半导体集成电路制造手册,作者:(美)耿怀玉,译者:赵树武,陈松- 图书,教材 ...
半导体集成电路制造手册是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试,从基础知识到{zx1}技术。针对{zy}化设计和{zj0}制造工艺,提供了以{zd1}成本制造{zj0}质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的{zx1}信息,以及{zxj}的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。 i/n ee_  

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p`A2^FS)  
f OR9N/  
{dy}部分 半导体基础介绍及基本原材料 EV Z1Z  
第1章 半导体芯片制造综述 Ssz;d&93  
1.1 概述 u 6?9#L(  
1.2 半导体芯片 w{dRf!b69  
1.3 摩尔定律 1hCU"|VH:  
1.4 芯片的设计 ogQfzk  
1.5 芯片生产的环境 &dWGa+e  
1.6 芯片的生产 0AffD:  
参考文献 $ -<(geI  
第2章 集成电路设计 sT!?nn3O`  
2.1 概述 p&Q m[!  
2.2 集成电路的类型 G8__6v~  
2.3 p-n结 Rrry;Hr  
2.4 晶体 wE=I3E%  
2.5 集成电路设计 :7.k E  
2.6 集成电路设计的未来走向及问题 vxk0@k_  
参考文献 nj;3U^  
第3章 半导体制造的硅衬底 9)S3{i6w  
3.1 概述 NrXIaN  
3.2 硅衬底材料的关键特性 e_3jyA@v  
3.3 硅晶圆制造基础 6la'\l#  
3.4 硅衬底材料 J!~kqNI  
3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战 H{N},B  
3.6 结论 # T>?g5I  
参考文献 GJQ>VI2cY  
第4章 铜和低κ介质及其可靠性 U*yOe*>  
4.1 概述 (j@c946z""  
4.2 铜互连技术 zvq}7,  
4.3 低κ介质技术 i4k [#x  
4.4 铜/低κ介质的可靠性 I2RXw  
参考文献 W,yLGz\  
第5章 硅化物形成基础 Vfk"}k/do  
5.1 概述 svxjad@l/  
5.2 硅上工艺基础 GKF!GbGR@  
5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成 IOC$jab@  
5.4 结论 v_U/0 0  
参考文献 yN`&oya  
第6章 等离子工艺控制 9yTDuhJ6  
6.1 概述 os;9 4yd )  
6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理 [Rq|;p  
6.3 工艺控制和量测 KTmwkZcfYD  
6.4 干法刻蚀的特性 q\jq9)  
6.5 未来趋势和结论 dZ* &3.#D5  
参考文献 u^^jt(j  
第7章 真空技术 reYIF*  
7.1 真空技术概述 jZmL7 V  
7.2 测量低气压压力的方法 ~~"U[G1  
7.3 产生真空的方法 VE/m|3%t  
7.4 真空系统的组成部件 kt_O=  
7.5 泄漏探测 Si23w'T  
7.6 真空系统设计 Uh1UZ r  
7.7 未来趋势和结论 [z7]@v6b  
补充读物 {`)o xzR  
信息资源 #^|2PFh5  
第8章 光刻掩膜版 vF@|cTRR)  
8.1 概述 N(J#<;!yb  
8.2 光刻掩膜版基础 ?/@XJcm+  
8.3 光刻掩膜版生产设备  \oGU6h<  
8.4 运转、经济、安全及维护的考虑 vt(}8C+  
8.5 未来趋势与结论 Dcs O~mg  
参考文献 )N3/;U;  
第二部分 晶圆处理 1Zo3K<*J  
第9章 光刻 pD~."fb  
9.1 光刻工艺 y6G6wk;  
9.2 光学光刻成像 1guiuR4  
9.3 光刻胶化学 ].QzOV'  
9.4 线宽控制 Z%I ' sWOd  
9.5 光刻的局限性 8r0;054  
补充读物 aE:$ N#|Qa  
第10章 离子注入和快速热退火 i{HzY[  
10.1 概述 ~Hx>yn94e  
10.2 离子注入系统的组成部分 oHV!>K_D  
10.3 后站结构 $c+:dO|Fb  
