A, Ampere 的缩写, 安培
a-Si:H, amorph silicon 的缩写, 含氢的, 非结晶性硅.
Absorption, 吸收.
Absorption of the photons:光吸收;当能量大于禁带宽度的光子入射时，太阳电池内的电子能量从价带迁到导
带，产生电子——空穴对的作用，称为光吸收。
Absorptionscoefficient, 吸收系数, 吸收强度.
AC, 交流电.
Ah, 安培小时.
Acceptor, 接收者, 在半导体中可以接收一个电子.
Alternating current, 交流电，简称“交流. 一般指大小和方向随时间作周期性变化的电压或电流. 它的最基
本的形式是正弦电流. 我国交流电供电的标准频率规定为50 赫兹。交流电随时间变化的形式可以是多种多
样的。不同变化形式的交流电其应用范围和产生的效果也是不同的。以正弦交流电应用最为广泛，且其他
非正弦交流电一般都可以经过数学处理后，化成为正弦交流电的迭加。
AM, air mass 的缩写, 空气质量.
直射阳光光束透过大气层所通过的路程，以直射太阳光束从天顶到达海平面所通过的路程的倍数来表示。
当大气压力P=1.013 巴，天空无云时，海平面处的大气质量为1。
amorphous silicon solar cell:非晶硅太阳电池（a—si 太阳电池）
用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，亦称无定形硅太阳电池，简称a—si 太阳电池。
Angle of inclination, 倾斜角，即电池板和水平方向的夹角，0-90 度之间。
Anode, 阳极, 正极.
Back Surface Field, 缩写BSF, 在晶体太阳能电池板背部附加的电子层, 来提高电流值.
Bandbreak, 在半导体中, 价带和导带之间的空隙,对于半导体的吸收特性有重要意义.
Becquerel, Alexandre-Edmond, 法国物理学家, 在1839 年发现了电池板效应.
BSF, back surface field 的缩写.
Bypas-Diode, 与太阳能电池并联的二极管, 当一个太阳能电池被挡住, 其他太阳能电池产生的电流可以从它处通过.
Cadmium-Tellurid, 缩写CdTe; 位于II/VI 位的半导体, 带空隙值为1,45eV, 有很好的吸收性, 应用于超薄
太阳能电池板, 或者是连接半导体.
Cathode, 阴极，或负极，是在电池板电解液里的带负电的电极，是电池板电解液里带电粒子和导线里导电
电子的过渡点。
C-Si, crystalline-silicon 的缩写.
Cell temperature:电池温度 .系指太阳电池中P-n 结的温度.
Charge control, 充电控制器，在电池板设备和电池之间联接。它控制并监控充电的过程。其他的功能如
MPP（{zd0}功率点跟踪）和保护电池不过多放电而损坏。
CIGS, Copper Indium Gallium Diselenide 的缩写.
CIS, Copper-Indium-Diselenide 的缩写.
Concentrator solarcell, 浓缩电池板，借助反光镜或是透镜使阳光汇聚在电池板上，缺点是要不停地控制它
的焦点一直在电池板上，因为太阳在不停地动。
Concentration? ratio:聚光率;聚光器接收到的阳光光通量与太阳电池接收到的光通量之比叫聚光率。
Conductibility, 当金属或半导体加上电磁场后，将会有一个和电磁场成比例增加的电流存在，该电流可以
用电流密度来描述，即单位面积的电流强度。该电流强度越大，则说明该物质的导电能力越强，单位是S/cm2。
西门子每平方厘米
Conduction band, 导带，通过许多原子的交换效应，在半导体内部会出现导带和价带，之间通过带沟隔开，
电子可以运动到空穴里，空穴可以运行到价带里，例如在电磁场的作用下或通过传播，空穴电子对等。
Connection semiconductor, 连接半导体，指由两个或多个化学元素组成的半导体，如镓砷，镉碲，铜铟等。
Copper-Indium, 铜铟化合物，因为在薄层电池板里它具有很高的吸收能力，铜的电子价带具有1.0 电子伏
特，所以该化合物组成的电池板可以达到15.4%的效率。
Copper-Indium-Galium, 铜铟化合物化合物，因为在薄层电池板里它具有很高的吸收能力，在掺杂镓的铜
的电子价带具有1.0 到2.7 电子伏特，所以该化合物组成的电池板可以达到17.7%的效率。
Corn border, 多晶硅每个晶体之间的边界，阻碍电荷的移动，因此单晶硅的效率总的来说比多晶硅高。
Crystal silicon, 晶体硅
Current, 电流，电流是指电荷的定向移动。电流的大小称为电流强度（简称电流，符号为I），是指单位
时间内通过导线某一截面的电荷量，每秒通过一库仑的电量称为一「安培」（A）。安培是国际单位制中所
有电性的基本单位。 除了A，常用的单位有毫安（mA）及微安(μA) 。
Czochralsky-Procedure, 制造单晶体硅的方法, 从硅中熔炼出来.
