高效率太阳能电池技术的发展和现状 
             
       自六十年代{dy}代晶体硅太阳电池研制成功，经过各国光伏工作者的不懈努力，到目前为止，{dy}代晶体硅太阳电池的实验室效率达到了24.7％，大规模生产商用产品的效率为17％以上。尽管如此，由于受单晶硅材料价格及繁琐的加工工艺限制，致使单晶硅太阳电池成本居高不下。 
       
       自八十年代第二代GaAs、CuInSe2和CdTe等太阳电池也取得了令人瞩目的成就，GaAs 、CuInSe2和CdTe等薄膜电池的实验室效率目前分别为25%、16.5%和18.5％，虽然仍有望在效率上进一步突破，但前者稳定性差，后者又较难制作。非晶硅及氢化非晶硅的来源较广，但是转换效率较低且大面积薄膜制作也存在价格高的问题。 
       
       自九十年代以来，第三代化合物半导体叠层电池因其高效率、高电压和高温特性好等优点，可实用的转换效率为28%—32%，聚光后{zg}达到42.8%，被广泛应用于空间卫星太阳能电池、国防边远山区雷达站、微波通讯站，在未来光伏发电领域具有现实而广阔的应用潜力。但是锗和砷化镓的材料成本远大于硅电池的材料成本，而电池片的价格是光伏系统成本最主要的部分。因此，高额成本成为制约光伏发电大规模应用的主要障碍。 
       
       聚光技术是通过采用廉价的聚光系统将太阳光汇聚到面积很小的高性能光伏电池上，从而大幅度降低电池片的消耗量和光伏发电成本的xxx方案。早在1989年，GaAs/GaSb机械叠层双结太阳电池的效率已达32.6％（AM1.5，100-suns）。1995年Fraunhofer ISE和Calibration实验室研制的Ga0.51In0.49P/GaAs整体级联双结太阳电池，效率为31.1％（AM1.5，300－suns）。2005年5月，美国可再生能源实验室报道其三结太阳电池在10倍聚光条件下的效率为37.9％。2005年6月，美国Spectrolab公司报道其多结太阳电池在236倍聚光条件下的效率为39％。2006年12月，该项世界纪录被其刷新为40.7％，这次突破可使安装成本降至3美元/瓦，发电成本约8-10美分/千瓦时，这在利用太阳光发电方面树立了新的里程碑。2007年6月，该项世界纪录又被刷新，美国特拉华大学和工业界组成的联盟最近宣布已研发出全球光电转换效率{zg}（42.8%）的太阳能电池，比其他类型太阳能电池高出大约30%，是目前{zh0}的硅太阳能电池的2倍。表1给出了截止到2008年底报道的各种地面应用聚光太阳电池和模块的效率。

全球太阳能电池用锗晶片生产情况及产量预测 
             锗是典型的稀散金属，是一种极为重要的战略资源，在保障国家安全和国民经济建设中具有重要作用。全世界可供开采的锗资源比较缺乏，已探明的锗资源储量8600吨，我国锗资源储量6100吨居世界{dy}。 
       
       目前，全球太阳能电池用锗晶片{zd0}生产商是比利时优美科(Umicore)公司和美国的AXT公司。现在国际上锗衬底化合物半导体叠层电池生产线均为4英寸生产线。为了降低成本和提高成品率，比利时优美科公司（直拉CZ法）和美国的AXT公司（垂直梯度凝固VGF法）均已研制成功六英寸太阳能电池用锗单晶。未来太阳能锗单晶主流产品也将由4英寸向6英寸转变。 
       
       2008年优美科公司销售四英寸太阳能电池用锗晶片约50万片。美国AXT公司2008年销售四英寸太阳能电池用锗晶片约30万片。随着三结太阳能电池技术的高速发展，预计全球高效率太阳能电池用锗晶片未来五年的年增长率将达到30%。为此优美科公司和美国的AXT公司在2008年先后计划扩大生产能力一倍，比利时优美科(Umicore)公司计划年产能力四英寸太阳能电池用锗晶片100万片。美国AXT公司计划年产四英寸太阳能电池用锗晶片60万片。 
       
