MLC架构的SSD由多颗MLC NAND闪存颗粒构成。大部分MLC NAND闪存的每一Page是4KB。一个block是由许多Page组成的，在STEC的MLC SSD中一个block包含128 Pages(128 Pages x 4KB/Page = 512KB/block = 0.5MB)。Block是可以擦除的最小结构。因此，当你写入SSD时，你一次可写入4KB数据;但是当你从SSD擦除数据时，一次却不得不删除 512KB。
无论何时，只要你将数据写入闪存，SSD都会反复经历同样的过程：创建一个电场，电子穿过氧化物并储存电荷(用寄存器单元记录一个电位值)。擦除数据会导致同样的事情发生，但却向着相反的方向。问题是电子穿过氧化物的次数越多，就会变的越弱，最终电压也不能再阻止电子的自由活动了。这时候，我们理解为：SSD的这个单元就发生故障了。
| 已投稿到： |
|
|---|