DC, 直流电的缩写.
Degradation, 太阳能电池板的效率会随着光照时间增加而降低.
Diffusion, 电荷扩散, 产生一个浓度层.
Diode, 二极管, 电流只能朝一个方向流动. 太阳能电池其实理论上就是一个大面积, 被照射的二极管, I/U
曲线特性.
Donator, 捐赠者, 在半导体中可给出一个电子. 对于硅, 原则上磷可作为捐赠者
Duennschichtsolarzelle, 一种不用晶片, 而是才用超薄技术生产出来的超薄太阳能电池板, 其材料为a-Si:H,CdTe, CIS, GaAs.
Duennschichttechnik, 生产超薄太阳能电池板的技术, 直接从便宜的基层材料制作, 比如玻璃, 金属层, 塑
料层. 优点是省材料, 能源, 可制作大面积的太阳能电池板. 使用金属为a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs.
Efficiency, 效率, 指一个光伏单元产生的电能除以它所受的光照强度.
EFG-Procedure, Edgedefined Film Growth 的缩写. 用这个方法可以从硅中熔炼出8 角形的管子, 棱长10 厘
米, 总长可以到5 米,可以切割成10x10 厘米晶片.优点是切割损耗少.
EG-Si, Elecronic Grade Silizium 的缩写, 用于芯片制作的高纯度硅.
Electrolyte, 电解质.
Elektron, 电子.
Elektronen-Loch-Paar, 电子空穴对, 半导体吸收一个光子, 释放出一个电子和一个空穴.
Enclosure, 包装，防风雨模块的保护。 例如玻璃，等材料。
EVA, Ethylen-Venyl-Acetat 的缩写. 封装太阳能电池板的薄膜.
Fresnel lens:菲涅尔透镜;用微分切割原理制成的薄板式透镜。
FZ, float-zone-procedure 的缩写.
GaAs, Galllium Arsenid 的缩写.半导体, 被用于太阳能电池板时, 效率可达22%.
Geometrical concentrator ratio:几何聚光率;聚光器面积与太阳电池面积之比叫几何聚光率。
Grid, 太阳能电池板上的金属导线.电阻越小越好, 这样能量损失少.
Hole saw, 空穴锯，空穴锯是一个非常薄的金属片，就像耳膜一样薄，这个薄片在正中央有一个洞，它的边
缘使用金刚石刀。使用该薄片切割使损耗在0.2 到0.3 微米之间。
Hole, 空穴，正的带电体，在半导体接收光照后，和电子同时出现的带电体，一般成为空穴电子对。
Hot Spot, 热点，在电池板部分被阴影遮挡时，被遮挡的单元不能发电同时有很大的电阻，对于串联的电路
会有很大的热损耗，甚至烧坏该点的电池板。 为了避免此情况的发生，旁路二极管与各自的单元并联。从
而便免 欧姆的热损失。
I：电流的缩写，国际单位为安培
Indium-Zinn-Oxid： 缩写（ITO)， 铟锌氧化物，透明的半导体，并具有很高的导电性，作为透明接触层
应用于对很薄的电池板单元或是彩色物质单元.
Ingo: 从多晶硅或是单晶硅提炼出的块状物.
Integrated serial switching：集成的串联技术，在生产大面积的电池板时应用于薄膜技术。 在生产过程中
大面积的电池板单元被激光束裁成单个的薄片，但是这个薄片的上表面要和邻居薄片的下表面组成串联。
集成的串联技术是除了节省材料外的一个重要优点的薄膜技术。
Intensity： 光照强度， 物理测量的单位面积的光照功率，单位是瓦特每平方米。
Intrinsic：描述一个没有掺杂的半导体和一个掺杂半导体的对比.
Inverter：逆变器，将变化的MPP 由太阳能电池板提供的直流电转化为电网交流电的变频器.
Ion： 离子，分正和负的原子或者分子，离子在电解液里起到导电的作用。
ISC：短路电流。
Island system：孤岛系统，是不和大电网联网，只是供自己使用的光伏系统，例如只是在山里或是小岛上
的光伏发电系统。
ITO：是铟锑氧化物的缩写.
I-U-characteristic curve： 电池板I-U 特征曲线，代表太阳能电池的典型特征。 在这里太阳能电池板的输
出的电压和电流的关系。 从I-U-曲线里可以看出该电池板以下的特征：电池板{zd0}利用率，短路电流，开
路电压，电池板效率等。
kT, 热学能量(k= Boltzmann 常数, 1.381x10-23 J/K, T