一种更好的解决方法是利用结点本身作为温度传感器。对大多数材料来说， 结点正向压降和结点温度之间都存在密切的相关性。什么时候结点正向压降与结点温度呈非线性关系取决于结点的材料和设计。在温度高达80°C至100°C的正常工作环境中，假设大多数材料的结点正向压降与结点温度为线性是安全的。非线性特性可以通过实验方法来确定，即在更高的环境温度下测量电压，直到结点正向压降与结点温度为非线性。对于大多数器件而言，这种关系接近线性关系，可以用数学公式表达如下： TJ=(m×VF)+T0 (1)
其中，TJ=结点温度(单位：°C)； m=斜率 {与器件相关的参数(与芯片衬底材料、芯片结构、封装结构、发光波长 等都有关系 ) ，单位：°C/V }； VF=正向压降； T0=截距(与器件相关的参数，单位：°C)。 在给定温度下(TJ)下，半导体结点的正向压降(VF)是一定的。如果我们 在两种不同的温度下测量VF，则可以计算出某个结点的斜率(m)以及截距 (T0)。由于这是一种线性关系，所以我们只需测量VF，就可以利用式(1)计 算不同状态下的结点温度。 TJ=(m×VF)+T0 (1)
在这个测试方法中，待测器件(DUT)[device under test]被放置在温度试验箱内并与驱动设备和测量设备相连。驱动设备可能是可编程电流源和伏特计，但其它仪器可以同时提供电流和测量电压，这些仪器通常被称为源测量单元(SMU)，它们可大大简化测量仪器(图1)。 接下来，采用四线测量方法或者Kelvin测量方法将SMU与器件相连接。通过感应DUT周围而不是SMU输入端的电压，四线电压测量能降低电压测量中由引线电阻导致的误差。图2是四线测量的详细连接图。将DUT放置在环境试验箱内，并将该试验箱设定到初始温度。初始点通常在25°C下测量，然后让DUT达到热平衡。可通过实验来确定达到热平衡所需的停靠时间(dwell time)，但对于大多数封装来说，10分钟应该足够。
许多情况下，待测结点的为硅或者复合二极管。对于这些类型的器件，以几 毫安的驱动电流和1ms的源电流为试验起点比较好。如果还不太确定，则利用具有极短脉冲(小于1ms)的源，用试验的方法确定结点的自发热。然后改变脉冲宽度并比较每个脉冲持续时间的电压进行试验。1mV至2mV的电压差通常表示结点温度有1°C的变化，这个测量电压是TJ1 (25
°C )温度下的VF1。然后温度升高到一个更高的值(例如50°C)，让DUT达到热平衡，并再次给予电流脉冲。这个温度下的电压被标为TJ2温度(此例中为50°C )下的VF2。