10.4 关键工艺和制造问题 .NF3dC\  
10.5 离子注入的资源 >pq=5Ha&  
参考文献 bK!uR&i^l  
第11章 湿法刻蚀 =%[vHQ\%  
11.1 概述  N=!k2+  
11.2 含HF的化学刻蚀剂 PL3oV<\4s>  
11.3 金属刻蚀 ZRa~miKyM  
11.4 湿法刻蚀在混合半导体中的应用 0o 8V8 :  
11.5 湿法刻蚀的设备 h{ EnS5~  
11.6 环境、健康和安全问题 S'IQbHz*  
参考文献 BGO pUy  
第12章 等离子刻蚀 .;:dG  
12.1 概述 r!p:73L8  
12.2 硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀 j>hBNz  
12.3 硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀 _U~~[I  
12.4 III-V族混合半导体中的等离子刻蚀 ~ =$d>ZNQ  
12.5 等离子刻蚀的终点探测 <EuS6Pg  
12.6 结论 `k9a$@Xg  
致谢 h,i=Y+1  
参考文献 IG8I<+<o  
第13章 物理气相淀积 '#612iZo  
13.1 物xx相淀积概述 $< .wQ8:Q  
13.2 PVD工艺的基本原理 L\t?^u  
13.3 真空蒸发 !<5Wi)*  
13.4 蒸发设备 e,@5`aYHM@  
13.5 蒸发淀积的层及其性质 BvpUcICJ  
13.6 溅射 r]bG,? |  
13.7 溅射设备 G~zP&9N|  
13.8 溅射淀积的层 6oq/\D$6~  
13.9 原子层淀积:薄膜淀积技术的新远景 :gx]zxK  
13.10 结论与展望 En YEAjX  
参考文献 c/-PEsk_TP  
第14章 化学气相淀积 n6#z{,W<3  
14.1 概述 xZ`h8  
14.2 原理 C=P}@|K  
14.3 CVD系统的组成 K5(:0Q.5y  
14.4 预淀积与清洗 )bK3%>H#  
14.5 排除故障 zB#.EW  
14.6 未来趋势 O`0\f8/.?  
参考文献 $%?[f;S3,  
第15章 外延生长 z /f0 .RJ  
]oyWJ#8  
15.1 概述 a- 7RJ.  
15.2 用于先进CMOS技术的硅外延  ~5n?=  
15.3 制造 <l$ vnq  
15.4 安全和环境健康 ]1|OQYG  
15.5 外延的未来发展趋势 F[~~fm_  
15.6 结论 dG}*M25  
参考文献 zTfl#%  
补充读物 Y|-:z@n6C  
第16章 ECD基础 }C5Fvy6uz  
16.1 概述 zz-X5PFn  
16.2 基本的ECD技术(电镀工作原理) c"NGE  
16.3 铜大马士革ECD工艺的优点 X92I==-w  
16.4 铜ECD的生产线集成 P7;q^jlB  
16.5 铜ECD工艺的其他考虑因素 h`Xl~=  
16.6 未来趋势 z"V`8D  
16.7 结论 fILD~  
参考文献 Ss'Dto35Q  
第17章 化学机械研磨 KZ|p_{0&  
17.1 CMP概述 zu``F]B  
17.2 常见的CMP工艺应用 Gvqu v\  
17.3 CMP的工艺控制 ^6 \@$   
17.4 后CMP晶圆清洗 v8K4u)  
17.5 常见的CMP平台与设备 VQn]"G( `  
17.6 CMP工艺废弃物管理 1"U.- I@  
17.7 未来发展趋势与结论 _j|U>s   
参考文献 zq]:.s  
信息资源 >!#or- C  
第18章 湿法清洗 IUQYoKz4}A  
18.1 湿法清洗概述与回顾 tdnd~WSR  
18.2 典型半导体制造:湿法清洗工艺 %DhLU~VX  
18.3 湿法清洗设备技术 {-L}YX"Bh  
18.4 未来趋势与结论 @;>Xy!G  
参考文献 d6~d)E  
第三部分 后段制造 GD#W=O  
第19章 目检、测量和测试 $ZnVs@:S  
19.1 测试设备概述 ib~EQ?u{  
19.2 测试设备基础和制造自动化系统 3y-P-NI~=  
19.3 如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备 K=!?gd!Vw  
19.4 操作、安全、校准、维护中的考虑因素 Is }?:ET  
19.5 未来趋势和结论 mH!\]fmR~  
致谢作者 _)^`+{N<  
补充读物 <u2iXH5w  
信息资源 &Y$)s<u8.  
