HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X   X   X   X - XX   X
1 2   3   4   5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分 别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1．   HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2．  内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3．  处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4．  芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5．  内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6．  内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7．  接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8．  内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9．  能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．  速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就 能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的{zg}工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率）， 那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。