化学最早用于在光学元件表面制备保护膜。随后，1817年，Fraunhofe在德国用浓硫酸或硝酸侵蚀玻璃，偶然{dy}次获得减反射膜，1835年以前有人用化学湿选法淀积了银镜膜它们是{zx0}在世界上制备的光学薄膜。后来，人们在化学溶液和蒸气中镀制各种光学薄膜。50年代，除大快窗玻璃增透膜的一些应用外，化学溶液镀膜法逐步被真空镀膜取代。
真空蒸发和溅射这两种真空物理镀膜工艺，是迄今在工业领域能够制备光学薄膜的两种最主要的工艺。它们大规模地应用，实际上是在1930年出现了油扩散泵---机械泵抽气系统之后。
1935年，有人研制出真空蒸发淀积的单层减反射膜。但它的{zx0}应用是1945年以后镀制在眼镜片上。
1938年，美国和欧洲研制出双层减反射膜，但到1949年才制造出优质的产品。
1965年，研制出宽带三层减反射系统。在反射膜方面，美国通用电气公司1937年制造出{dy}盏镀铝灯。德国同年制成{dy}面医学上用的抗磨蚀硬铑膜。在滤光片方面，德国1939年试验淀积出金属—介质薄膜Fabry---Perot型干涉滤光片。
在溅射镀膜领域，大约于1858年，英国和德国的研究者先后于实验室中发现了溅射现象。该技术经历了缓慢的发展过程。
1955年，Wehner提出高频溅射技术后，溅射镀膜发展迅速，成为了一种重要的光学薄膜工艺。现有两极溅射、三极溅射、反应溅射、磁控溅射和双离子溅射等淀积工艺。
自50年代以来，光学薄膜主要在镀膜工艺和计算机辅助设计两个方面发展迅速。在镀膜方面，研究和应用了一系列离子基新技术。
1953年，德国的Auwarter申请了用反应蒸发镀光学薄膜的专利，并提出用离子化的气体增加化学反应性的建议。
1964年，Mattox在前人研究工作的基础上推出离子镀系统。那时的离子系统在10Pa压力和2KV的放电电压下工作，用于在金属上镀耐磨和装饰等用途的镀层，不适合镀光学薄膜。后来，研究采用了高频离子镀在玻璃等绝缘材料上淀积光学薄膜。70年代以来，研究和应用了离子辅助淀积、反应离子镀和等离子化学气相等一系列新技术。它们由于使用了带能离子，而提供了充分的活化能，增加了表面的反应速度。提高了吸附原子的迁移性，避免形成柱状显微结构，从而不同程度地改善了光学薄膜的性能，是光学薄膜制造工艺的研究和发展方向。
实际上，真空镀膜的发展历程要远远复杂的多。我们来看一个这个有两百年历史的科技历程：
19世纪
真空镀膜已有200年的历史。在19世纪可以说一直是处于探索和预研阶段。探索者的艰辛在此期间得到充分体现。
1805年, 开始研究接触角与表面能的关系(Young)。
1817年, 透镜上形成减反射膜(Fraunhofer)。
1839年, 开始研究电弧蒸发(Hare)。
1852年, 开始研究真空溅射镀膜(Grove;Pulker)。
1857年, 在氮气中蒸发金属丝形成薄膜(Faraday;Conn)。
1874年, 报道制成等离子体聚合物(Dewilde;Thenard)。
1877年,薄膜的真空溅射沉积研究成功(Wright)。
1880年, 碳氢化合物气相热解(Sawyer;Mann)。
1887年, 薄膜的真空蒸发(坩埚) (Nahrwold;Pohl;Pringsheim)。
1896年, 开始研制形成减反射膜的化学工艺。
1897年, 研究成功四氯化钨的氢还原法(CVD); 膜厚的光学干涉测量法(Wiener)。
20世纪的前50年
1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。
20世纪的后50年
1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。
1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。
这是薄膜技术获得腾飞的50年。真空获得、真空测量取得的进展是薄膜技术迅速实现产业化的决定性的因素。
1952年，表面自动洁净的溅射清洗方法研制成功；开始研究新的反应蒸发方法（Auwarter，Brinsmaid）；开始研究耐腐蚀的等离子体聚合物膜。
1953年，美国真空学会成立；以卷绕镀膜的方法制成抗反射的薄膜材料（3M公司）。
1954年，开始研制新型真空蒸发式卷绕镀膜机（Leybold公司）。
1955年，薄膜沉积的电子束蒸发技术开始成熟（Ruhle）；开始提出介质的射频溅射方法（Wehner）。
1956年，美国{dy}台表面镀有金属膜的汽车问世（Ford汽车公司）。
1957年,真空镀镉方法被航空工业所接受; 研究光学膜的反应蒸镀方法(Brismaid,Auwarter等); 美国真空镀膜学会成立.
