贴片电容的材质规格_OpenTech_新浪博客企业库|免费b2b网站

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。