第20章 背面研磨、应力xx和划片 /{nZ I_v#  
20.1 概述 u|\K kk  
20.2 背面研磨技术 +(vL ~  
20.3 晶圆背面研磨机 R!7a;J}  
20.4 划片 %)j^>W5  
20.5 划片机 qN6GLx%  
20.6 生产设备要求 2T}FX4 '  
20.7 晶圆减薄 -.hH,zm  
20.8 全合一系统 o@:u:n+.  
20.9 未来技术趋势 'K3%@,O  
补充读物 &^@IAjxn  
第21章 封装 EO \@#",a  
21.1 概述 _CXXgF[OCA  
21.2 封装的演变 k0!D9tk  
21.3 凸晶及焊盘重布技术 bL18G(5  
21.4 实例研究 h_ J|uu  
21.5 光电子和MEMS封装 VWcR@/3  
参考文献 ;gv9J [R  
补充读物 cy4V*zwp  
第四部分 纳米技术、MEMS和FPD >l|dLyiae  
第22章 纳米技术和纳米制造 $)Pmr1==  
22.1 什么是纳米技术 \.jT"Z~  
22.2 纳米技术和生化技术 zhFk84  
22.3 纳米制造:途径和挑战 ce P1mO  
22.4 纳米制造——不仅仅是工程和工艺 _"#ucM=B:-  
致谢 iv62Fs'  
参考文献 Bn_@R`  
第23章 微机电系统基础 ;l6tZ]-"  
23.1 概述 xkzC+ _A  
23.2 MEMS的技术基础 Pkw ` o #  
23.3 微机电系统制造原理 zn |/h,.  
23.4 微机电系统的应用 i%)Nn^a;T  
23.5 未来的趋势 i@M^9|Gh  
23.6 结论 cQMb+Q2Yw  
参考文献 T=QV =21qn  
其他信息 ^L1#  
第24章 平板显示技术和生产 C%csQ m  
24.1 概述 H `V3oS~}  
24.2 定义 iZ3%'~K<3J  
24.3 平板显示的基础和原理 %?3\gFvBo  
24.4 平板显示的生产工艺 r%g?.4o*b  
24.5 未来趋势与结论 mb\}F9  
补充读物 })R8VJ&C/  
第五部分 气体和化学品 0NB6S&lI^k  
第25章 特种气体和CDA系统 =x4:jas  
25.1 概述 Xh/i5}5 t  
25.2 半导体生产工艺的要求 _|S>, D'  
25.3 法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题 *@q+A1P7@  
25.4 特殊气体的分配和输送 :Gh* d)  
25.5 执行 D@yg)$;z  
25.6 特殊气体系统的未来趋势 3:i4DBp,i  
25.7 洁净干燥空气 \*H/YByTb  
25.8 结论 _XtLO- D  
致谢 ,#1 ke  
参考文献 8x jJ  
补充读物 <R7* 00  
第26章 废气处理系统 TR,,=3n  
26.1 概述 0Ng6Xg(QHc  
26.2 基本原理 !ZbNW4rIP  
26.3 主要组成部分 PKR0y%Ar  
26.4 重要考虑因素 hi >Ii2T  
26.5 未来趋势 d3T|N\(DL  
参考文献 YWeEvo(,=  
第27章 PFC的去除 -9/YS  
27.1 高氟碳化合物 $nQ; ++  
27.2 减少PFC排放的策略 Mk= tS+  
27.3 PFC去除理论 YL&$cT]1  
27.4 催化法去除 r!yrPwKL  
参考文献 C^Tc9  
