关于数字电桥内阻的解释阿里巴巴zctek118的博客BLOG
高低档电桥及不同系统电桥由于设计的出发点及应用范围不同,具有不同的内阻。对低导磁率抗饱和的电感,内阻对被测件影响不大,测试电平变化时,电感量及Q值恒定。对于高导材料,例如镍锌材质的磁环或其他用于滤波器的工件,导磁率受到外影响很大,LCR或LCZ电桥的源电流对这些被测件μ值影响较大。对于ZC2816系列电桥,它的源内阻是30/100可选的,设计出发点是为了检验被测件在一定驱动电流(即磁场强度)情况下,材质的变化程度,变化以电感值及Q值来体现,从而检验出材料的铁损等缺陷。所以仅以测试电平为条件,要求低档电桥数据要和其他电桥在测量高μ材质线圈时,测出的电感值或Q值一致,是很困难的,也是不科学的。

    (1):测试条件能使测试数据有很好的对比性。

电桥CPU以正弦波为基本计算模式,  所以我公司建议您从以下几个方面考虑电感值和Q值在电平变大时有较大的变化:

1.要特别注意您的上游厂的测试条件及测试仪器的系统,即同种类型和同种条件的要求。实际生产中不可能作复杂的波形分析。
2.上游厂或整机厂由于整机要求有时要将电感器件设计为抗饱和,有时要利用它的饱和特性,所以材料牌号很重要,材料牌号混料,凑成电感值一致是没有意义的,是{zd0}的误区。

3.仪器本来就是从不同层次揭露产品缺陷的工具,不要根据低档仪器忽略的问题来和xx仪器比,将抗饱和器件和高μ材料材质的器件混为一谈。



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