晶体管_辽西东子的空间
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。








晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。
一、晶体管的种类

晶体管有多种分类方法。



(一)按半导体材料和极性分类

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

(二)按结构及制造工艺分类

晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。

(三)按电流容量分类

晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

(四)按工作频率分类

晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

(五)按封装结构分类

晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。





(六)按功能和用途分类

晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

二、晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极{zd0}电流、{zd0}反向电压、反向电流等。

(一)电流放大系数

电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。

根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。

2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。

(二)耗散功率

耗散功率也称集电极{zd0}允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的{zd0}集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的{zg}允许结温和集电极{zd0}电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

(三)频率特性

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和{zg}振荡频率fM等。

1.特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

2.{zg}振荡频率fM {zg}振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常,高频晶体管的{zg}振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

(四)集电极{zd0}电流ICM

集电极{zd0}电流是指晶体管集电极所允许通过的{zd0}电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。

(五){zd0}反向电压

{zd0}反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的{zg}工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

1.集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的{zd0}允许反向电压,一般用VCEO或BVCEO表示。

2.集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的{zd0}允许反向电压,用VCBO或BVCBO表示。

3.发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的{zd0}允许反向电压,用VEBO或BVEBO表示。

(六)反向电流

晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。

1.集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。

2.集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好


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