第28章 化学品和研磨液操作系统 <"/Y`/  
28.1 概述 *%'4.He7V  
28.2 化学品和研磨液操作系统中的要素和重要条件 jDcE_55o  
28.3 设备 VZF/2d84&w  
28.4 高纯化学品的混合 J$&!Y[0  
28.5 系统的纯度 OCo=h|qBp  
28.6 CMP研磨液系统 (iGk]Rtzt  
28.7 结论 %B3E9<9>U  
参考文献 B[C2uVEX:  
第29章 操控高纯液体化学品和研磨液的部件 *f.eyg #  
29.1 概述 +KDB^{  
29.2 流体操控部件的材料 @= 6}w_  
29.3 金属杂质、总可氧化碳量和颗粒污染物 xx nW1`]  
29.4 工业检测标准和协议 waQNX7Xdn  
29.5 操控流体的部件 zkI\ji  
29.6 流体测量设备 ! s?vj <  
29.7 工艺控制的应用 x<P$$G/  
29.8 结论 Sq UoXNw  
补充读物 =! 9+f  
第30章 超纯水的基本原理 -}MWA>an8  
30.1 概述 g*b%  
30.2 UPW系统的单元操作 TPq5"mco  
30.3 初始给水 UALwr>+VJ  
30.4 预处理 T}$1<^NK  
30.5 初级处理 WsL*P .J  
30.6 最终处理、抛光和配送 ]3NH[&+  
30.7 未来趋势 ]"q)X{G(+  
参考文献第六部分 气体和化学品 8P Dt 7 \  
第31章 良品率管理 y!1%Kqx1,n  
31.1 概述 6;l{9cRgc  
31.2 良品率管理定义及其重要性 -F/"W  
31.3 良品率管理基本要素及良品率管理系统的执行 .2C}8GGC'  
31.4 优化良品率管理系统所要考虑的问题 62PtR`b >  
31.5 未来趋势与结论 }C}~)qaZv+  
补充读物 s!9.o_k  
第32章 自动物料搬运系统 KR^lmN  
32.1 概述 "e6 9aAA,  
32.2 AMHS的主要组成部分 8%_XJyg  
32.3 AMHS的设计 gLsl/G  
32.4 运营中的考量 WQ\'z?P  
32.5 未来趋势 d0Py[37V  
第33章 关键尺寸测量方法和扫描电镜 E&Pv:h,pV&  
33.1 概述 U-QK   
33.2 关键尺寸测量基本概念 s_hf,QH  
33.3 扫描电镜的基本概念 5,:>.LRA  
33.4 扫描电镜规格和选择流程 JX7_/P  
33.5 未来趋势与结论 y"#o9"&>&  
参考文献 AY5%<CWj8  
第34章 六西格玛 $ii/Q:w T"  
34.1 什么是六西格玛 &{!FE`ZC_  
34.2 六西格玛的基本强项 \zR@FOl`q  
34.3 主要的DMAIC阶段 Yz us=  
34.4 六西格玛设计(DFSS) \sEq r)\k  
34.5 应用实例 -%E+Yl{v  
34.6 未来趋势与结论 luACdC  
补充读物 jAB~XaT,  
第35章 高级制程控制 QFY1@2EC  
35.1 技术概况 KhIg  
35.2 高级制程控制的基本知识 ,j>A[e&.  
35.3 应用 .:A9*,  
35.4 应用所需要考虑的事项 Eyv%"+>  
35.5 未来趋势与结论 %ZF47P%6  
参考文献 4/vQ/>c2j  
第36章 半导体生产厂区环境、健康和安全方面需要考虑的事项 \B/ +.\  
36.1 概述 Z`y%#B6x.  
