作者:  Kenji Tsuda, Asia Contributing Editor, 光伏国际|  2009-12-07|分类: | 

     有限公司（Sanyo Electric，东京）成功制作出具有实用尺寸（100 cm²甚至更大）的超薄，而且接近三洋在今年5月份报道的23%的{zg}纪录。该公司{zx1}一代的太阳能电池厚度只有98 µm，不到该公司{zg}效率电池厚度的一半，而且其转换效率也高达22.8%。

    制造商一直致力于使用更薄的硅晶圆，这样可以降低单晶硅（c-Si）太阳能电池的成本，而且可以与薄膜电池技术联系在一起。除更加便宜之外，薄的太阳能电池重量更轻也更柔软。然而，降低晶圆厚度也会降低光吸收，从而降低转换效率。

    三洋的HIT（使用本征薄层的异质结）太阳能电池将单晶硅衬底和非晶硅（a-Si）薄膜结合在一起。在他们{zx1}的薄层电池研究中，通过提高硅晶圆的光捕获效应来解决效率损耗的问题。研究人员通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。这使得98 µm 厚HIT电池的短路电流（I_SC）可以由37.3 mA/cm²（电池厚度为85 µm时的值）提高到38.8 mA/cm²。

    HIT结构的一个优点是提高了pin结的光学能带间隙宽度，从而提高了开路电压（V_OC）。P型a-Si的带隙比n型c-Si的能量带隙要宽，从而使得V_OC更高。使用三洋的新技术，研究人员已经将这一电压值由0.729 V进一步提高到了0.743 V，根据三洋研发中心太阳能研究分部主任Eiji Maruyama的说法，这一改进主要是通过减少a-Si与c-Si层间界面处的缺陷获得的。他说，如果界面位置存在较高密度的缺陷，由于带隙钉扎效应能量带隙将被压缩。a-Si层界面位置处悬挂键密度的降低可以提高V_OC值。

    硅表面织构主要是金字塔型织构，优化的一个关键步骤是控制金字塔结构的倾角大小。太阳光在硅中移动的距离越长，吸收的光就越多，也就对应着更高的效率。该公司抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。结果是，在约400-450 nm的短波范围里，转换效率得到了提升。

    为提高约1000 nm的长波范围内的效率，三洋开发了一种新材料来提高电极薄膜的透光率。尽管Maruyama不愿透漏这一材料的具体组成，但据他介绍，其关键因素是提高多晶电极的结晶颗粒尺寸并增强电极中的迁移。