       在中国，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司和中科院半导体研究所联合投资成立云南中科鑫圆晶体材料有限公司，重点开发高效率太阳能电池用锗单晶及开盒即用锗晶片，项目一期于2008年底已经建成年产0.5-1.5万片的中试生产线，产品已送国内外客户认证并销售。项目二期计划于2011年底建成年产4英寸太阳能电池用锗晶片30万片生产线。预计未来几年全球太阳能电池用4英寸锗晶片产量以年增长率30%增加，如下表3。

 空间的应用 
   
       以锗衬底的化合物半导体叠层电池在空间的应用将进一步加强，聚光技术的应用将使未来需求趋于稳定。 
       
       第三代化合物半导体叠层电池因其高转换效率、高电压和高温特性好，而越来越被各国运用到空间供电电源中。目前全球在空间供电电源中已超过80%的比例采用了以锗衬底化合物半导体叠层电池。可以预计在未来3～5年，这一比例还将会提高到95%。但应用聚光光伏技术可以大幅度降低电池芯片的消耗，使空间未来需求将趋于稳定。因地球同步卫星轨道的限制，未来五年人造卫星的发射量将会趋于稳定，每年大致在50～60颗左右，根据卫星大小的不同，每颗普通卫星大约需要高效太阳能电池用锗晶片约6000～15000片，每颗大型卫星的太阳能用锗晶片将达到数万片，空间站的建立及维护所需要的太阳能用锗晶片数量更为巨大。预测2010年达到90％采用以锗晶片为基板的三结太阳能电池，2010年后预计以每年近15%的增长。

云南锗业(002428):资源 技术有优势 高成长给予高估值 
              来源：英大证券　　2010-06-04  
       
       锗金属终端需求有望保持快速增长。锗是一种稀散稀有金属,是重要的半导体材料。锗具备多方面的特殊性质,在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。2008年锗的消费应用结构中,光纤占30%左右,PET催化剂占25%左右,红外光学占25%左右,太阳能电池占15%左右,其他包括合金、医疗保健等占5%左右。预计未来锗金属终端需求有望保持快速增长。
       
       公司锗金属资源丰富,可保证30年以上需求。世界锗的资源比较贫乏,全世界已探明的锗保有储量约为8,600金属吨,我国保有储量约3,500金属吨,远景储量约9,600金属吨,在世界上占有明显优势。公司拥有的大寨锗矿和梅子箐煤矿储量丰富,品位较高,截至2009年12月31日,已经探明的锗金属保有储量合计达689.55吨,等于全国上表保有储量3,500吨的19.70%。公司还拥有的云南省凤庆县砚田多金属及锗矿探矿权、云南省永德县尖山铅锌矿探矿权,目前正在进行勘探工作。由于锗矿资源的稀缺性,公司资源储量优势十分明显。另外,公司还通过东昌金属进行锗废料回收锗业务,补充原料的需求。静态计算,公司锗金属资源至少可保证公司30年以上的需求。
       
       公司产业链完整、技术优势明显。公司是全国{wy}拥有锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发一体化产业链的锗业企业。公司的采矿技术、火法工艺技术、资源综合利用技术在国内均处于{lx1}地位;精深加工技术方面,已经掌握了高效太阳能电池用锗单晶炉设计、制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺等核心技术,研制出了红外用锗单晶和低位错密度太阳能电池用锗单晶,预期在太阳能电池用锗单晶技术领域可以申请发明专利和实用新型专利6项,可以获得拥有自主知识产权的单晶生长和晶片加工技术。此外,还在积极研究开发探测器级锗单晶及高纯锗探测器等高{jd0}产品生产技术。
       
       产品结构不断优化。公司近年来不断加大研发投入,优化产品销售结构,加大对高附加值精深加工产品的市场开拓力度,产品结构不断优化。比较低端的产品高纯二氧化锗实现的营业收入占总收入的比例由2007年度的28.60%降低到2009年度的1.20%,中端产品区熔锗锭实现的营业收入占总收入的比例由2007年度的56.71%上升到2009年度的72.50%,比较xx的产品红外级锗单晶(光学元件)、锗镜片则从2007年度的7.17%上升到2009年度的17.68%,而xx产品锗镜头、太阳能电池用锗单晶片则实现了零的突破。
       
       募集资金投向xx产品,盈利前景值得。为了增强本公司核心技术竞争能力和延长本公司产业链公司本次募集资金拟投资的项目包括高效太阳能电池用锗单晶及晶片产业化生产线开发项目和红外光学锗镜头工程建设项目。这两个项目均处于锗产业链的xx,盈利能力及市场前景值得期待。