| 【中文篇名】 | 锂漂移金硅面垒探测器长期稳定性 |
| 【作者】 | 刘启礼; 汪如桂; |
| 【文献出处】 | 核电子学与探测技术 , Nuclear Electronics & Detection Technology, 编辑部邮箱 1981年 01期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 |
| 【中文关键词】 | 层厚度; 结电容; 长期稳定性; 计数率; 金硅面垒探测器; 甄别阈; 反向电流; 零偏压; |
| 【摘要】 | 测试了北京综合仪器厂生产的锂漂移金硅面垒探测器的反向漏电流、零偏压电容、噪声甄别阈和对~(6O)Coγ射线计数率。给出了室温、高温下长期存放和长期工作的实验结果。指出了这种探测器在一定条件下作为γ照射量率探测元件的可能性,以及长期稳定性改善的方法。 |
| 【DOI】 | CNKI:SUN:HERE.0.1981-01-008 |
| 【正文快照】 | 前言 半导体探测器在能谱分辨方面的应用早已显示了它的良好特性。作为y照射量率探测元件,硅锂漂移探测器早就被人们注意了。然而它的长期稳定性问题却是人们十分担心的问题。 这种探测器的稳定性问题是决定能否用于野外仪器的关键问题。由于锂离子在硅中迁移率很高(室温下为5 |
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