36.2 半导体制造过程中的EHS危害 c}v>Mx  
36.3 适用于半导体制造者的EHS法规 *WdnP.'Y  
36.4 遵守法规之外的期望 @px2/x  
36.5 半导体工业EHS的未来走向 BQ! v\1'C  
参考文献 }TE4)vXs  
信息资源 g: <2yT  
第37章 芯片制造厂的计划、设计和施工 Af y\:&j  
37.1 概述 U?BuV  
37.2 计划 0*$?=E  
37.3 设计 r0jhIE#  
37.4 施工 d0ZbusHHb  
37.5 结论 MoAZ!cF8  
致谢 (b!`klQ  
第38章 洁净室的设计和建造 JSO'. [N  
38.1 概述 =XAFW  
38.2 洁净室标准、分类和认证 4l)Q  
38.3 典型洁净室 J+IkTqw  
38.4 气流分布与模式 >2kjd  
38.5 换气 V'n4iM  
38.6 洁净室的组成 1uz7E  
38.7 空调系统的要求 (>.+tq }  
38.8 工艺污染控制 Cx,)$!1  
38.9 振动和噪声控制 @-d0 ~.S  
38.10 磁性和电磁通量 f 3bZ*G%f  
38.11 空气和表面静电电荷 b!do7%]i  
38.12 生命安全 E 0k1yA  
38.13 流体动力学计算机模拟 L~Hgf/%5  
38.14 洁净室经济性 iD/r8_}  
38.15 实践中的问题及解决方案(举例) 3B+ F'k&#  
补充读物 ,sn/FT^; q  
信息资源 w =MZi=p  
第39章 微振动和噪声设计  oJ<Wh @  
39.1 概述 zSU06Y  
39.2 测量方法和标准 JsA9Xdk`  
39.3 振动和噪声源 #c2InwZV  
39.4 地基和结构设计 x>E**a?!L  
39.5 机械/电动/工艺设计中的振动和噪声控制 a%h'utF{[  
39.6 声学设计 4 Ii@_r>  
39.7 机器厂务连接 %s#`i$|z*n  
39.8 厂务振动检测的目的与时机 N]p|c3D  
39.9 振动和噪声环境的老化 VB?mr13}G  
39.10 未来方向和特例 -6()$cl}0  
致谢 wq( m%F  
参考文献 CwV1~@{-  
第40章 洁净室环境中静电放电的控制 i>M*ubWE4@  
40.1 半导体洁净室中的静电电荷 L qHeLN  
40.2 静电在洁净室中的危害 JMMsOA_]  
40.3 静电电荷的产生 wFW2m  
40.4 绝缘体和导体 g>[|/z P  
40.5 洁净室内的静电管理 P80z@!  
40.6 空气离子化对静电电荷的控制 VesO/xG<  
40.7 静电测量 t;DZ^Z"{  
40.8 空气离子发生器的应用 ynR0m  
40.9 结论 zS:89y<  
参考文献 k3m|I*_\L  
第41章 气体分子污染 -(n[^48K  
41.1 化学污染的介绍及气体分子污染的定义 X$O,L[] 4  
41.2 气体分子污染的分级 ^i{B8]2,  
41.3 AMC控制的考虑 SnbH`\U"  
41.4 AMC控制的执行 E<3hy  
41.5 气相化学过滤器 R]%ZqT{P S  
41.6 干式涤气过滤器介质 !oU$(,#9  
41.7 化学过滤系统的设计 %E7+W{?*1  
41.8 AMC监控 yZ,k8TJ",  
41.9 AMC控制的应用区域 a4,bP*H  
41.10 AMC控制的规范和标准 a#1LGH7E8  
41.11 选择一种AMC控制系统 zQ {g~x  
41.12 {zh1}的考虑 ?ZS G4La\  
41.13 结论 kq:,}fc;B  
参考文献 UTUIL D  
信息来源 UhY )rezh  
第42章 半导体制造业中微粒的监测 C[r YVa .  
42.1 概述 $X9Ba n]  
42.2 微粒检测仪的操作原理 yQhrPw> m  
42.3 详细说明一个微粒检测仪 c6s(f  
42.4 关于在气体应用中的特殊考虑 dqUhp_f2qK  
42.5 关于在液体应用中的特殊考虑 Ph]e\  
42.6 污染控制的层次 R^](X*  
42.7 空气传播中分子污染 w}NgFrL  
42.8 结论 "MC&!AMv  
参考文献 4g\a$7 r  
第43章 废水中和系统 l,*Q?q  
43.1 概述 _gC<%6#V`r  
43.2 水和pH值 ~8pf.^,fi  
43.3 应用评价 m1F<L  
43.4 标准pH值调节系统的结构 P603P  
43.5 系统优化 nQ$N(2<Fe  
43.6 控制系统 0E\R\KO$>  
43.7 用于pH值调节的化学药品 wmo'Pl  
43.8 pH值调节在化学机械刨光(磨光)、降低金属和降低氟化物含量中的应用 AF3t#)q  
补充读物 k}lx!Ck  
附录 (sqS(xIY  
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