一直在考虑CPU降压加速电子迁移的问题,电子迁移(电迁徙)即电子不断同方向运动,并会对对铝原子进行冲击,造成铝原子逐渐移动而造成导体自身的不断损耗。电子迁移与电流I与温度T有关。 当时想法:假设CPU工作功率P不变,在电压V减小的同时电流I会相应增大,电子迁移加剧,CPU杯具进行中。 现在所有CPU的芯片都是由CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺制成。CMOS电路的动态功耗计算公式如下: P=C×(V~2)×f C是电容负载,V是电源电压,f则是开关频率。 假设一块额定频率为1GHz、额定电压为1.5V的CPU其动态功耗为P0 。经过超频以后,工作电压加压到1.65V,稳定运行在 1.3GHz ,此时其动态功耗为P1。因为CPU制成以后,其电容值C也就基本固定,可以看作常量,也就是说超频前后的电容值C相等。 可以得到: P0 = 1.5 ×1.5×1 ×C = 2.25C (W) P1 = 1.65×1.65×1.3×C = 3.54C (W) 以上是加压超频的,如果降压超呢? 也就是说开关频率上了,电压下了,功率可能不变,但相比加压超频省电不少,但是CPU的温度的确下来了。 以下是转自“福音主义”的内容 电子迁移现象是始终存在于半导体集成电路里的一种物理现象。 在电流加大的情况下,这种现象就更剧烈一些,如果电流太大了 所以,电流大和温度高是造成致命性的电子迁移的根源,而这两个 但是,一说到到电流大导致温度升高,有些人就想到了 P=I*I*R! 对不起,我说话又拽起来 了,网络文字吗,请大家不要太较真~~ 言归正传!让我来说说,cpu为什么不是电阻丝! P= Ps + Pt + Pc Ps:静态功耗 以CMOS电路中最基本的反向器为例,因为反向器正好一个P管一个N管, 其 中: Ps=Ios*Vdd 我 们看这三个公式,其他的我不想解释,学过半导体物理的人,一看 呵呵~~所以说降低电压肯定会降低功率的! 那功率降低了,发热也减小了,前面也说了,发热与电流是统一的引起 除非,还有什么其他因 素会损害cpu,那我目前就不了解了~~~ 再说的细致一点,还是看那三个公式,除了静态功耗外,其他两个公式 这点一定要搞清楚!不要一考虑问题就把欧姆定律搞出来~~~ |