1. HK12通用系列非易失性随机存取存储器
2. ：HK12通用随机存储器HK1225---8K×8
3. ：HK12通用随机存储器HK1235--32K×8
4. ：HK12通用随机存储器HK1245-128K×8
5. ：HK12通用随机存储器HK1255-512K×8
6. ：HK12通用随机存储器HK1265-256K×8
7. ：HK12通用随机存储器HK1275---1M×8
8. ：HK12通用随机存储器HK1285---2M×8
9. ：HK12通用随机存储器HK1295---8M×8
10. ：HK12通用随机存储器HK12A5---4M×8
11. ：HK12通用随机存储器HK12B5--16M×8
12. OKS带软件锁系列非易失性随机存取存储器
13. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1225---8K×8
14. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1235--32K×8
15. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1245-128K×8
16. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1255-512K×8
17. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1275---1M×8
18. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1285---2M×8
19. ：OKS带软件锁随机存储器OKS1295---8M×8
20. ：OKS带软件锁随机存储器OKS12A5---4M×8
21. ：OKS带软件锁随机存储器OKS12B5--16M×8

1. BQ4010YMA-70：8Kx8 非易失性 SRAM,10% 电压容限
2. BQ4011YMA-70：32Kx8 非易失性 SRAM,10% 电压容限
3. BQ4016YMC-70：1024Kx8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

1. X24C44P：内部SRAM+EEPROM结构
2. X24C44PI：内部SRAM+EEPROM结构
3. X24C44S：内部SRAM+EEPROM结构
4. X24C44SIT1：内部SRAM+EEPROM结构

备注1:HK、OKS 非易失性随机存取存储器(NVRAM)


HK12系列8位标准形掉电数据不丢失SRAM主要特性有：

• 与6116、6264、62256、628128、628512、6281000等xx兼容,可将对应的NVRAM直接插上替代；
• 存取速度55ns、70ns；
• 可以单字节读写；读写次数无限；
• 内置锂电池,在无外部供电情况下10年数据不丢失；
• 单5V供电,功耗〈5mW；静态电流〈20μA；
• 全部双列直插封装,超薄设计,具有极强的抗振性.

HK12DP系列NVRAM简介：
     HK12DP 系列即双重硬件保护的非易失存储器产品是在原来的单一硬件保护基础上开发的新一代 NVRAM 产品。在保证xx兼容上一代产品的基础上又在可靠性设计上有所提高。上一代产品或其它国内外厂商的产品都是在 CS 即片选信号上加装保护电路,当 VCC≤阀值。( 各公司产品各异,如4. 5V ) 时,监测芯片发出复位信号而使内部 SRAM 的片选信号置高。而我公司的双重硬件保护的 NVRAM 是在片选与写信号上同时加装保护电路,并在时序上有所调整,从而使可靠性在原来基础上又有了进一步的提高。



OKS系列简介

• 方便：硬件与普通SRAMxx兼容,关电后数据自动保存,软件只要在开始时写一条开锁指令即使其与普通SRAM一样的方便读写
• 可靠：在采用硬件保护的同时加装了软件锁功能,在没有收到开锁指令前写信号被禁止防止误操作。
• 安全：防仿制,可以使您的系统或产品被加密防止被不法之徒仿制。

一、结构原理
     内置硬件保护电路及电源监测电路,当上下电时,电源电压≤阀值（4.3V~4.75V可选)内部存储器片选置高自动切换至保护状态,此硬件保护设计为普通NVRAM厂家广泛采用.但只有以上硬件保护在很多情况下仍会造成数据丢失,如上下电过快过频,正常工作状态下的干扰,电磁冲击过强、电压波动范围过大、过强振动引起的写和片选置低等等。因此本产品在硬件保护的同时又在写信号端增加了软件保护功能,只有CPU对此芯片的某一特殊单元如{zh1}二个字节写入88时此芯片的内部写信号方能开放,而如果将这二个字节写入55、00等数字则信号被锁死,无论外界写信号出现什么干扰都无法将干扰数据存入芯片。因而使芯片的可靠性得到了空前的提高,同时又不需要在软件上作过多改动,只要在程序开始端加一条写入指令即可,在结束时加一条为锁死的写指令。也可不写后一条,只要关电即可自认锁死。因此既方便又非常可靠,因其具备更高的可靠性,因此又被称为xx消失的电“BYTE”。

二、主要性能指标

此芯片单5V供电双列直插标准封装,引脚排列具有取操作等,与同容量SRAMxx相同（如62256、628128、628512、6281000、6284000、6288000等）。

1. 读写次数无限且寿命与SRAM无异。
2. 频繁掉电及干扰试验证明可靠性远高于通用NVRAM、EEPROM、Flash及其它同类及衍生产品,（4）芯片读写速度有55ns、70ns、120ns可选。
3. 硬件保护电压阀值4.35~4.75可选。
4. 温度范围根据民级、工业级从75℃~125℃可选。
5. 指令写入字节位置及开锁数字可选,并可为用户保密,这样又可起到防仿制的作用,如有人仿制您的产品既使他能买到同型号产品,但因为开锁的数字及位置 不同而无法使用。能有效的保护您的知识产权。

三、操作芯片
     先向此芯片{zh1}高一位字节写入88后即可与普通SRAM或常规NVRAM一样进行写操作,向此芯片{zh1}一个字节写入一个非88的数后,写信号锁死。任何写操作无效

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