、H等离子。应用于硅材料的离子掺杂，SOI制备等

仪器名称： EATON-Z200离子束混合装置

仪器型号： EATON-Z200

主要技术指标：

注入能量：30-100KeV

束流：10mA

{zd0}样品尺寸：8 英寸

特点：注入无质量分析器，自动控制，真空度高

用途：气体源全离子注入，单质、化合等各类薄膜



仪器名称：真空磁过滤弧薄膜沉积系统

生产厂家：自制

主要技术指标：

真空度：3×10-3Pa

特点：离化率高达100％，致密性较高，无大颗粒存在，沉积粒子充分离化。靶材要求导电。高的离子能量，无需辅助的气体。高的沉积速率，可制备金属单质和化合物等，制备类金刚石膜等各种薄膜

用途：制备碳纳米管等纳米材料

仪器名称：离子束辅助增强沉积系统

生产厂家：自制

主要技术指标：

真空度：5×10-4Pa

溅射离子源能量：≤2.5keV

束流：40mA-100mA

主要应用：

Si3N4等各种薄膜



仪器名称：脉冲激光沉积系统

仪器型号： LPX-120icc

生产厂家：德国Lambda Physik

主要技术指标：

采用ArF作为工作气体，Ne气作为缓冲气体，激光波长为193nm，脉冲能量为0～200mJ，脉冲重复频率在1-50Hz范围内连续可调。靶室{zg}真空度可达10-7Torr，衬底{zg}温度可达900oC，薄膜生长过程中最多可通入三路反应气体

用途：

SiC

AlN

BST、SBLN和 PZT等铁电薄膜

ZnO、ZrO2、Al2O3等氧化物


仪器名称：高温退火炉

仪器型号： L48 13II-1B/UM

生产厂家：长沙48所

主要技术指标：

1300℃，通Ar、N2、O2，高纯石英炉管

特点：可超高温退火，半导体级

用途：硅材料的高温退火

仪器名称：快速退火炉

仪器型号：RTP－5

仪器简介：可用于GaAs、Si及其化合物半导体材料离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。具有程序控制，可设置任意大小的升降温斜率，编程及操作十分灵活。具有长时间工作稳定性及快速升降温、慢速升降温的功能，因此也可用于铁电膜的制备及各种半导体材料CVD工艺的热处理。

主要指标:

{zd0}温度范围：150℃－1300℃ 升温速率：0.01－200℃/S，可预置 密封石英盒尺寸：210x140x14mm

稳态温度稳定性：±2℃



仪器名称：化学机械抛光机

仪器型号： CP-4

生产厂家： 美国CETR

仪器简介：该设备不仅可以应用于半导体材料、微电子器件、微型传感器、自动控制等方面的研究和开发，还可以应用于已有工业产品的失效分析与可靠性的评价、质量控制及过程控制，也可以按ASTM和ISO的标准进行数据比较。

主要技术指标：

样品尺寸：0.1”－4”

运动速度：0.01mm/s－10m/s

在线检测手段：利用声学和力学等方法实现实时原位检测

载荷范围：0.5mN(50mg)－500N(50kg)

特点：可实现纳米尺度薄膜的抛光

仪器名称：四探针电阻测试仪

仪器型号：D41－11A/ZM

主要技术指标：

适用晶片尺寸：2"～6"

电阻率（Ω·cm）：6?10-3～5?104

测量精度：（1～100）Ω·cm ≤±3％，高阻、低阻≤±5％

薄层电阻（Ω/□）：1?10-1～9?105

测量精度：（1～1000）Ω/□ ≤±3％，高阻、低阻≤±5％

金属电阻（Ω）：3?102～2?105

测量精度：≤±3％

应用：设备用于测量硅片的薄层电阻和电阻率，也能测量其他半导体片、膜的薄层电阻和电阻率，且可对扩散、外延、离子注入等工艺设置进行监测和评估，该测试仪还可用于镀膜玻璃行业对金属膜层的薄膜电阻进行测量




