高亮度LED的关键制造技术之一是技术。 由于整个竖式LED结构采用MOCVD技术生长，这种技术不仅仅决定LED的质量和性能，而且在很大程度上决定LED制造的产量和成本。因此，MOCVD 生产率的优化和营运成本的减少是MOCVD系统制造商的一个关键目标。影响MOCVD工艺的生产率和成本的xx参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分 析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。

　　通过采用更大的晶圆尺寸改善产率(4英寸和6英寸)所有LED(蓝、 绿或白光的LED)的主要部分是以GaN/InGaN/AlGaN材料为基直到目前为止，大部分LED都是在2英寸蓝宝石衬底上制造的。因此，近年以 来，MOCVD产率的任何进展都是通过增加MOCVD反应炉的载荷量而获得。当前GaN/InGaN/AlGaN生长的{zlx}MOCVD系统是行星反应炉 和近耦合喷淋头式反应炉，分别供给42片2英寸和31片2英寸两种晶圆。这些转化成令人难忘的高产率和低拥有成本。然而，这通过转变成较大晶圆尺寸而进一 步改善。在这个时候，一些主要LED制造商已经开始转入4英寸，并且大部分其他的制造商打算进行同样的转变。由于MOCVD工具已经具备适合大尺寸晶圆生 长的能力，这个决定是很容易的。

　　在上述提及的MOCVD系统中，从2英寸到4英寸(甚至6英寸)晶圆的转变可以仅仅通过更换MOCVD 反应炉中的一些部件配置很容易地完成。然而主要的反应腔和部件将保持相同，因此使调整硬件和工艺的需要减到最校通过这样做，比如行星反应炉，可以从一个 42x2“设置转化成一个11x4”或6x6“类型。虽然这样转换的成本相对低，但是在产率方面有明显的效益。为了获得定量的了解，计算相当于不同晶圆直 径的满晶圆负荷的总晶圆面积是有帮助的。42x2”配置相当于851cm2.转换成11x4“或6x6”分别产生891cm2和1094cm2的晶圆面 积。可以从这些数字计算产率的相对增加。另外，必须考虑到外部几毫米通常排除在可用晶圆面积之外。如果选择了较大晶圆面积，那么已排除面积占总晶圆面积的 百分数明显更低。

　　然而上面讨论的产率增加，并不是增加MOCVD系统生产率的{wy}措施。同时，外延片的均匀性必须改善到确保LED工艺 的{zg}芯片成品率的一个水平。从MOCVD反应炉的设计方面来说，这必须转化成一些特定要求。由于MOCVDRUN的均匀性主要是由良好控制的气相动力学 和一致的温度分布决定，必须选择稳健设计，才能以正确的方式来控制这两个参数。