1958年, 薄膜的外延生长技术研制成功(Gunther); 美国航空航天局(NASA) 成立.
1959年, 磁带镀膜设备研制成功(Temescal公司).
1960年, 聚合物表面等离子体活性沉积方法出现(Sharp,Schorhorm); 电推进器用离子源研制成功(Kauffman); 石英晶体膜厚测量仪研制成功.
1961年, 低辐射率玻璃研制成功(Leybold公司); 开始研究元素的溅射产额(Laegried,Yamamura等).
1962年, 开始研究用于化学分析的溅射方法; 碳(Massey) 和金属(Lucas) 的电弧气相沉积; 研究作为清洗用的介质的射频溅射方法(Stuart,Anderson等);Leybold公司的产品进入美国市场; 开始考虑元素的蒸气压(Hoenig).
1963年, 开始研制部分暴露大气的连续镀膜设备(Charschan,Savach等); 离子镀膜工艺研制成功(Mattox).
1964年, 光生伏打薄膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积) 方法研制成功(Bradley等).
1965年, 偏压溅射沉积方法研制成功(Maissel等); 薄膜的激光气相沉积方法研制成功(Smith,Turner); 绝缘材料的射频溅射沉积方法研制成功(Davidse,Anderson等); 脉冲激光沉积方法研制成功(Smith等); 醋酸纤维膜所用的多层真空金属网带膜研制成功(Galileo).
1966年，核反应堆中的离子镀铝(Mattox等); 作为润滑剂用的软金属的离子镀膜研制成功(Spalvins); 附着性能好的阳光反射膜(3M公司).
1967年, 刀具上溅射镀铬成功(Lane);真空离子镀膜方法取得专利(Mattox); 三极溅射方法研制成功(Baun,Wan等); 高真空条件下，引爆膜的沉积(Mattox).
1968年, 旋转箱中，小型部件的离子镀膜(Mattox,Klein), 这个方法后来在航天工业中叫做离子气相沉积.
1969年, 磁控溅射在半球形部件内部进行，多种滋控溅射源取得专利(Mullay);Leybold公司的新型溅射镀膜机问世；蒸发薄膜形态图出版发行。
20世纪70年代各种真空镀膜技术的应用全面实现产业化。薄膜技术的发展进入黄金时期。
1970年，真空蒸发的空心阴极电子源研制成功（ULVAC公司）；高沉积速率多层光学镀膜机研制成功（OCLI）；空心阴极离子镀膜设备在日本出现（ULVAC公司）。
1971年，用离子轰击的方法在玻璃上镀膜的公司在不少国家大量涌现；硬碳膜研制成功（Aisenberg等）；锥形部件内的磁控溅射方法取得专利（Clarke）；任意位置的阳极电弧蒸发源出现（Snaper，Sablev）；蒸发过程中，活性气体的等离子体xx（Heitman，Auwarter等）；镀铝的香烟包装纸研制成功（Galileo）；使用电子束蒸发源的离子镀膜设备出现（Chamber公司）。
1972年，粒子束团沉积方法研制成功（Tagaki）；采用离子枪的高真空溅射镀膜设备出现（Weissmantel）；薄膜形态的同步轰击效应的研究（mattox等）；细网上镀膜的设备获得广泛应用。
1973年，电镀行业采用新型xxxx的离子镀膜设备（Bell公司）；等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在平形板反应堆中应用（Reinberg）。
1974年，超紫外—臭氧清洗技术出现（Sowell，Cuthrell等）；离子轰击膜中压缩应力的研究(Sowell,Cuthrell等); 平面磁控镀膜技术取得专利(Chapin).
