北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售，是集三方股东（中科院物理所，上海汇合达投资管理公司和新加坡吉星蓝光科技有限公司）在技术、资金、管理和市场等方面的优势而成立的中外合作经营高新技术公司。天科合达拥有实力雄厚的技术团队，是国内xx实现碳化硅晶体生长技术产业化的公司。

公司在科技部和国家其他部门的研究资金的大力支持下，经过多年卓有成效的研究，公司研发拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长技术和晶片加工技术，在国内首次建立了一条完整的从晶体生长，晶体切割、研磨到化学机械抛光的碳化硅晶片生产线，并建立了百级超净室，开发出碳化硅晶片表面处理、清洗、封装等工艺技术。相关专利技术已被国家知识产权局授权。

公司将致力于不断提高碳化硅晶体的质量和成品率，以及大尺寸碳化硅晶体的研发，将{zxj}的碳化硅晶体生长和加工技术产业化，大规模生产和销售具有自主知识产权的碳化硅晶片，促进中国宽禁带半导体产业和固体照明产业的发展，成为全球碳化硅半导体的主要生产商之一。

　　天富热电股份控股的天科合达蓝光半导体有限公司在中科院物理所的指导和支持下,在石河子天富高科技园区成功进行了碳化硅晶胚的产业化生产。经检测,各项性能指标均达到要求,填补了国内该产品空白,同时可助推我国第三代半导体产业进入世界先进国家的行列。与硅和砷化镓为代表的传统半导体材料相比,碳化硅具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等特征。碳化硅作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子器件对高、高频、高工、高压以及抗辐射的新要求,是半导体材料领域最有前景的材料之一,可广泛应用于航天探测、核能探测及卫星、发动机等高抗辐射领域。　此外,由于碳化硅（SiC）晶体与氮化镓（GaN）晶体在晶格和热膨胀性能相匹配,以及具有优良的热导性能,碳化硅半导体晶片也成为制造大尺寸,超高亮度白光和蓝光氮化镓（GaN）发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的理想衬底材料,为光电的关键基础材料之一。

　　天富碳化硅产业化项目被列入2007年国家科技支撑计划和兵团“一把手”主抓工程。经过科技人员的不懈攻关,目前已拥有24台晶体生长炉,从1月份至今生产碳化硅晶胚70余块,切割加工晶片600余快,创产值上百万元,还有24台晶体生长炉处在紧张安装阶段,今年6月前就可投入运行,届时年产能可达到三万片。成为全球第三、国内{dy}的碳化硅晶片供应商。目前全球碳化硅晶片生产技术主要掌握在以CREE、II-VI、Dow Corning为代表的少数几家美国企业手中,这三家美国企业合计占据全球90%以上的碳化硅晶片市场份额,天富热电研制成功碳化硅产业化项目,将打破国外公司的垄断。但需要提醒投资者的是,碳化硅项目真正走向市场尚需时日。碳化硅晶片有着广泛的应用前景。但据了解,目前国内还没有多少企业处于碳化硅产业的下游,整个产业链还未打通,我国公司对碳化硅的应用还很少,整个产业链的发育与国外相比还有很大差距。因此天富热电的碳化硅研究在国内是非常超前的,但也正是因为这个原因,天富热电希望从碳化硅获得高额的回报还需要相当的时间。”