半导体三极管的核心是两个紧靠着的PN结。

1组成PNP（P管）、NPN（N管）

基极：信号输入端 用B表示。

集电极：收集电子端 用C表示。

发射极：发射电子端 用E表示。

2分类：

①     按功率：大功率、中功率、小功率。

②     按频率：高频管、低频管。

③     按管芯材料：硅管、锗管。

④     按用途：放大管、开关管。

3三极管的电流放大作用

①     各极上的电流关系：Ie="Ic"+Ib（节点电流定理）

②     含义：基极电流Ib微小变化控制了集电极电流Ic较大地变化即电流放大原理也称“以小控大原理”。（“以小控大”不是能量的放大）

③     起放大作用的条件：发射结正偏（0.7V）、集电结反偏（1V以上）。

发射极与基极之间的PN结称为发射结，集电极与基极之间的PN结称为集电结。

即Vc〈Vb〈Ve（PNP）      Vc〉Vb〉Ve（NPN）

4三极管的联接方式

①共发射极电路（多用）   ②共基极电路    ③共集电极电路（少用）

5三极管的特性曲线

①     输入特性曲线：

意义：在Vce一定的条件下，来看Vbe与Ib的关系称为输入特性曲线。

当Vce>1V时Vce的变化对输入特性曲线的影响不大（即恒流性，可以用来制做直流稳压电源）。

②     输出特性曲线：

意义：在Ib一定时Vce与Ic之间的关系。

⑴截止区（Ic≈0）：Vbe在死区范围之内Vbe很小，Ib="0"→Ic≈0有少数穿透电流（由少数载流子引起）。当三极管的发射结反偏或两端电压为零时，三极管处于截止状态。

⑵饱和区：△Ib与△Ic不成比例（即Ic不随Ib的增大而变化）。如果三极管后面接有喇叭会出现尖叫声。当三极管的发射结和集电结都正偏时，三极管处于饱和状态。三极管饱和后，饱和压降Vces：硅管约为0.3V，锗管约为0.1V。

⑶放大区（最常用的工作区）：Ic受Ib的控制，即△Ic=β△Ib，具有电流放大作用。当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于放大状态。

⑷总结：截止区：发射结和集电结均反偏。

        饱和区：发射结和集电结均正偏。

        放大区：发射结正偏，集电结反偏。

6三极管的主要参数

①共射极电流放大系数β：β=△Ic/△Ib

②极间反向饱和电流ICBO、ICEO（少数载流子）与温度有关，加装散热片可以减小它。选择时越小越好。

③极限参数：

⑴集电极{zd0}允许电流ICM：IC过大，β就会下降，当β下降到正常值的2/3β时的IC称作ICM。

⑵反向击穿电压：

VCEO：它是基极开路时，加在集电极和发射极之间的{zd0}允许反向电压。约为几十伏。超过此值后，若电击穿导致热击穿会损坏管子。

VCBO：它是发射极开路时，集电极与基极之间的{zd0}允许反向电压，通常比VCEO大些。

VEBO：它是集电极开路时，发射极与基极之间的{zd0}允许反向电压，一般在5V左右。

④ 集电极{zd0}允许耗散功率PCM：它是IC与VCM乘积允许的{zd0}值，超过此值三极管会过热而损坏