1975年，反应离子镀膜技术研制成功(Murayama等); 柱状阴极磁控溅射技术取得专利(Penfold等); Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的分子束外延（MBE）研制成功（Cho，Arthur）；交替式离子镀膜技术研制成功（Schiller）；汽车车架上镀铬出现（Chevrolet）。
1976年，离子枪用于沉积薄膜的同步轰击（Weissmantel）。
1977年，中频平面磁控反应溅射沉积法研制成功（Cormia等）；ITO膜的真空卷绕镀研制成功（Sierracin，Sheldahl等）；幕墙玻璃在线溅射镀膜设备研制成功（Airco Temescal公司）；溅射薄膜形态图出版发行（Thornton等）；在细网上溅射加热镀镜面膜（Chahroudi）。1978年，在细网上镀制光衍射膜成功（Coburn公司）；可控电弧蒸发源研制成功（Dorodnov）；等离子体暗弧蒸发研制成功（Aksenov等）；窗用ITO膜溅射沉积方法研制成功（后来简称CP膜）；微弯柔性电路板问世（3M公司）。
1979年，商用在线低辐射率玻璃镀膜设备投入使用；溅射沉积网状膜实现产业化（Cormia Chahroudi公司）；平面磁控阴极溅射取得专利（BOCCT公司）；在线高沉积速率玻璃溅射镀膜设备问世（Leybold公司）。
1980年，离子枪改善蒸镀铬膜的应力（Hoffman，Gaerttner）；{dy}台大型溅射卷绕镀膜设备问世（Leybold公司）；多弧气相沉积在美国实现产业化；Ag基热控镀膜实现产业化（Leubold公司）。
1981年，在工具上用物xx相沉积法镀硬膜；装饰硬件的装饰膜和多功能膜（Leybold公司）；装饰膜的溅射离子镀（Leybold公司）；溅射卷绕镀设备问世（Leybold公司）；高沉积速率的在线ITO—Ag—ITO镀膜设备问世（Leybold公司）；表面镀银的反射膜研制成功（3M公司）。
1982年，超微粒子的气相蒸发实现产业化（ULVAC公司）；旋转磁控柱状阴极取得专利（Mckelvey）；旋转平面溅射靶研制成功（Tico Titanium公司）.
1983年，轰击增强化学活性的研究(Lincoln,Geis等); 旋转柱状磁控溅射靶研制成功(Robinson); 高密度光盘问世(Phillips,Sony公司); 磁带用网状镀膜设备产业化(Leybold公司); 蒸发区真空度不断变化时形成金属化细网(Galileo公司).
1984年，a-Si光生伏打薄膜的网状镀制(Energy Conversion Devices公司).
1985年，真空蒸镀多层聚合物膜取得专利(GE公司).1986年，非平衡磁控溅射法的研究(Windows等)。
1987年，高温超导薄膜的激光剥离沉积（Dijkkamp等）；无栅极的霍尔离子源研制成功（Kaufman，Robinson等）；彩色喷墨打印问世（OCLI）。
1988年，双阴极中频溅射离子源研制成功（Este等）；直流柱状旋转磁控溅射技术实现产业化（BOCCT公司）；溅射沉积薄膜时控制应力的加压脉冲法研制成功（Cuthrell，Mattox）。
1989年，考陶尔兹功能薄膜问世，现在通称为CP膜。
1990年，双交流中频磁控溅射技术成熟（Leybold公司）；用于金融柜安全的细网镀膜设备研制成功（ULVAC公司）；用于细网镀膜的摇盘研制成功（Leybold公司）；氧化铝的中频反应溅射沉积方法研制成功(Leybold公司.
1991年, 丙烯酸类聚合物上镀膜成功;ZrN装饰膜产业化(Leybold).
1993年，刮刀镀膜技术取得专利（Gillette公司）；
1995年，氧化硅阻挡膜取得专利（BOCCT公司）；用于汽车车灯的在线团束溅射镀膜技术研制成功（Leybold公司）。
1997年，丙烯酸类聚合物镀膜技术更名为δV技术；硅上用物xx相沉积法镀TaN和Cu（IBM公司）；用于装饰膜的离线团束镀膜设备研制成功（Leybold公司）。
1998年，采用滤波电弧源的刮刀镀膜设备投产（Gillette公司）。
1999年，δV技术用于大面积玻璃的纵向镀膜。