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新工艺2Gb DDR3颗粒除了支持JEDEC规定的标准1.5V电压外，还支持更低的1.2V和1.35V。和先前的50nm制程工艺相比，每片晶圆的产量提高了44%，在十月份研发出业界最小的40nm 2Gb DDR3内存颗粒后，尔必达今天宣布其广岛工厂开始量产该DDR3内存颗粒，仅仅用了两个月时间就实现量产也是尔必达史上的一个里程碑。1.6Gbps数据传输率下的良率更是达到了{bfb}。
40nm 2Gb DDR3颗粒尔必达还将于2010年第二季度在旗下的瑞晶工厂生产40nm DRAM芯片，一切顺利的话，华邦、茂德还将在明年为尔必达代工生产DRAM颗粒，以增加尔必达的总体产能。
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