降压使用对CPU没有危害_徵勣_百度空间
       一直在考虑CPU降压加速电子迁移的问题,电子迁移(电迁徙)即电子不断同方向运动,并会对对铝原子进行冲击,造成铝原子逐渐移动而造成导体自身的不断损耗。电子迁移与电流I与温度T有关。

当时想法:假设CPU工作功率P不变,在电压V减小的同时电流I会相应增大,电子迁移加剧,CPU杯具进行中。

现在所有CPU的芯片都是由CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺制成。CMOS电路的动态功耗计算公式如下:
P=C×(V~2)×f
C是电容负载,V是电源电压,f则是开关频率。
假设一块额定频率为1GHz、额定电压为1.5V的CPU其动态功耗为P0 。经过超频以后,工作电压加压到1.65V,稳定运行在 1.3GHz ,此时其动态功耗为P1。因为CPU制成以后,其电容值C也就基本固定,可以看作常量,也就是说超频前后的电容值C相等。
可以得到: P0 = 1.5 ×1.5×1 ×C = 2.25C (W)
P1 = 1.65×1.65×1.3×C = 3.54C (W)

以上是加压超频的,如果降压超呢?
也就是说开关频率上了,电压下了,功率可能不变,但相比加压超频省电不少,但是CPU的温度的确下来了。

以下是转自“福音主义”的内容

电子迁移现象是始终存在于半导体集成电路里的一种物理现象。

在电流加大的情况下,这种现象就更剧烈一些,如果电流太大了
就好比洪水 决堤--"河道"也就是电路就被损坏了!
那为什么电子迁移现象总跟"热"联系起来呢?那是因为"热"
能加剧原子的微观热运动,所以能够加 剧电子迁移的程度。
而且,集成电路中电流大的时候,总会很热!

所以,电流大和温度高是造成致命性的电子迁移的根源,而这两个
根 源的实质是统一的,电流大自然会导致温度升高!电流小发热自
然就小了!

但是,一说到到电流大导致温度升高,有些人就想到了 P=I*I*R!
这个公式是不能用在cpu上的,因为cpu的功耗P不是I和R的函数,
而是电压V的函数!所以有些人说"cpu的电压虽 然降低了,但是
总功率是不变的!"这句话就错了!!!这就是我说有些人用初
中思维看问题的原因。

对不起,我说话又拽起来 了,网络文字吗,请大家不要太较真~~

言归正传!让我来说说,cpu为什么不是电阻丝!
大家知道,现在cpu采用的都是CMOS电 路,CMOS电路是一种互补逻
辑电路,它的功率由三部分组成!

P= Ps + Pt + Pc

Ps:静态功耗
Pt: 顺态功耗
Pc:电容充电功耗

以CMOS电路中最基本的反向器为例,因为反向器正好一个P管一个N管,
是最基本的互补逻辑。

其 中:

Ps=Ios*Vdd
Pt≈1/2*(tr+tf)*It-max*Vdd*fc
Pc=Cl*fc*Vdd*Vdd

我 们看这三个公式,其他的我不想解释,学过半导体物理的人,一看
便知,大家只要注意三个公式里的Vdd就行了,可见Vdd一减小,功耗
全部 降低,总功率也就降低了~~

呵呵~~所以说降低电压肯定会降低功率的!
其实,说了这么多,最简单最有力的证明就是,电压降低后 cpu温度会
下降,这不就是{zh0}的证明吗?

那功率降低了,发热也减小了,前面也说了,发热与电流是统一的引起
电子迁移加剧 的根源,所以电子迁移作用自然会减弱。
所以,降低电压是不会引起电子迁移现象加剧的!那怎么能损害cpu呢?

除非,还有什么其他因 素会损害cpu,那我目前就不了解了~~~


再说的细致一点,还是看那三个公式,除了静态功耗外,其他两个公式
都有一个因子 -fc。这个就是频率,为什么功耗中会有频率这个因子呢?
那就得说说CMOS的工作原理,传统的CMOS电路功耗主要来自于Pt和Pc两
部 分,近年来ULSI(甚大规模集成电路)的普及才是Ps也重要起来!
而Pt一直作为IC最重要的功耗来源,只在CMOS电路逻辑翻转时才会产生,
tr 和tf就表示逻辑翻转的速度。所以cpu的电流大小可以说是由cpu的运行
频率和cpu中参与运算的晶体管数量成正比的,所以cpu不是电阻丝,
它 的电流{jd1}不是单纯由欧姆定律决定的!!!

这点一定要搞清楚!不要一考虑问题就把欧姆定律搞出来~~~



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