仪器名称：扩展电阻分析仪

主要技术指标：

重复测量精度：优于1%

测量范围：电阻1~108Ω

电阻率10-3~103Ω·cm

应用：可测半导体硅材料的电阻率和载流子浓度随深度的分布以及离子注入层扩散层的厚度，厚度≥100nm

仪器名称：紫外/可见/红外分光光度计

仪器型号： V-570

生产厂家： JASCO

仪器简介：波长范围为190-2500nm，可测材料的吸收光谱、透射光谱和反射光谱。




仪器名称：原子力显微镜

仪器型号： Q-Scope850

生产厂家： Quesant Instrument Corporation

仪器简介：该设备的特点是可以观察大面积的样品（8＂×8＂×1＂），它是分析样品表面形貌的有力工具。该设备有按触摸式和非按触摸式两种，可分析金属、陶瓷、有机物等各种样品的表面

仪器名称：光电子能谱仪

主要技术指标：

真空度：3×10-8Pa

可测样品尺寸：<1cm*1cm

特点：带Auger

应用：薄膜材料、微电子材料等的样品组成及化学状态分析



仪器名称：C-V测试仪

仪器型号： 4284

生产厂家： Agilent

仪器简介：可测试C-V、?－f、R－f等电学曲线

主要技术指标：

电压范围：?45V

频率范围：20Hz～1MHz

C-D测试精度：±0.05％（C），

±0.0005（D）

功耗因子分辨率：0.000001

仪器名称：C-RAM电学专用测试仪

仪器型号： 2400-C

生产厂家： Keithley

仪器简介：可测试Ge2Sb2Te5等存储材料和C-RAM存储器的读、写、擦和疲劳特性。

主要技术指标：

输出功率：20W

输出电流：最小：?50pA

{zd0}： ?1.05A

输出电压：最小：?5?A

{zd0}： ?210V

电阻：<0.2? ~>200M ?

基本准确度：

I：0.035%

V：0.015%

?：0.06%



仪器名称：场发射扫描电子显微镜

仪器型号： S-4700

生产厂家： 日立

主要技术指标：

二次电子成像分辨率：2.1nm（1KV，工作距离W.D.1.5mm）；

1.5nm（15KV，工作距离W.D.12mm或EDX分析位置）；

加速电压：0.5～30KV；

束流：1pA～2nA；

放大倍率：20～500000。

用途：纳米材料显微结构、尺寸及相互作用；材料微结构、相组成及相分布；材料中元素定性分析、定量分析、线分析、面分析；材料实效分析。

附件：能谱仪

分辨率：在Mn Kα处，优于136eV

分析范围: B-U

设备名称：低温键合系统

设备型号：EVG810+EVG301

生产厂家：EVG

用途：适用于3-6”圆片的键合，可红外线在线观察键合界面。



仪器名称：电子束曝光机

仪器型号：S-3000N电镜+图形发生器

生产厂家： 日立

主要技术指标：

二次电子分辨率：3.0nm（25KV,高真空模式）

加速电压：0.3~30KV

样品台：X: 80mm, Y: 40mm, Z: 5~35mm, 倾斜角度：-20~90度

最小曝光尺寸：80nm （线的宽度或点的直径）

用途：纳米曝光。

设备名称：多功能等离子体系统

设备型号：JGMF500

生产厂家：上海纳晶科技有限公司

主要技术指标：

系统本底真空度：< 1×10-5Pa

共聚焦磁控阴极：4套，角度可调，共溅射

4英寸样品薄膜厚度均匀性＜±4％

样品加热温度范围：室温－500℃（磁控溅射）；室温－600℃（ PECVD）

用途：目前可制备3—4“薄膜种类：Ge2Sb2Te5、 Ge1Sb2Te4、Sb2Te3、Si、Ge、SiO2、Zn、ZnO、Ti、Pt、Au、Cu、W、In、Ag、Cr、Ni、Sb、Al、金属氮化物、合金等。




中国科学院上海微系统与信息技术研究版权所有

地址：上海长宁路865号 电话：86-21-62511070 邮编：200050