我国LED起步于七十年代，八十年代形成产业，九十年代已具相当规模。在90年代后期，我国超高亮度LED产业迅猛发展，经历了进口器件销售——进口管芯封装（1998年前{bfb}进口）——进口外延片制成管芯并封装——自主生产四个阶段。根据中国光学光电子协会光电器件分会的统计,现在全国共有LED行业的企业1000多家，从业人员超过5万人，其中技术人员超过5000人。近几年LED的发展速度超过30%， 2002年LED产量超过150亿只，产值超过80亿元；2003年LED产值超过100亿元，产量约200亿只，其中超高亮度LED有几十亿只，其中超高亮度LED的发展速度超过50%。近两年国内成立的相关企业已经引进二十多台套MOCVD设备以及配套设备，总计投资数亿元人民币，形成了与国外产品竞争国内市场的态势，我国的研究基础和企业资本已经达到了形成LED产业的阈值水平，具备了进军半导体照明产业的基础。

（1）基础研究开发方面：

　　863计划从”八五”开始就认识到高亮度LED的迅速发展将对我国产生重大影响，在战略安排中将宽禁带半导体发光和激光器件的研制以及相应的基础材料、在线测量技术和设备、衬底材料、外延设备的研究组成一个重大研究群体。在至今已安排的项目中包括M0源的研制和生产；超纯氨的研究和生产；蓝宝石单晶和衬底的规模生产；蓝光LED；白光LED；GaN激光器探索；白光LED应用；MOCVD设备；蓝光LED外延片在线检测仪；GaN单晶和自支撑衬底材料等二十几个课题，投入4000万研究经费。很多单位对Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物材料做了不少基础研究工作，如南京大学、华南师范大学、复旦大学、浙江大学、厦门大学、西安交大、中国电子科技集团公司第55所等单位，对AlGaInP和GaN基的LED发展起到很大的推动作用。我国在金属有机源方面，“863”多年的支持，已经取得成效，建立了诸如江苏南大高科这样专门生产金属有机源的厂家，并已经开始生产和销售。大连的高纯氨也开始向科研和生产厂家供货。

（2）国内半导体设备方面：

　　目前国内从事半导体设备研制生产的主要力量有：①信息产业部有几个专门从事设备研发的单位，如：48所、45所等，但受体制的约束缺乏竞争能力，目前处于仿制国外产品，处在研究阶段。②国内有些研究所（如中科院半导体研究所、中科院微电子所、清华微电子所等）针对国内市场开发了MOCVD生长系统、ICP刻蚀机、磁控溅射设备、快速退火炉、接触式光刻机等，这些设备的研究开发人员有较好的器件工艺背景，研制的设备比较实用。③民间资本已投身于半导体仪器设备研究和市场开发。研制生产出LED后封装用研磨抛光机、晶片扩张机、压焊机、灌胶机、离膜机、LED光色电综合测试系统、LED光强分布测试仪、LED电参数测量分析仪等。但总的来说，中国半导体设备制造业的规模较小，设备的自动化程度低，升级换代的周期长，与国外先进水平相比差距还很大，设备研制开发能力大大落后于半导体器件的加工能力。MOCVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的关键设备,我国在这一领域还受制于国外。

（3）外延片和芯片方面

　　国内外延片和芯片生产厂家均是沿用1990年代中期国外的常规结构，其发光效率受常规芯片结构取光效率的限制，主要取决于外量子效率的提高，在高外量子效率芯片的生产技术方面，国内有较大的差距。我国超高亮度LED上游、中游（外延片和芯片）产业的起步阶段，制造的技术几乎都来源于科研院所和学校多年积累的科研成果；最近几年有些公司才开始引进海外归来学子或通过收购外国公司作为技术来源。

　　四元系AlGaInP超高亮度LED方面，早期投入研究开发的有13所、山东大学、中科院半导体所等单位，主要在材料外延方面取得突破，同时研发LED芯片，并与企业合作开展产业化工作。接着，山东华光光电子公司、13所、厦门三安公司在材料外延和芯片制造的产业化方面都取得进展，能批量提供红、橙、黄色超高亮度LED外延片和芯片。在芯片制造方面，还有上海大晨公司、深圳普光公司等多家企业均能够批量提供超高亮度AlGaInP红、橙、黄色LED芯片。就目前国内能提供的四元系AlGaInP红、橙、黄色LED芯片来看，总产量太少，还远不能满足市场的需求。此外，国内企业还无法提供发射功率较大的xx次芯片，而芯片参数的一致性、抗光衰、可靠性指标等有待进一步提高。